一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法及应用

文档序号:37823513发布日期:2024-04-30 17:33阅读:16来源:国知局
一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法及应用

本发明涉及荧光粉,尤其涉及一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法及应用。


背景技术:

1、每年照明的电能消耗占据了全世界用电量的20%,发光二极管(led)因其体积小、能效高、色品质好等优点已成为新一代照明技术。近来新兴的无铅金属卤化物凭借吸收截面大、带隙易调谐、荧光量子产率高、化学稳定性强等特征,在照明和显示领域展现了广阔的应用前景。然而,当前大量的研究都集中在可见光区域,红光-近红外光源的开发在医疗、夜视和光学通讯方面有着巨大的应用需求。

2、稀土离子具有丰富的电子能级和优异的光稳定性,特别是其窄带发射可以涵盖紫外光、可见光及红外光区域,因此,可以将稀土离子掺杂到无铅金属卤化物中来拓展荧光粉的发射范围。但当稀土离子的掺杂量不断提高时,其发光强度总会受到浓度猝灭效应的限制。我们注意到双钙钛矿型金属卤化物中不同八面体间隔排布,非常适合稀土离子高浓度掺杂,有望突破该瓶颈。


技术实现思路

1、本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法及应用。

2、为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:

3、一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法,包括以下步骤:

4、将cscl、nacl、hocl3·6h2o、sbcl3和浓盐酸密封到反应釜中,随后放入鼓风干燥箱内充分反应后,得到反应物;

5、将反应物自然冷却至室温后,将反应物用乙醇洗涤若干次,得到微米晶体,即为所述的钬基红光-近红外荧光粉;

6、所述cscl、nacl、hocl3·6h2o、sbcl3的摩尔比为2:1:(1-x):x;x包括5%、10%、15%、20%。

7、优选的,在鼓风干燥箱内的反应温度为180℃,反应时长为12小时。

8、优选的,所述浓盐酸的浓度为38%。

9、优选的,所述反应物用乙醇洗涤4次。

10、上述的一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法制备所得的荧光粉在led制备中的应用。

11、一种led的制备方法,包括以下步骤:

12、步骤1:将上述制备所得的微米晶体充分研磨,然后与环氧树脂a胶混合并搅拌均匀,得到混合物;

13、步骤2:将步骤1所得的混合物放入真空室中以除去其中的气泡;

14、步骤3:将步骤2所得的混合物涂在365nm芯片上,再将涂抹后的芯片放入真空干燥箱固化,即得所述的led。

15、真空干燥箱内的温度为120℃,固化时长为1小时。

16、本发明的有益效果为:

17、本发明利用双钙钛矿结构中八面体间隔排布的特点和ho3+之间的交叉弛豫现象来克服传统稀土荧光粉的浓度猝灭效应,实现了高效、宽范围且热稳定的红光-近红外光发射;此外,通过sb3+离子的掺杂将荧光粉的激发中心拓展到紫外光区域,避免了其在照明领域造成蓝光危害,并且能进一步提高光品质;最后,将荧光粉与365nm芯片结合制作成led,在医疗光源、夜视、无损检测和光学通讯方面显示出良好的前景。



技术特征:

1.一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法,其特征在于,在鼓风干燥箱内的反应温度为180℃,反应时长为12小时。

3.根据权利要求1所述的一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法,其特征在于,所述浓盐酸的浓度为38%。

4.根据权利要求1所述的一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法,其特征在于,所述反应物用乙醇洗涤4次。

5.如权利要求1-4任一所述的一种钬基红光-近红外荧光粉的制备方法制备所得的荧光粉在led制备中的应用。

6.一种led的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

7.根据权利要求6所述的一种led的制备方法,其特征在于,步骤3中,真空干燥箱内的温度为120℃,固化时长为1小时。


技术总结
本发明涉及荧光粉技术领域,公开了一种钬基红光‑近红外荧光粉的制备方法及应用,所述一种钬基红光‑近红外荧光粉的制备方法,包括以下步骤:将CsCl、NaCl、HoCl<subgt;3</subgt;·6H<subgt;2</subgt;O、SbCl<subgt;3</subgt;和浓盐酸密封到反应釜中,随后放入鼓风干燥箱内充分反应后,得到反应物;将反应物自然冷却至室温后,用乙醇洗涤若干次,得到微米晶体;本发明实现了高效、宽范围且热稳定的红光‑近红外光发射;此外,通过Sb<supgt;3+</supgt;离子的掺杂将荧光粉的激发中心拓展到紫外光区域,避免了其在照明领域造成蓝光危害,并且能进一步提高光品质;最后,将荧光粉与365nm芯片结合制作成LED,在医疗光源、夜视、无损检测和光学通讯方面显示出良好的前景。

技术研发人员:贾陌尘,孙冉冉,李梦瑶,陈旭,史志锋,李新建
受保护的技术使用者:郑州大学
技术研发日:
技术公布日:2024/4/29
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