一种半导体UV切割膜及其加工工艺的制作方法

本发明涉及半导体uv切割膜，具体涉及一种半导体uv切割膜及其加工工艺。

背景技术：

1、半导体uv切割膜，主要用于晶圆、半导体等切割用途上，将晶圆块切成晶圆粒的托底保护，防止晶圆粒在制程作业过程飞溅。

2、如授权公告号为cn207097798u，授权公告日为20180313的一种半导体uv切割膜。所述uv切割膜自下而上依次包括：pet膜层，非uv解黏胶层，po膜层，uv解黏胶层，离型膜。本实用新型是一种对切割机具有良好的吸附性，对被切割半导体晶圆及其封装模块具有良好的服帖性，同时可以提高切割良率的低成本uv切割膜。

3、上述以及在现有技术中的半导体uv切割膜一般收卷在滚筒上，但滚筒两端缺少防护结构，导致收卷后的uv切割膜两端易落灰，影响切割膜的粘性，同时半导体uv切割膜不具有较好的防护能力，影响半导体uv切割膜的存储，因此，亟需设计一种半导体uv切割膜及其加工工艺。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种半导体uv切割膜及其加工工艺，以解决现有技术中的上述不足之处。

2、为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

3、一种半导体uv切割膜，包括膜组件，所述膜组件包括卷筒与卷带，所述卷带缠绕在卷筒侧面外壁上，所述卷带包括基层一，所述基层一顶部外壁上粘接有基层二，且基层二顶部外壁上粘接有胶粘层，所述胶粘层顶部外壁上粘接有离型膜，且离型膜顶部外壁上粘接有防护膜，所述基层一底部外壁上放置有保护膜。

4、进一步地，所述卷筒包括连接筒与两个端盖，两个所述端盖分别套结在连接筒两端。

5、进一步地，所述端盖一侧外壁上开设有滑槽，且滑槽内部通过螺栓安装有等距离呈环形结构分布的弹簧，所述端盖侧面外壁靠近一端处一体成型有挡板。

6、进一步地，所述连接筒两端均一体成型有插接在滑槽内部的插板，且插板通过螺栓与弹簧呈固定连接。

7、一种半导体uv切割膜加工工艺，包括以下步骤：

8、s1.材料处理：

9、s1.1.基材处理：首先，选取合适的基材材料，而后再通过切割设备对基材进行切割，从而得到合适基层一、基层二，之后再通过粘合剂将基层一与基层二粘合在一起，从而得到合适的基材；

10、s1.2.粘料制备：根据产品需求，选择合适的原料，而后再将一部分原料倒入研磨机中进行研磨处理，之后再将研磨好的原料及其余原料倒入搅拌设备中进行搅拌混合处理，同时在加热，从而得到粘料组合物；

11、s2.涂布烘干：将上述制备的粘料组合物倒入喷雾设备中，而后将s1.1中得到的基材缠绕在收卷设备中，并使得基材穿过喷雾设备与烘干箱，之后启动收卷设备，使得收卷设备开始收卷基材，同时喷雾设备会将s1.2得到的粘料组合物以喷雾的形式喷在基材上，之后随着收卷设备的收卷，喷有粘料组合物的基材会进入烘干箱中，而后烘干箱会对基材进行烘干处理，从而得到合适的基材；

12、s3.切除边角：在上述基材被收卷设备收卷时，收卷设备可以对基材的边缘进行裁切处理，得到边缘规则、无粘度的基材；

13、s4.粘合薄膜：同时在s2中收卷设备收卷时，收卷设备会将离型膜、防护膜依次粘接在基材上方，同时收卷设备会将保护膜粘接在基材底部，从而得到收卷好的卷带；

14、s5.检测入库：在收卷设备收卷时，收卷设备可以对收卷的卷带进行检测，判断基材表面是否有缺陷产生，而后检测结束后，将收卷好卷带送入仓库进行存储。

15、进一步地，所述s1.1中基材材料为pvc材质、po膜、pet膜及qfn膜中的一种或者多种。

16、进一步地，所述s1.2中原料为100-120份丙烯酸压敏胶、0.05-0.1份引发剂、30-50份多异氰酸酯、80-120份溶剂、20-40份uv树脂固化剂、8-12份抗菌剂及20-30份纳米级石墨颗粒。

