一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂的制作方法

本发明涉及碱刻蚀添加剂，尤其涉及一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂。

背景技术：

1、随着目前我国光伏发电行业的快速发展，单晶硅电池片的需求量日益增大，而在单晶硅电池片的制程中，为了有效的吸收光能，获得更大的光电转换效率，往往会将单晶硅表面进行织构化处理，使硅面表面成凹凸不平的金字塔绒面结构，如此便会明显的减小光的反射，提高硅片对光的吸收，而对于单晶硅电池片，由于单晶硅具有的各向异性，一般采用碱液刻蚀的方式，而传统的碱液刻蚀存在蚀刻不匀、寿命偏低、反射率过高的问题，本发明介绍的一种专门应用在单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，可有效解决这一系列的问题。

2、碱刻蚀添加剂导致单晶硅表面粗糙度增加，会引起晶格缺陷和裂纹，这将直接影响电池片的性能。为此，本申请提出一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂。

技术实现思路

1、本发明的目的是针对背景技术中存在可能导致单晶硅表面粗糙度增加引起晶格缺陷和裂纹的问题，提出一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂。

2、本发明的技术方案：一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，包括以下原料组成：

3、形核主剂3-5％，

4、绒面调节剂1-2％，

5、消泡剂0.1-0.3％，

6、ph值调节剂0.5-2％，

7、韧性剂5-8％，

8、去离子水余量；

9、所述韧性剂包括乙二醇、聚乙二醇和丙酸钙。

10、可选的，所述韧性剂包括以下重量份原料组成：

11、乙二醇1.2份、聚乙二醇0.9份、丙酸钙0.8份。

12、可选的，所述形核主剂为十二烷基苄基二甲基氯化铵。

13、可选的，所述绒面调节剂为葡萄糖酸钠、edta、柠檬酸钠、三聚磷酸钠中的任一种。

14、可选的，所述消泡剂为道康宁有机硅消泡剂3168。

15、可选的，所述ph值调节剂为磷酸三钠。

16、可选的，所述韧性剂制备包括以下方法：

17、取乙二醇、丙酸钙加入恒温密闭超声波反应器搅拌混合30min，然后加入聚乙二醇，封闭超声波反应器，将温度设置为80℃，时间45min，制得韧性剂。

18、可选的，所述碱刻蚀添加剂的配置方法包括以下步骤：

19、步骤一、按配比将葡萄糖酸钠、ph值调节剂投入水中搅拌溶解成液体；

20、步骤二、取乙二醇、丙酸钙加入恒温密闭超声波反应器搅拌混合30min，然后加入聚乙二醇，封闭超声波反应器，将温度设置为80℃，时间45min，制得韧性剂；

21、步骤三、在30-40r/min的转速下将依次按比例将十二烷基苄基二甲基氯化铵、韧性剂和消泡剂3168缓慢添加到上述液体中，添加完后继续搅拌30min，即为成品。

22、可选的，所述步骤一中，采用不锈钢搅拌机进行搅拌，搅拌转速为400rad/min。

23、可选的，包括以下原料组成：

24、形核主剂3％，

25、绒面调节剂1％，

26、消泡剂0.1％，

27、ph值调节剂2％，

28、韧性剂5％，

29、去离子水余量；

30、所述韧性剂包括乙二醇、聚乙二醇和丙酸钙。

31、与现有技术相比，本发明具有如下有益的技术效果：

32、1、本发明的关键点和保护点在于采用十二烷基苄基二甲基氯化铵作为形核主剂，利用其超强的吸附能力，能有效吸附在硅片表面阻碍oh-和硅片的反应，从而形成绒面形成点，随着反应的进行，最终绒面形成点成为绒面金字塔的塔尖，制备出的碱液刻蚀蚀刻均匀，使用寿命长，同时降低单晶硅电池片的反射率，提高单晶硅电池片对光的吸收。

33、2、本发明通过取乙二醇、丙酸钙加入恒温密闭超声波反应器搅拌混合，然后加入聚乙二醇，封闭超声波反应器，制得韧性剂融入碱刻蚀添加剂，使得硅片表面在粗糙度增加的情况下仍然能保证良好的韧性，没有裂纹产生，增加电池片的韧性，保证电池片的性能和使用寿命。

34、综上，本发明制备出的碱液刻蚀蚀刻均匀，使用寿命长，同时降低单晶硅电池片的反射率，提高单晶硅电池片对光的吸收，使得电池表面在粗糙度增加的情况下仍然能保证良好的韧性，避免蚀刻使产生裂纹，增加电池片的韧性，保证电池片的性能和使用寿命。

技术特征：

1.一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，其特征在于，包括以下原料组成：

2.根据权利要求1所述的一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，其特征在于，所述韧性剂包括以下重量份原料组成：

3.根据权利要求1所述的一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，其特征在于，所述形核主剂为十二烷基苄基二甲基氯化铵。

4.根据权利要求1所述的一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，其特征在于，所述绒面调节剂为葡萄糖酸钠、edta、柠檬酸钠、三聚磷酸钠中的任一种。

5.根据权利要求1所述的一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，其特征在于，所述消泡剂为道康宁有机硅消泡剂3168。

6.根据权利要求1所述的一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，其特征在于，所述ph值调节剂为磷酸三钠。

7.根据权利要求1所述的一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，其特征在于，所述韧性剂制备包括以下方法：

8.根据权利要求1所述的一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，其特征在于，所述碱刻蚀添加剂的配置方法包括以下步骤：

9.根据权利要求8所述的一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，其特征在于，所述步骤一中，采用不锈钢搅拌机进行搅拌，搅拌转速为400rad/min。

10.根据权利要求1所述的一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂，其特征在于，包括原料组成：

技术总结
本发明涉及碱刻蚀添加剂技术领域，尤其涉及一种应用于单晶硅电池片表面织构化的碱刻蚀添加剂。其技术方案包括以下原料组成形核主剂3‑5％，绒面调节剂1‑2％，消泡剂0.1‑0.3％，pH值调节剂0.5‑2％，韧性剂5‑8％，去离子水余量。本发明制备出的碱液刻蚀蚀刻均匀，使用寿命长，同时降低单晶硅电池片的反射率，提高单晶硅电池片对光的吸收，使得电池表面在粗糙度增加的情况下仍然能保证良好的韧性，避免蚀刻使产生裂纹，增加电池片的韧性，保证电池片的性能和使用寿命。

技术研发人员：胡丁,罗壮东,李学伟
受保护的技术使用者：广州亦盛环保科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24