一种大尺寸硅单晶生长坩埚的制作方法

本技术涉及坩埚领域，尤其是一种大尺寸硅单晶生长坩埚。

背景技术：

1、坩埚是熔化和精炼金属液体以及固液加热、反应的容器，坩埚一般为瓷制品，规格有10、15、25、50ml等，种类有瓷坩埚、铁坩埚、氧化铝坩埚等，坩埚能耐高温，用来灼烧沉淀、熔化不与坩埚反应的盐类及使结晶水合物脱水等，坩埚用石灰、炭素及其他各种耐火土等为材料制成，坩埚可直接用火焰加热，但需预热；实验中，坩埚必须用坩埚钳夹取，严禁用手接触热的坩埚，以免烫伤；为防止溅出固体或落入杂质，加热时应盖上盖，但当物质受热有大量气体或液体生成时，不可加盖。

2、硅单晶在生产过程中，需要使用坩埚进行加热反应，但是目前的坩埚难以根据需要调节硅单晶生长时坩埚的高度，容易导致硅单晶生长高度出现局限性，不适用于大尺寸硅单晶的生长，影响硅单晶的生产质量，为此，我们提出一种大尺寸硅单晶生长坩埚解决上述问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种大尺寸硅单晶生长坩埚，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种大尺寸硅单晶生长坩埚，包括坩埚外壳，所述坩埚外壳的外表面固定连接有环形支板，所述环形支板的底面固定安装有多个电动推杆，每个所述电动推杆的伸缩端共同固定连接有升降板，所述升降板的上表面固定连接有连接柱，所述连接柱的顶端固定连接有连接板，所述连接板的上表面固定安装有石墨坩埚，所述石墨坩埚的外表面固定连接有电加热器，所述电加热器的外表面固定连接有隔热罩，所述隔热罩的内圈与石墨坩埚的外表面固定连接。

4、在进一步的实施例中，所述石墨坩埚的底面固定连接有多个连接杆，每个所述连接杆的底端均与升降板的上表面固定连接。

5、在进一步的实施例中，所述坩埚外壳的外表面固定连接有连接罩，所述连接罩的顶端固定连接有导流罩。

6、在进一步的实施例中，所述导流罩的外表面固定连接有内螺纹环，所述导流罩的上方设有密封盖。

7、在进一步的实施例中，所述环形支板的外表面固定连接有多个安装板，每个所述安装板的底面均开设有连接孔。

8、在进一步的实施例中，所述电加热器的底端固定连接有两个电极片，所述隔热罩的外表面与坩埚外壳的内壁滑动连接。

9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

10、本装置通过设有的电加热器，可以对石墨坩埚内部的硅单晶原料进行加热，便于对其提拉加工，通过环形支板底部设有的电动推杆，利用电动推杆的伸展运动，同时与升降板和连接柱的配合，可以带动石墨坩埚以及硅单晶原料向下移动，将会增大硅单晶的生长空间，从而能够根据需要调节硅单晶生长时坩埚的高度，避免硅单晶生长高度出现局限性的问题，适用于大尺寸硅单晶的生长，提高硅单晶的生产质量。

技术特征：

1.一种大尺寸硅单晶生长坩埚，其特征在于：包括坩埚外壳(1)，所述坩埚外壳(1)的外表面固定连接有环形支板(2)，所述环形支板(2)的底面固定安装有多个电动推杆(8)，每个所述电动推杆(8)的伸缩端共同固定连接有升降板(16)，所述升降板(16)的上表面固定连接有连接柱(3)，所述连接柱(3)的顶端固定连接有连接板(4)，所述连接板(4)的上表面固定安装有石墨坩埚(5)，所述石墨坩埚(5)的外表面固定连接有电加热器(6)，所述电加热器(6)的外表面固定连接有隔热罩(7)，所述隔热罩(7)的内圈与石墨坩埚(5)的外表面固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅单晶生长坩埚，其特征在于：所述石墨坩埚(5)的底面固定连接有多个连接杆(17)，每个所述连接杆(17)的底端均与升降板(16)的上表面固定连接。

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅单晶生长坩埚，其特征在于：所述坩埚外壳(1)的外表面固定连接有连接罩(10)，所述连接罩(10)的顶端固定连接有导流罩(9)。

4.根据权利要求3所述的一种大尺寸硅单晶生长坩埚，其特征在于：所述导流罩(9)的外表面固定连接有内螺纹环(11)，所述导流罩(9)的上方设有密封盖(12)。

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅单晶生长坩埚，其特征在于：所述环形支板(2)的外表面固定连接有多个安装板(14)，每个所述安装板(14)的底面均开设有连接孔(15)。

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅单晶生长坩埚，其特征在于：所述电加热器(6)的底端固定连接有两个电极片(13)，所述隔热罩(7)的外表面与坩埚外壳(1)的内壁滑动连接。

技术总结
本技术公开了一种大尺寸硅单晶生长坩埚，包括坩埚外壳，所述坩埚外壳的外表面固定连接有环形支板，所述环形支板的底面固定安装有多个电动推杆，每个所述电动推杆的伸缩端共同固定连接有升降板，所述升降板的上表面固定连接有连接柱，所述连接柱的顶端固定连接有连接板，所述连接板的上表面固定安装有石墨坩埚，所述石墨坩埚的外表面固定连接有电加热器，所述电加热器的外表面固定连接有隔热罩，所述隔热罩的内圈与石墨坩埚的外表面固定连接，所述石墨坩埚的底面固定连接有多个连接杆；本装置，能够根据需要调节硅单晶生长时坩埚的高度，避免硅单晶生长高度出现局限性的问题，适用于大尺寸硅单晶的生长，提高硅单晶的生产质量。

技术研发人员：陈志谋
受保护的技术使用者：扬州申威光电器材有限公司
技术研发日：20230808
技术公布日：2024/2/19