一种高储热密度的分区布置固态储热装置结构的制作方法

文档序号:33644984发布日期:2023-03-29 03:20阅读:20来源:国知局
一种高储热密度的分区布置固态储热装置结构的制作方法

1.本发明涉及的是一种储热装置,具体地说是固态储热装置。


背景技术:

2.在固态储热装置的边储边放过程中,加热单元产生的热量,一部分加热循环风,并通过换热器进行输出,另一部分加热储热体进行存储,二者所占比例与循环风的温度直接相关。由于在储热体内,沿着循环风的流动方向,循环风温度逐渐升高,因而存储在储热体内的热量逐渐增加,导致储热体产生前后温差,导致整个储热体的储热密度降低。为了保证足够的储热量用于供热,需提高储热体的材料用量,导致装置成本增加。


技术实现要素:

3.本发明的目的在于提供降低单储单放区域的温度梯度、提高储热体的储热密度的一种高储热密度的分区布置固态储热装置结构。
4.本发明的目的是这样实现的:
5.本发明一种高储热密度的分区布置固态储热装置结构,其特征是:包括由保温材料组成的储热体、变频风机、换热器,储热体的内部隔成单储单放区和边储边放区,单储单放区设置单储单放区进口和单储单放区出口,边储边放区设置边储边放区进口和边储边放区出口,变频风机通过风机出风口连接三通阀,三通阀还分别连接单储单放区进口和边储边放区进口,换热器通过换热器进风口连接三通,三通还分别连接单储单放区出口和边储边放区出口,换热器通过回风风道连接变频风机。
6.本发明还可以包括:
7.1、在边储边放工况下,变频风机产生的循环风通过风机出风口和三通阀后,仅进入边储边放区进行换热,通过三通和换热器进风口后进入换热器进行放热,通过回风风道进入变频风机,完成循环,单储单放区仅进行加热。
8.2、在放热工况下,三通阀完全打开,变频风机产生的循环风从单处单放区和边储边放区同时通过,使整个储热体的热量全部释放。
9.本发明的优势在于:本发明通过储热体的分区布置,使固态储热装置边储边放的工况下,单储单放区域的储热量不受循环风的影响,降低单储单放区域的温度梯度,提高储热体的储热密度。
附图说明
10.图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
11.下面结合附图举例对本发明做更详细地描述:
12.结合图1,本发明是一种高储热密度的分区布置固态储热装置结构,将由保温材料
4围成的储热体分成边储边放区6和单处单放区5两部分。在边储边放工况下,变频风机1产生的循环风通过风机出风口2和三通阀3后,进入边储边放区6进行换热,通过三通9和换热器进风口10后进入换热器8进行放热,通过回风风道7进入变频风机1,完成循环。
13.在边储边放工况下,三通阀3控制循环风仅流过边储边放区6,此时单处单放区5仅进行加热,不受循环风流动影响,区域受热均匀;在放热工况下,三通阀3完全打开,循环风从单处单放区和边储边放区同时通过,保证整个储热体的热量全部释放。本发明基本消除了单处单放区的温度梯度,提高了整个储热体的储热量,在同等储热量的要求下,可有效降低储热材料用量,降低装置成本。


技术特征:
1.一种高储热密度的分区布置固态储热装置结构,其特征是:包括由保温材料组成的储热体、变频风机、换热器,储热体的内部隔成单储单放区和边储边放区,单储单放区设置单储单放区进口和单储单放区出口,边储边放区设置边储边放区进口和边储边放区出口,变频风机通过风机出风口连接三通阀,三通阀还分别连接单储单放区进口和边储边放区进口,换热器通过换热器进风口连接三通,三通还分别连接单储单放区出口和边储边放区出口,换热器通过回风风道连接变频风机。2.根据权利要求1所述的一种高储热密度的分区布置固态储热装置结构,其特征是:在边储边放工况下,变频风机产生的循环风通过风机出风口和三通阀后,仅进入边储边放区进行换热,通过三通和换热器进风口后进入换热器进行放热,通过回风风道进入变频风机,完成循环,单储单放区仅进行加热。3.根据权利要求1所述的一种高储热密度的分区布置固态储热装置结构,其特征是:在放热工况下,三通阀完全打开,变频风机产生的循环风从单处单放区和边储边放区同时通过,使整个储热体的热量全部释放。

技术总结
本发明的目的在于提供一种高储热密度的分区布置固态储热装置结构,包括由保温材料组成的储热体、变频风机、换热器,储热体的内部隔成单储单放区和边储边放区,单储单放区设置单储单放区进口和单储单放区出口,边储边放区设置边储边放区进口和边储边放区出口,变频风机通过风机出风口连接三通阀,三通阀还分别连接单储单放区进口和边储边放区进口,换热器通过换热器进风口连接三通,三通还分别连接单储单放区出口和边储边放区出口,换热器通过回风风道连接变频风机。本发明通过储热体的分区布置,使固态储热装置边储边放的工况下,单储单放区域的储热量不受循环风的影响,降低单储单放区域的温度梯度,提高储热体的储热密度。提高储热体的储热密度。提高储热体的储热密度。


技术研发人员:刘俊良 刘云亮 朱瑞 赵思聪 沙浩男 王佳典 马兴宇 任天翔 刘长江
受保护的技术使用者:中国船舶重工集团公司第七0三研究所
技术研发日:2022.11.10
技术公布日:2023/3/28
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