含银膏和接合体的制作方法

本发明涉及含银膏和接合体。

背景技术：

1、已知有为了提高半导体装置的散热性而使用含有金属颗粒的热固性树脂组合物来制造半导体装置的技术。通过使热固性树脂组合物含有具有比树脂大的热导率的金属颗粒，能够提高其固化物的导热性。

2、作为应用于半导体装置的具体例，已知有如以下的专利文献1和2那样，使用含有金属颗粒的热固型树脂组合物将半导体元件与基板(支承部件)粘接/接合的技术。

3、在专利文献1中公开了含有规定结构的(甲基)丙烯酸酯化合物、自由基引发剂、银微颗粒、银粉和溶剂的半导体粘接用热固型树脂组合物、以及利用该组合物将半导体元件与基材接合而形成的半导体装置。在该文献中记载有能够提高安装后的相对于温度循环的连接可靠性(0011段)。

4、在专利文献2中公开了含有酰亚胺丙烯酸酯化合物、自由基引发剂、填料和液态橡胶成分的树脂膏组合物、以及利用该组合物将半导体元件与基材接合而形成的半导体装置。在该文献中记载有通过使树脂膏组合物低应力化，能够抑制芯片破裂或芯片翘曲的产生(0003段)。

5、在专利文献3中公开了由满足规定物性值的银颗粒、溶剂和添加剂构成的银膏组合物、具有经由该组合物将半导体元件与半导体元件装载用支承部件粘接的结构的半导体装置。在该文献中记载有使用二丙二醇甲醚乙酸酯、异冰片基环己醇作为溶剂的例子。

6、现有技术文献

7、专利文献

8、专利文献1：日本特开2014-74132号公报

9、专利文献2：日本特开2000-239616号公报

10、专利文献3：日本特开2014-225350号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、然而，在利用专利文献1～3中记载的银膏将硅片的硅表面与金属表面接合的情况下，在散热扩散性方面有改善的余地。要求从硅片的未镀敷金属的面改善散热性的技术。

3、用于解决技术问题的手段

4、本发明人发现，在使用含有规定量的含银颗粒、2官能以上的树脂和有机溶剂的含银膏将硅片的硅表面与金属表面接合的情况下，散热扩散性优异，从而完成了本发明。

5、即，本发明可以如下所示。

6、根据本发明，能够提供一种含银膏，其用于将硅片的硅表面与金属表面粘接，其特征在于，含有：

7、(a)含银颗粒；

8、(b)2官能以上的树脂；和

9、(c)有机溶剂，

10、相对于除了有机溶剂(c)以外的该含银膏100质量％，含银颗粒(a)的含量为88质量％以上98质量％以下。

11、根据本发明，能够提供一种高导热性材料，其通过将上述含银膏烧结而得到。

12、根据本发明，能够提供一种接合体，其为利用上述含银膏的固化物将硅片的硅表面与金属表面粘接而形成的接合体，其特征在于：

13、动态粘弹性(dma)测量中的上述固化物的储能模量为1,000～20,000mpa。

14、根据本发明，能够提供一种半导体装置，其包括：

15、含有金属的基材；

16、硅片；和

17、粘接层，其用于将上述基材的金属表面与上述硅片的硅表面接合，

18、上述粘接层通过将上述含银膏烧结而形成。

19、发明效果

20、本发明的含银膏在将硅片的硅表面与金属表面粘接的情况下，能够改善散热扩散性。

1.一种含银膏，其用于将硅片的硅表面与金属表面粘接，其特征在于，含有：

2.根据权利要求1所述的含银膏，其特征在于：

3.根据权利要求1或2所述的含银膏，其特征在于：

4.根据权利要求1至3中任一项所述的含银膏，其特征在于：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的含银膏，其特征在于：

6.根据权利要求1至5中任一项所述的含银膏，其特征在于：

7.根据权利要求1至6中任一项所述的含银膏，其特征在于：

8.根据权利要求1至7中任一项所述的含银膏，其特征在于：

9.一种高导热性材料，其特征在于：

10.一种接合体，其为利用权利要求1至8中任一项所述的含银膏的固化物将硅片的硅表面与金属表面粘接而形成的接合体，其特征在于：

11.一种半导体装置，其特征在于，包括：