一种高频电磁感应加热回转炉的制作方法

文档序号:36522913发布日期:2023-12-29 19:28阅读:42来源:国知局
一种高频电磁感应加热回转炉的制作方法

本技术涉及回转炉,尤其涉及一种高频电磁感应加热回转炉。


背景技术:

1、金属和非金属熔化炉的热源,有传统的煤炭(焦炭、生物质等固体)、柴油(重油等各种油类液体)、天然气(液化气等气体)燃烧加热和电阻丝加热等,其中,物质燃烧方式产生热源的热效率极其低下,并且产生大量的废气废渣,目前已经逐渐淘汰。电阻丝加热方式比较常见,其原理是电流流过电阻丝发热,加热周围介质,如空气或炉体等,由介质传热给需要加热的物件。其缺点是金属电阻丝发热的最高温度不超过1500摄氏度,而且电阻丝不能完全隔离,大量热能散发到周围环境,热损耗大,并且电阻丝在高温状态下容易发生变形且变形后难以修复,导致性能改变。

2、当然,也有利用电磁感应原理进行炉体加热的,例如,工频(50赫兹),中频(150-10000赫兹,一般几百赫兹)的交变电流产生交变磁场,物件在交变磁场中感应产生涡流电流发热。工频感应加热的线圈电流很大,因材料与结构的限制会产生大量的线圈热损耗,必须采用水冷却,导致物件加热速度慢。中频感应加热也有同样的线圈发热损耗的问题,并且会产生中频噪音。


技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种高频电磁感应加热回转炉,可以使得热量快速均匀传递,大大提高炉芯寿命。

2、为实现上述目的,本实用新型提供了一种高频电磁感应加热回转炉,所述高频电磁感应加热回转炉包括炉体、感应发热体、磁回路结构、感应线圈和感应磁场控制模块;

3、所述炉体包括依次且一体连接的进出料连接部、加热部和排气部;

4、所述感应发热体设置在所述加热部的内侧;

5、所述磁回路结构设置在所述加热部的外侧,所述磁回路结构为环形磁场通路;

6、所述感应线圈设置在所述磁回路结构的外侧;

7、所述感应磁场控制模块包括整流桥、绝缘栅双极型晶体管和中央处理器;所述整流桥的输入端与电源连接,输出端与所述绝缘栅双极型晶体管连接;所述绝缘栅双极型晶体管与所述感应线圈和中央处理器分别连接;

8、所述绝缘栅双极型晶体管接收所述中央处理器的控制信号进行通断,从而产生高频交变电流,所述高频交变电流通过所述感应线圈时,产生交变磁场,并在所述磁回路结构中形成磁场回路,进而使得感应发热体感应磁场回路产生的涡流而发热。

9、优选的,所述高频电磁感应加热回转炉还包括保温层;

10、所述保温层设置在所述加热部的内侧,所述保温层具有通孔,所述通孔使得所述感应发热体露出于所述保温层之上。

11、优选的,所述高频电磁感应加热回转炉还包括隔热层;

12、所述隔热层设置在所述感应线圈的外侧。

13、优选的,所述感应线圈采用薄壁紫铜管实现。

14、优选的,所述磁回路结构采用导磁材料叠层结构卷制而成。

15、优选的,所述感应发热体采用高纯石墨或石墨复合材料实现。

16、优选的,所述高频电磁感应加热回转炉还包括排气管;

17、所述排气管与所述排气部连通。

18、本实用新型实施例提供的高频电磁感应加热回转炉,通过整流桥将交流电转换为直流电,再经过中央处理器的控制绝缘栅双极型晶体管的通断,产生高频的交变电流,交变电流通过感应线圈时,产生交变磁场,并且通过环形磁场通路的磁回路结构形成磁场回路,避免磁场向外泄漏,从而使得感应发热体可以瞬间感应由磁场产生的涡流而发热,热量快速均匀传递,大大提高了炉芯的寿命。



技术特征:

1.一种高频电磁感应加热回转炉,其特征在于,所述高频电磁感应加热回转炉包括炉体、感应发热体、磁回路结构、感应线圈和感应磁场控制模块;

2.根据权利要求1所述的高频电磁感应加热回转炉,其特征在于,所述高频电磁感应加热回转炉还包括保温层;

3.根据权利要求1所述的高频电磁感应加热回转炉,其特征在于,所述高频电磁感应加热回转炉还包括隔热层;

4.根据权利要求1所述的高频电磁感应加热回转炉,其特征在于,所述感应线圈采用薄壁紫铜管实现。

5.根据权利要求1所述的高频电磁感应加热回转炉,其特征在于,所述磁回路结构采用导磁材料叠层结构卷制而成。

6.根据权利要求1所述的高频电磁感应加热回转炉,其特征在于,所述感应发热体采用高纯石墨或石墨复合材料实现。

7.根据权利要求1所述的高频电磁感应加热回转炉,其特征在于,所述高频电磁感应加热回转炉还包括排气管;


技术总结
本技术实施例涉及一种高频电磁感应加热回转炉,包括炉体、感应发热体、磁回路结构、感应线圈和感应磁场控制模块;炉体包括依次且一体连接的进出料连接部、加热部和排气部;感应发热体设置在加热部的内侧;磁回路结构设置在加热部的外侧,磁回路结构为环形磁场通路;感应线圈设置在磁回路结构的外侧;感应磁场控制模块包括整流桥、绝缘栅双极型晶体管和中央处理器;整流桥的输入端与电源连接,输出端与绝缘栅双极型晶体管连接;绝缘栅双极型晶体管与感应线圈和中央处理器分别连接。

技术研发人员:蒲逸远,刘柏男,罗飞
受保护的技术使用者:溧阳天目先导电池材料科技有限公司
技术研发日:20230630
技术公布日:2024/1/15
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