应用于半导体废气处理的反应腔的制作方法

本技术涉及半导体废气处理，尤其涉及一种应用于半导体废气处理的反应腔。

背景技术：

1、半导体行业在生产过程中持续产生半导体废气，这些废气大多对人体和环境危害严重，因此废气处理装置是该行业生产中不可或缺的组成部分。目前处理半导体废气的工艺有吸附法、吸收法、直接燃烧法、催化燃烧法和冷凝法等。在应用广泛的催化燃烧法中，反应腔是用于半导体废气发生反应的装置，能够加速半导体废气的完全燃烧。

2、当前，应用于半导体废气处理的反应腔占地体积大，对半导体废气的处理效果差。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种应用于半导体废气处理的反应腔，用以解决现有的废气反应腔存在占地体积大，对半导体废气的处理效果差的问题。

2、本实用新型提供一种应用于半导体废气处理的反应腔，包括柱状本体，所述柱状本体设有反应腔室及与所述反应腔室连通的热源安装口、废气导流通道及排气通道；

3、所述热源安装口设于所述柱状本体的第一端，所述废气导流通道设有多个，多个所述废气导流通道沿所述热源安装口的周向设置；

4、所述废气导流通道的进气端设于所述柱状本体的第一端，所述废气导流通道的出气端的延伸方向相对于所述热源安装口的中轴线倾斜设置；

5、所述排气通道的进气端和所述废气导流通道的出气端分设于所述反应腔室的相对侧，所述排气通道的出气端设于所述柱状本体的第二端。

6、根据本实用新型提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述热源安装口沿所述柱状本体的中轴线设置，多个所述废气导流通道沿所述热源安装口的周向均匀排布；

7、其中，多个所述废气导流通道的出气端的延伸方向相交于第一位置，所述第一位置位于所述反应腔室内，并且所述第一位置分布于所述柱状本体的中轴线上。

8、根据本实用新型提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述废气导流通道为废气导流管；和/或，所述废气导流通道沿圆弧轨迹延伸为圆弧通道。

9、根据本实用新型提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述柱状本体还设有多个催化气体入口；

10、多个所述催化气体入口沿所述热源安装口的周向设置，多个所述催化气体入口和多个所述废气导流通道一一相对设置；

11、其中，所述催化气体入口的进气端设于所述柱状本体的第一端，所述催化气体入口的出气端和所述废气导流通道的出气端连通。

12、根据本实用新型提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述排气通道包括渐缩段、喉段和渐扩段；

13、所述渐缩段、所述喉段和所述渐扩段依次连接，所述渐缩段远离所述喉段的一端和所述反应腔室连通，所述渐扩段远离所述喉段的一端设于所述柱状本体的第二端。

14、根据本实用新型提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述排气通道沿所述柱状本体的中轴线延伸，并且所述排气通道相对于所述柱状本体的中轴线呈中心对称设置；

15、其中，所述渐缩段的侧壁相对于所述柱状本体的中轴线的夹角小于所述渐扩段的侧壁相对于所述柱状本体的中轴线的夹角。

16、根据本实用新型提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述柱状本体包括壳体组件和隔热衬套；

17、所述壳体组件和所述隔热衬套同轴设置，所述隔热衬套可拆卸地设于所述壳体组件内；所述热源安装口、所述废气导流通道、所述反应腔室及所述排气通道分别设于所述隔热衬套。

18、根据本实用新型提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述壳体组件包括内壳体和外壳体；

19、所述内壳体设于所述外壳体的内侧，以在所述内壳体和所述外壳体之间形成夹层空间；所述隔热衬套设于所述内壳体中；

20、所述壳体组件的底部设有流体入口，所述壳体组件的顶部设有流体出口，所述流体入口和所述流体出口分别与所述夹层空间连通。

21、根据本实用新型提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述壳体组件还包括第一法兰和第二法兰；

22、所述第一法兰设于所述内壳体的第一端和所述外壳体的第一端之间；所述第二法兰设于所述内壳体的第二端和所述外壳体的第二端之间。

23、根据本实用新型提供的一种应用于半导体废气处理的反应腔，所述壳体组件还包括导流板和托板；

24、所述导流板上设有多个导流口，多个所述导流口和多个所述废气导流通道的进气端一一相对设置；所述导流板抵接于所述隔热衬套的第一端，所述托板抵接于所述隔热衬套的第二端。

25、本实用新型提供的应用于半导体废气处理的反应腔，通过将热源安装口和废气导流通道均设于柱状本体的第一端，可以在柱状本体的第一端进行外部半导体废气引入管道和热源的布设，使得对外部半导体废气引入管道的布设尽可能地紧凑，减小了反应腔所对应的通气结构的占用空间；并且通过将多个废气导流通道沿热源安装口的周向设置，并且使废气导流通道的出气端的延伸方向相对于热源安装口的中轴线倾斜设置，可使得从各个方向朝向反应腔室内通入的半导体废气均倾斜地朝向热源火焰的传播方向聚集，并且半导体废气燃烧后的产物可迅速沿排气通道排布，这种设置结构既确保了半导体废气燃烧的稳定性，又提高了半导体废气的燃烧效率，从而对半导体废气达到较好的处理效果。

技术特征：

1.一种应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述反应腔包括柱状本体，所述柱状本体设有反应腔室及与所述反应腔室连通的热源安装口、废气导流通道及排气通道；

2.根据权利要求1所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述热源安装口沿所述柱状本体的中轴线设置，多个所述废气导流通道沿所述热源安装口的周向均匀排布；

3.根据权利要求1所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述废气导流通道为废气导流管；和/或，所述废气导流通道沿圆弧轨迹延伸为圆弧通道。

4.根据权利要求1所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述柱状本体还设有多个催化气体入口；

5.根据权利要求1所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述排气通道包括渐缩段、喉段和渐扩段；

6.根据权利要求5所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述排气通道沿所述柱状本体的中轴线延伸，并且所述排气通道相对于所述柱状本体的中轴线呈中心对称设置；

7.根据权利要求1至6任一项所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述柱状本体包括壳体组件和隔热衬套；

8.根据权利要求7所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述壳体组件包括内壳体和外壳体；

9.根据权利要求8所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述壳体组件还包括第一法兰和第二法兰；

10.根据权利要求8所述的应用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，所述壳体组件还包括导流板和托板；

技术总结
本技术涉及半导体废气处理技术领域，提供一种应用于半导体废气处理的反应腔，包括：柱状本体，柱状本体设有反应腔室及与反应腔室连通的热源安装口、废气导流通道及排气通道；热源安装口设于柱状本体的第一端，废气导流通道设有多个，多个废气导流通道沿热源安装口的周向设置；废气导流通道的进气端设于柱状本体的第一端，废气导流通道的出气端的延伸方向相对于热源安装口的中轴线倾斜设置；排气通道的进气端和废气导流通道的出气端分设于反应腔室的相对侧，排气通道的出气端设于柱状本体的第二端。本技术不仅可减小反应腔所对应的通气结构的占用空间，而且提升了对半导体废气的处理效果。

技术研发人员：章文军,闫潇,杨春水,张坤,宁腾飞,王继飞,蔡传涛,席涛涛,杨春涛,陈彦岗
受保护的技术使用者：安徽京仪自动化装备技术有限公司
技术研发日：20221208
技术公布日：2024/1/12