本发明属于多晶硅生产,尤其涉及一种用于多晶硅的干燥装置及干燥方法。
背景技术:
1、多晶硅是集成电路产业和光伏产业的基础原材料。目前,制备多晶硅主要利用改良西门子法,该方法是在高温环境下利用三氯氢硅和氢气反应在表面沉积来制备多晶硅棒,然后对多晶硅棒进行破碎后再清洗后制得最终的产品。多晶硅利用清洗液清洗完毕后需要放置于干燥箱中进行干燥。目前,大部分硅块干燥工艺均采用真空干燥法,即将清洗完毕的硅块放置于一个方形或圆形的容器中,利用真空泵提供真空环境降低水的沸点,并将蒸发的水分不断的抽出,从而达到干燥的目的。
2、采用上述所述的方式对硅块进行干燥往往效率不高,例如,20kg的硅块需要5h~10h才能完全干燥,且硅块粒径的越小,干燥时间越长。因此这种干燥方式不仅干燥效率低下,而且因需要加热,干燥的时间越长,能耗也越高。因此提高干燥效率并降低能耗是非常重要的。
技术实现思路
1、鉴于现有技术存在的不足,本发明提供了一种用于多晶硅的干燥装置及干燥方法,以解决现有的多晶硅生产中多晶硅的干燥效率低的问题。
2、为了解决以上问题,本发明首先提供了一种用于多晶硅的干燥装置,所述干燥装置包括:鼓风单元、加热单元和箱体,
3、所述鼓风单元用于将洁净的空气鼓入到加热单元;
4、所述加热单元用于对鼓入的空气进行加热形成热空气并将热空气通入所述箱体;
5、所述箱体用于承载待干燥的多晶硅;
6、其中,所述箱体内部形成中空腔体结构,所述箱体的内壁表面覆盖有防腐蚀的保护层,所述箱体上开设有进风口和出风口,所述出风口(302)连接有负压单元;所述箱体还包括顶部设置的箱盖,所述箱盖使所述箱体呈密封状态。
7、具体地,所述鼓风单元为鼓风机。
8、优选地,所述加热单元包括热电偶和石英管,所述石英管一端连接所述鼓风单元,所述石英管另一端连接所述进风口,所述热电偶用于对所述石英管进行加热。
9、优选地,所述箱体内部设有网格状的承载部件,所述网格状的承载部件远离所述箱体内部底面,所述网格状的承载部件用于承载待干燥的多晶硅。
10、本发明还提供了一种多晶硅的干燥方法,采用上述所述的干燥装置,所述干燥方法包括如下步骤:
11、s10、将待干燥的多晶硅置于箱体中;
12、s20、采用鼓风单元将洁净的空气鼓入到加热单元加热形成热空气;
13、s30、将得到的热空气通入所述箱体中,热空气将待干燥的多晶硅表面的水分汽化,达到干燥多晶硅的目的。
14、优选地,所述热空气的温度为300℃~400℃。
15、优选地,所述步骤s30中所述热空气通入所述箱体后,一部分通过所述出风口排出,一部分通过所述进风口回流到所述加热单元,经所述加热单元加热后再次进入所述箱体,以此循环。
16、本发明实施例提供的一种用于多晶硅的干燥装置及干燥方法,通过设置鼓风单元、加热单元和箱体,将待干燥的多晶硅置于箱体中,然后利用鼓风单元将洁净的空气鼓入到加热单元加热形成热空气,最后将热空气通入所述箱体中,热空气将待干燥的多晶硅表面的水分汽化,达到干燥多晶硅的目的。本发明实施例提供的干燥方法,取消了原有的利用真空泵降低水的沸点并将蒸发的水分不断的抽出的方法,直接通过向多晶硅通入高温度的热空气,让高温度的热空气干燥多晶硅,使用本发明提供的干燥方法,25kg硅块能够在8min内干燥,相比于现有的干燥技术,本发明提供的干燥方法缩短了干燥时间,大大提高了干燥效率,同时所述鼓风单元和所述加热单元耗能低。
1.一种用于多晶硅的干燥装置,其特征在于,所述干燥装置包括:鼓风单元(1)、加热单元(2)和箱体(3),
2.根据权利要求1所述的多晶硅的干燥装置,其特征在于,所述鼓风单元(1)为鼓风机。
3.根据权利要求1所述的多晶硅的干燥装置,其特征在于,所述加热单元(2)包括热电偶(21)和石英管(22),所述石英管(22)一端连接所述鼓风单元(1),所述石英管(22)另一端连接所述进风口(301),所述热电偶(21)用于对所述石英管(22)进行加热。
4.根据权利要求1所述的多晶硅的干燥装置,其特征在于,所述箱体(3)内部设有网格状的承载部件(33),所述网格状的承载部件(33)远离所述箱体(3)内部底面,所述网格状的承载部件(33)用于承载待干燥的多晶硅。
5.一种多晶硅的干燥方法,其特征在于,采用如权利要求1-4任一所述的干燥装置,所述干燥方法包括如下步骤:
6.根据权利要求5所述的多晶硅的干燥方法,其特征在于,所述热空气的温度为300℃~400℃。
7.根据权利要求5所述的多晶硅的干燥方法,其特征在于,所述步骤s30中所述热空气通入所述箱体(3)后,一部分通过所述出风口(302)排出,一部分通过所述进风口(301)回流到所述加热单元(2),经所述加热单元(2)加热后再次进入所述箱体(3),以此循环。