一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层及其制备方法与流程

文档序号:37124376发布日期:2024-02-22 21:34阅读:26来源:国知局
一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层及其制备方法与流程

本发明涉及电磁屏蔽涂层,具体涉及一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层及其制备方法。


背景技术:

1、磁屏蔽膜是一种能够阻挡电磁波穿透、防止电磁辐射、保护电子元件、抗电磁干扰的透光屏蔽材料,近年来随着电子产品的不断发展,对电磁屏蔽膜的要求也不断提升。印刷线路板是现代电子产品中不可或缺的材料,其被广泛应用于计算机、电器、通讯设备等电子产品中,随着人们对电子产品需求的不断增长,对于印刷电路板的需求也不断增长。在柔性线路板的加工过程中,需要大量地使用电磁屏蔽膜,此时需要使用压合等工序,将电磁屏蔽膜贴覆在线路板上,形成具有fpc特性与pcb特性的线路板,而其在使用的环境中,容易受到周围环境因素的侵蚀,如高温侵蚀以及酸碱侵蚀等,因此需要提供一种具有良好的耐腐蚀性和可分离性的电磁屏蔽涂层及其制备方法。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层及其制备方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

3、一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层,包括以下重量份组分:

4、树脂基体35-55份,溶剂40-80份,屏蔽填料5-10份,改性剂3-10份,硅油3-5份,分散剂1-5份,固化剂1-5份。

5、优选的,包括以下重量份组分:

6、树脂基体40-50份,溶剂50-70份,屏蔽填料6-10份,改性剂5-10份,硅油4-5份,分散剂2-5份,固化剂3-5份。

7、优选的,包括以下重量份组分:

8、树脂基体45份,溶剂60份,屏蔽填料7份,改性剂5份,硅油4份,分散剂3份,固化剂3份。

9、优选的,所述屏蔽填料选自铁粉,铁氧体以及镍粉中的一种,且屏蔽填料的粒径在20-50nm之间。

10、优选的,所述改性剂的制备包括以下步骤:

11、首先使用质量比为1:1的5%wt碳酸氢铵溶液与6%wt氢氧化钠溶液的混合液对碳纤维进行表面处理;接着将经表面处理的碳纤维置于铜电镀槽中进行表面镀铜处理,接着使用去离子水对镀铜碳纤维进行清洗,再将其烘干;最后将烘干的镀铜碳纤维置于镍电镀槽中进行表面镀镍处理,最后使用去离子水对镀镍碳纤维进行清洗,清洗完成后烘干,制得成品。

12、优选的,所述镍电镀槽中镀镍液ph为9.5,电镀温度为50℃,电流密度为0.4a/dm2。

13、一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层的制备方法,包括以下步骤:

14、按比例将树脂基体,溶剂、屏蔽填料,改性剂,硅油以及分散剂混合后搅拌均匀,然后加入过滤得到混合树脂;将所述混合树脂与固化剂混合均匀得到胶体,将所述胶体涂覆于膜的表面后烘干得到涂层;将涂层与屏蔽层复合得到电磁屏蔽膜。

15、与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:

16、本发明通过设置的树脂基体,溶剂,屏蔽填料,改性剂,硅油,分散剂,固化剂;能够使各组分充分分散并混合均匀,随后加入固化剂缩合、交联固化,并将得到的胶体均匀涂覆,从而得到耐腐蚀性能好,玻璃强度良好以及适应性好的电磁屏蔽膜涂层。



技术特征:

1.一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层,其特征在于,包括以下重量份组分:

2.根据权利要求1所述的一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层,其特征在于,包括以下重量份组分:

3.根据权利要求2所述的一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层,其特征在于,包括以下重量份组分:

4.根据权利要求1所述的一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层及其制备方法,其特征在于,所述屏蔽填料选自铁粉,铁氧体以及镍粉中的一种,且屏蔽填料的粒径在20-50nm之间。

5.根据权利要求1所述的一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层及其制备方法,其特征在于,所述改性剂的制备包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层及其制备方法,其特征在于,所述镍电镀槽中镀镍液ph为9.5,电镀温度为50℃,电流密度为0.4a/dm2。

7.根据权利要求1所述的一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:


技术总结
本发明公开了一种耐酸碱腐蚀的电磁屏蔽涂层及其制备方法,包括以下重量份组分:树脂基体35‑55份,溶剂40‑80份,屏蔽填料5‑10份,改性剂3‑10份,硅油3‑5份,分散剂1‑5份,固化剂1‑5份;所述屏蔽填料选自铁粉,铁氧体以及镍粉中的一种,且屏蔽填料的粒径在20‑50nm之间。本发明通过设置的树脂基体,溶剂,屏蔽填料,改性剂,硅油,分散剂,固化剂;能够使各组分充分分散并混合均匀,随后加入固化剂缩合、交联固化,并将得到的胶体均匀涂覆,从而得到耐腐蚀性能好,玻璃强度良好以及适应性好的电磁屏蔽膜涂层。

技术研发人员:蔡铁锦,董伟,薛叶娟
受保护的技术使用者:江苏和伟美科技发展有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/21
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