本发明涉及一种罩构件和罩构件能具备的双面粘合片。另外,本发明涉及一种能由上述双面粘合片制造的密封构件和具备上述罩构件或密封构件的构件供给用片。
背景技术:
1、公知有以覆盖对象物的方式配置于配置面的罩构件。罩构件的一个例子是半导体元件封装所使用的构件。在专利文献1中公开有以半导体基板为配置面且以覆盖半导体基板上的功能元件的方式配置于配置面的构件、和具备该构件的半导体元件封装。专利文献1的构件具备:盖基板,其以与半导体基板的一面相对的方式与该一面隔开预定的间隔地配置;以及密封构件,其配置于功能元件的周围,并且接合半导体基板和盖基板。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2009-43893号公报
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、专利文献1的密封构件以防止半导体元件封装内的结露为目的而具备透湿树脂层。不过,根据本发明人等的研究,弄清楚了如下情况:在仅具备透湿树脂层时,在由于例如回流焊等高温处理而使封装内的压力(内压)大幅度上升了的情况下,在封装上可能产生损伤。根据研究推定原因为:透湿树脂层通常是利用物理扩散而使水蒸气透过的层,其难以应对上述内压的上升。
3、本发明以提供一种适于抑制由内压的上升导致的半导体元件封装的损伤的罩构件为目的。
4、用于解决问题的方案
5、本发明提供一种罩构件,其是以覆盖对象物的方式配置于配置面的罩构件,其中,
6、所述罩构件具备:
7、覆盖片,其具有在配置于所述配置面的状态下覆盖所述对象物的形状;以及
8、粘合层,其与所述覆盖片接合,并且将所述罩构件固定于所述配置面,
9、所述粘合层包括双面粘合片,
10、所述双面粘合片具有依次层叠第1粘合剂层、基材以及第2粘合剂层而成的构造,
11、所述基材具有多孔构造,
12、所述基材的气孔率是30%以上,并且,
13、在所述基材的气孔率是30%以上且50%以下时,所述基材的平均孔径是10μm以上,
14、在所述基材的气孔率超过50%时,所述平均孔径是0.05μm以上。
15、从另一方面来看,本发明提供一种构件供给用片,其中,该构件供给用片具备:基材片;以及1个或两个以上的罩构件,其配置于所述基材片上,
16、所述罩构件是上述本发明的罩构件。
17、从另一方面来看,本发明提供一种双面粘合片,其中,该双面粘合片具有依次层叠第1粘合剂层、基材以及第2粘合剂层而成的构造,
18、所述基材具有多孔构造,
19、所述基材的气孔率是30%以上,并且,
20、在所述基材的气孔率是30%以上且50%以下时,所述基材的平均孔径是10μm以上,
21、在所述基材的气孔率超过50%时,所述平均孔径是0.05μm以上。
22、根据本发明的双面粘合片,也可获得适于既阻止异物的通过又确保透气性的密封构件。
23、从与上述不同的该方面来看,本发明提供一种密封构件,其中,该密封构件在第1零部件与第2零部件的接合时配置于所述第1零部件与所述第2零部件之间,阻止异物在由相互接合的所述第1零部件和所述第2零部件围成的内部的空间与外部之间通过,
24、所述密封构件具有所述内部的空间与所述外部之间的通气路径,并且,包括上述本发明的双面粘合片,
25、所述双面粘合片的所述基材包含于所述通气路径。
26、从另一方面来看,本发明提供一种构件供给用片,其中,该构件供给用片具备:基材片;以及1个或两个以上的密封构件,其配置于所述基材片上,
27、所述密封构件是上述本发明的密封构件。
28、发明的效果
29、本发明的罩构件适于抑制由内压的上升导致的半导体元件封装的损伤。
1.一种罩构件,其是以覆盖对象物的方式配置于配置面的罩构件,其中,
2.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
3.根据权利要求2所述的罩构件,其中,
4.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
5.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
6.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
7.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
8.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
9.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
10.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
11.根据权利要求10所述的罩构件,其中,
12.根据权利要求10所述的罩构件,其中,
13.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
14.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
15.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
16.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
17.根据权利要求16所述的罩构件,其中,
18.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
19.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
20.根据权利要求1所述的罩构件,其中,
21.一种构件供给用片,其中,
22.一种双面粘合片,其中,
23.一种密封构件,其中,
24.根据权利要求23所述的密封构件,其中,
25.根据权利要求24所述的密封构件,其中,
26.根据权利要求23所述的密封构件,其中,
27.一种构件供给用片,其中,