一种防静电芯片专用保护膜及其制备方法与流程

本发明属于保护膜，尤其涉及一种防静电芯片专用保护膜及其制备方法。

背景技术：

1、随着当前技术的发展，电子产品在人们生活中发挥着越来越重要的角色，其中电子芯片尤为重要，为了对电子产品进行保护，在加工过程中需要用到保护膜。

2、目前这类保护膜大多来自国外，国产的产品存在以下几个技术问题而不能替代进口产品，主要问题是：1、粘性过低或过高，以至于在使用过程中发生翘曲甚至脱落，或是在去除时产生残胶；2、基材太硬或太软，以至于容易翘边，或是拉断；3、抗静电效果不好，影响自动连续生产。因此，开发或研制一种粘性适中、易于去除，抗静电效果好的保护膜，具有重要的经济效益和社会效益。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的在于提供一种防静电芯片专用保护膜，旨在解决上述背景技术中提出的问题。

2、本发明实施例是这样实现的，一种防静电芯片专用保护膜，包括基材层，所述基材层的下表面依次附着有pu胶涂层和离型膜；

3、其中，所述pu胶涂层包括以下重量百分比的原料：丙烯酸酯86％-92％、抗静电阻隔剂0.5％-1％、改性剂2％-8％、固化剂0.4％-0.8％。

4、优选地，所述丙烯酸酯为丙烯酸酯橡胶。

5、优选地，所述pu胶涂层还包括添加剂，所述添加剂为乙酸乙酯或丁酮，所述添加剂的添加量为丙烯酸酯、抗静电阻隔剂、改性剂、固化剂总质量的15％-50％。

6、优选地，所述基材层为采用防静电处理后的pet光学基材膜。

7、优选地，所述离型膜为双面防静电离型膜。

8、优选地，所述保护膜的厚度为218±10um，其中，基材层的厚度为188±5um，所述pu胶涂层的厚度为5±2um，所述离型膜的厚度为25±3um。

9、本发明实施例的另一目的在于提供一种防静电芯片专用保护膜的制备方法，包括以下步骤：

10、(1)制备pu胶涂层：称量丙烯酸酯、抗静电阻隔剂、改性剂、固化剂、添加剂，在常温下混合、搅拌，进行聚合反应，反应结束后，静置排除气泡或真空排泡，得到所述pu胶涂层；

11、(2)制备保护膜：准备基材层，在基材层的下表面依次附着步骤(1)制备得到的pu胶涂层和离型膜，即可。

12、优选地，步骤(1)中，所述常温为20-26℃，所述搅拌的转速为200-500rpm，所述聚合反应的时间为0.5-1h。

13、本发明实施例提供的一种防静电芯片专用保护膜，采用了进行防静电处理的基材层，有效的减少了在移动或摩擦时所产生的静电等等，减少了材料的浪费，制备得到的保护膜粘性适中，容易移除且不残胶，抗静电效果优异，能满足电子产品中对芯片的固定及保护作用，具有重要的经济效益和社会效益。

技术特征：

1.一种防静电芯片专用保护膜，其特征在于，包括基材层，所述基材层的下表面依次附着有pu胶涂层和离型膜；

2.根据权利要求1所述的防静电芯片专用保护膜，其特征在于，所述丙烯酸酯为丙烯酸酯橡胶。

3.根据权利要求1所述的防静电芯片专用保护膜，其特征在于，所述pu胶涂层还包括添加剂，所述添加剂为乙酸乙酯或丁酮，所述添加剂的添加量为丙烯酸酯、抗静电阻隔剂、改性剂、固化剂总质量的15％-50％。

4.根据权利要求1所述的防静电芯片专用保护膜，其特征在于，所述基材层为采用防静电处理后的pet光学基材膜。

5.根据权利要求1所述的防静电芯片专用保护膜，其特征在于，所述离型膜为双面防静电离型膜。

6.根据权利要求1所述的防静电芯片专用保护膜，其特征在于，所述保护膜的厚度为218±10um，其中，基材层的厚度为188±5um，所述pu胶涂层的厚度为5±2um，所述离型膜的厚度为25±3um。

7.一种如权利要求1-6任一所述的防静电芯片专用保护膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的防静电芯片专用保护膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述常温为20-26℃，所述搅拌的转速为200-500rpm，所述聚合反应的时间为0.5-1h。

技术总结
本发明适用于保护膜技术领域，提供了一种防静电芯片专用保护膜，包括基材层，所述基材层的下表面依次附着有PU胶涂层和离型膜；其中，所述PU胶涂层包括以下重量百分比的原料：丙烯酸酯86％‑92％、抗静电阻隔剂0.5％‑1％、改性剂2％‑8％、固化剂0.4％‑0.8％。本发明还提供一种防静电芯片专用保护膜的制备方法，包括以下步骤：制备PU胶涂层；制备保护膜。本发明采用了进行防静电处理的基材层，有效的减少了在移动或摩擦时所产生的静电等等，减少了材料的浪费，制备得到的保护膜粘性适中，容易移除且不残胶，抗静电效果优异，能满足电子产品中对芯片的固定及保护作用，具有重要的经济效益和社会效益。

技术研发人员：洪立志
受保护的技术使用者：东莞市航达电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15