17、进一步地，所述s2中收卷设备包括收卷结构、分切结构、粘合机结构及视觉检测结构。

18、进一步地，所述s2中喷雾设备通过超声喷雾的方式将粘料组合物喷涂在基层一10、基层二11构成的基材一面。

19、进一步地，所述s2中烘干箱烘干时温度为80-120℃，烘干5-10min。

20、在上述技术方案中，本发明提供的一种半导体uv切割膜及其加工工艺，（1）本发明所设计的卷筒，在使用该卷筒收卷卷带时，卷筒两端的端盖可以盖住收卷好的卷带两端，避免灰尘落在卷带两端影响卷带两端处的粘性，而且卷筒可以调节，可以对不同宽度的卷带进行收卷处理；（2）本发明所设计的保护膜、防护膜，保护膜由防紫外线材料制成，且防护膜由防静电材料制成，使得在存储收卷好的卷带时，保护膜、防护膜可以提高卷带的存储时间；（3）本发明所设计的加工工艺工艺简单，生产步骤少，可以提高卷带生产的效率，同时以喷雾的方式将粘料喷涂在基材上可以实现粘料组合物的分布均匀的效果，提高该半导体uv切割膜的质量。

技术特征：

1.一种半导体uv切割膜，包括膜组件（1），其特征在于：所述膜组件（1）包括卷筒（2）与卷带（3），所述卷带（3）缠绕在卷筒（2）侧面外壁上，所述卷带（3）包括基层一（10），所述基层一（10）顶部外壁上粘接有基层二（11），且基层二（11）顶部外壁上粘接有胶粘层（13），所述胶粘层（13）顶部外壁上粘接有离型膜（14），且离型膜（14）顶部外壁上粘接有防护膜（15），所述基层一（10）底部外壁上放置有保护膜（12）。

2.根据权利要求1所述的一种半导体uv切割膜，其特征在于，所述卷筒（2）包括连接筒（5）与两个端盖（4），两个所述端盖（4）分别套结在连接筒（5）两端。

3.根据权利要求2所述的一种半导体uv切割膜，其特征在于，所述端盖（4）一侧外壁上开设有滑槽（6），且滑槽（6）内部通过螺栓安装有等距离呈环形结构分布的弹簧（7），所述端盖（4）侧面外壁靠近一端处一体成型有挡板（9）。

4.根据权利要求3所述的一种半导体uv切割膜，其特征在于，所述连接筒（5）两端均一体成型有插接在滑槽（6）内部的插板（8），且插板（8）通过螺栓与弹簧（7）呈固定连接。

5.一种半导体uv切割膜加工工艺，包括权利要求1-4任一项所述的一种半导体uv切割膜，其特征在于：包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的一种半导体uv切割膜加工工艺，其特征在于，所述s1.1中基材材料为pvc材质、po膜、pet膜及qfn膜中的一种或者多种。

7.根据权利要求5所述的一种半导体uv切割膜加工工艺，其特征在于，所述s1.2中原料为100-120份丙烯酸压敏胶、0.05-0.1份引发剂、30-50份多异氰酸酯、80-120份溶剂、20-40份uv树脂固化剂、8-12份抗菌剂及20-30份纳米级石墨颗粒。

8.根据权利要求5所述的一种半导体uv切割膜加工工艺，其特征在于，所述s2中收卷设备包括收卷结构、分切结构、粘合机结构及视觉检测结构。

9.根据权利要求5所述的一种半导体uv切割膜加工工艺，其特征在于，所述s2中喷雾设备通过超声喷雾的方式将粘料组合物喷涂在基层一（10）、基层二（11）构成的基材一面。

10.根据权利要求5所述的一种半导体uv切割膜加工工艺，其特征在于，所述s2中烘干箱烘干时温度为80-120℃，烘干5-10min。

技术总结
本发明公开了一种半导体UV切割膜及其加工工艺，包括膜组件，膜组件包括卷筒与卷带，卷带缠绕在卷筒侧面外壁上，卷带包括基层一，基层一顶部外壁上粘接有基层二，且基层二顶部外壁上粘接有胶粘层，胶粘层顶部外壁上粘接有离型膜，且离型膜顶部外壁上粘接有防护膜，基层一底部外壁上放置有保护膜。本发明所设计的卷筒，在使用该卷筒收卷卷带时，卷筒两端的端盖可以盖住收卷好的卷带两端，避免灰尘落在卷带两端影响卷带两端处的粘性，而且卷筒可以调节，可以对不同宽度的卷带进行收卷处理，且保护膜由防紫外线材料制成，且防护膜由防静电材料制成，使得在存储收卷好的卷带时，保护膜、防护膜可以提高卷带的存储时间。

技术研发人员：顾良华
受保护的技术使用者：苏州恒悦新材料股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12