荧光体粉末和发光装置的制作方法

本发明涉及一种荧光体粉末和发光装置。

背景技术：

1、目前为止，对ba26si51o2n84系荧光体进行了各种开发。作为这种技术，例如已知有专利文献1所述的技术。专利文献1中记载了通过对ba26si51o2n84激活eu，从而在近红外区域发光的技术(专利文献1的第0001段、实施例1、第0090～0092段等)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特许6684412号公报

技术实现思路

1、然而，本发明的发明人等进行了研究，其结果判明：在上述专利文献1中记载的包含对由ba26si51o2n84表示的结晶激活eu而成的无机化合物的荧光体粉末中，为了在实用中使用荧光体粉末，在发光特性的点上，仍有改善的余地。

2、本发明的发明人进行了进一步的研究，得到了以下见解。

3、在照射波长450nm的激发光时的(ba，eu)26si51o2n84的荧光体的发光光谱中，可知在750nm～950nm存在有主峰，并且在520nm～600nm附近存在有小的子峰，并且，发现通过以作为子峰/主峰的发光强度比作为指标，从而能够稳定地评价荧光体粉末的发光特性，并且，通过将其比设在特定的范围内，从而能够实现发光特性优异的荧光体粉末，由此完成了本发明。

4、根据本发明，

5、提供一种含有无机化合物的荧光体粉末，所述无机化合物是在由ba26si51o2n84表示的结晶中、或者在具有与由ba26si51o2n84表示的结晶相同的晶体结构的无机结晶中固溶有eu作为激活剂而成的，

6、在将波长450nm的激发光照射到该荧光体粉末而得到的发光光谱中，将处于750nm～950nm的范围的峰值波长的发光强度设为p0，将处于520nm～600nm的范围的峰值波长的发光强度设为p1时，p0、p1满足0.01≤p1/p0≤0.12。

7、并且，根据本发明，可提供一种发光装置，具备发出一次光的发光元件、以及吸收上述一次光的一部分且发出具有比一次光的波长更长的波长的二次光的波长转换体，

8、上述波长转换体包含上述荧光体粉末。

9、根据本发明，可提供一种发光特性优异的荧光体粉末和发光装置。

技术特征：

1.一种荧光体粉末，是含有无机化合物的荧光体粉末，所述无机化合物是在由ba26si51o2n84表示的结晶中、或者在具有与由ba26si51o2n84表示的结晶相同的晶体结构的无机结晶中固溶有eu作为激活剂而成的，

2.根据权利要求1所述的荧光体粉末，其中，

3.根据权利要求1或2所述的荧光体粉末，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体粉末，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光体粉末，其中，

6.一种发光装置，具备发出一次光的发光元件、以及吸收所述一次光的一部分并发出具有比一次光的波长更长的波长的二次光的波长转换体，

技术总结
本发明的荧光体粉末是含有无机化合物的荧光体粉末，所述无机化合物是在由Ba<subgt;26</subgt;Si<subgt;51</subgt;O<subgt;2</subgt;N<subgt;84</subgt;表示的结晶中、或者在具有与由Ba<subgt;26</subgt;Si<subgt;51</subgt;O<subgt;2</subgt;N<subgt;84</subgt;表示的结晶相同的晶体结构的无机结晶中固溶有Eu作为激活剂而成的，并以下述方式构成：在将波长450nm的激发光照射到该荧光体粉末而得到的发光光谱中，将处于750nm～950nm的范围的峰值波长的发光强度设为P0，将处于520nm～600nm的范围的峰值波长的发光强度设为P1时，P0、P1满足0.01≤P1/P0≤0.12。

技术研发人员：坂野广树,丰岛广朗
受保护的技术使用者：电化株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11