输送臭氧化水的方法

专利名称：输送臭氧化水的方法
技术领域：
本发明涉及一种将臭氧化水自一臭氧化水制造装置送至一与该装置有一段距离的使用地点的方法，其目的是(1)抑制臭氧化水因溶解的臭氧自行分解而浓度减低，(2)减少浓度的损失，尤其，本发明涉及一种输送臭氧化水的方法，即使在高纯度超纯水使溶解的臭氧自行分解极为严重的情况下，该方法仍能减少臭氧的损失并高效供应臭氧化水。
背景技术：
臭氧具有强烈氧化力。由于具备这种特性，臭氧常用于城市自来水及游泳池的消毒、食物消毒、纸浆漂白及废水处理。在不同领域内，臭氧的用途不断增加。因当今技术已经发展成可以制造臭氧气体及高澄清度臭氧化水，其用途也已在处理及清洁硅基片和其它半导体材料及液晶板的领域快速扩展。
举例而言，通过将臭氧暴露于无声放电的方法及电解超纯水的方法均可制得臭氧。将由上述方法制得的臭氧溶解于水内可制造臭氧化水。作为将臭氧溶解在水中的方法有使臭氧在水中起泡的方法，用喷射器将臭氧气体与水混合的方法，透过特弗龙(聚氯乙烯型纤维的注册商标)薄膜介质，将臭氧气体溶解于水中的方法，将臭氧气体向前推入逆流，与向下流入填充塔内部的水接触的方法。上述诸方法均早已公开。
臭氧化水内的臭氧通过自行分解转变成氧或以臭氧形态散失在大气中。当将臭氧化水静置时其溶解臭氧的浓度会受到损失甚至转化为普通水。所以，通常先制成高浓度的臭氧化水，随后在使用之前对该臭氧化水的浓度进行调节。
作为调节臭氧化水浓度的方式，所采用的方法是调节臭氧化水制造装置中臭氧气体的产能或调节制造过程中臭氧化水的流速。通过调节臭氧化水制造装置的产能以调节浓度的方法广为业者所采用，因为该方法可最快速最精确地调节浓度。因其是通过降低臭氧化水制造装置的产能来达到调节作用，所以在要达到臭氧化水制造装置最大产能时该方法将遇到困难，该方法在骤然改变浓度时可能遇到困难，因其对臭氧浓度的前缘及后缘产生阻滞效应。通过提高臭氧化水的分解作用以降低浓度达预期标准的方法也可用来调节浓度。但是，就高效利用臭氧化水这点而言，该方法的效率太低，因为臭氧受到极大的损失。依据臭氧化水稀释作用的方法也可使用。因该方法的操作原理非常简单，实际上是用于使用地点的稀释作用。
近年来，因清洁半导体材料所用超纯水的纯度稳定增加，制造高浓度臭氧化水已感困难。表1内所示是不同等级的超纯水。为达到完成总有机碳(以下简称TOC)的标准值，通过由紫外线照射作用所诱导的分解作用将对应于64M等级超纯水的有机物质予以除去。人们认为紫外线照射作用是造成制造高浓度臭氧化水的困难原因。
在这种情况下，已经发展出许多制备高浓度臭氧化水的方法。例如将过氧化氢(亦即一种臭氧分解物质)移除至低于15μg/l的方法(专利文献1)及用还氧催化剂移除臭氧分解物质的方法(专利文献2及专利文献3)。通过降低超纯水的带电率以制备高浓度臭氧化水的方式中已经公开的有一种添加抗静电物质(例如酸性物质)或二氧化碳于超纯水内的方法(专利文献4)，再者，作为一种通过增加TOC浓度以制备高浓度臭氧化水的方式，已经公开的是一种添加TOC成分[例如异丙醇(IPA)或乙酸]直至浓度超过15ppb及不超过250ppb的方法(专利文献5)。
表1 积聚度和水质

附带地，作为在长距离供应臭氧化水期间抑制臭氧化水中臭氧浓度降低的方式，已经公开的是将溶有臭氧的水及未溶的臭氧气体作为气-液混合流体输送，并于使用地点将该流体分开成为气体和液体(专利文献6)。该原理旨在即使在供应过程中液体的臭氧仍然自行分解，因气体内的臭氧再度溶解在液体内，而将臭氧浓度的降低作用加以抑制。
专利文献1日本专利特开2000-15272号公报。
专利文献2日本专利特开2000-308815号公报。
专利文献3日本专利特开2001-44162号公报。
专利文献4日本专利特开2000-262874号公报。
专利文献5日本专利特开2002-85947号公报。
专利文献6日本专利特开2001-291694号公报。

发明内容
在有关移除臭氧分解物质方法的文献1至3内，虽然已知臭氧在含有过氧化氢的溶液内会剧烈地分解，但由紫外线照射所产生的微量过氧化氢对促进臭氧分解的影响程度仍不清楚。再者，由于通过金属钯系统氧化还原催化剂所造成的金属污染仍成为问题。
文献4仅述及“一种经由中空丝介质通过将臭氧气体溶解在超纯水内以制造臭氧化水的方法”，该方法似乎诱导出产生大规模带电作用。通过其研究工作，本发明的多个发明人已确定即使通过其它制造臭氧化水的方法(例如利用填充塔法及似乎对带电作用影响有限的鼓送气泡法)，也不易制得相对于高纯度水的高浓度臭氧化水。所以，可以推断添加作为防静电物质的酸及二氧化碳，并无防止带电的作用而有抑制臭氧分解的作用。但原质超纯水内所加抗生物质所引起的污染作用也成为问题。
在文献5内，因超纯水内加有TOC成分，通过紫外线的照射，该TOC成分已经很麻烦地实施了所需的移除工作，但该TOC成分所造成的污染作用势在难免。也即，最好将超纯水内的杂质移除至最彻底程度，因为清洁加工之后，水表面的清洁度大部分受到待用超纯水水质的影响。同样地，最好将臭氧化水内的杂质移除至最彻底程度。所以，上述的传统技术不适当，因为由于加工及添加物使纯度降低，这些技术会产生不可避免的污染作用。
再者，文献6的方法会产生许多问题，例如(1)主要需要气-液混合单元及气-液分离单元这样的特殊装置而使制造装置太复杂，(2)必需供应超量臭氧气体，及(3)在实施气-液分离期间可能降低臭氧浓度。
当对一臭氧化水制造装置的产能作最大调节而制得臭氧或高浓度臭氧化水时，本发明旨在提供通过稀释臭氧但不分解或逸散以高效输送臭氧化水至使用地点的方法。
尤其本发明旨在提供一种在所溶解的臭氧剧烈自行分解时仍可将用现有超纯水所制的臭氧化水高效地送至使用地点的方法。
当臭氧化水需送至远距离处时，本发明进一步提供一种抑制因分解作用所造成的臭氧化水损失至最低可能程度并高效利用该臭氧化水的方法。
本发明的发明人持续不断地辛勤研究通过溶解臭氧气体在一对应于64M高纯度超纯水内所制的臭氧化水中的臭氧浓度的变化，这些发明人已发现(1)高纯度的超纯水在溶解臭氧时未遇到困难且对臭氧转化为氧具有催化作用，及(2)在特定情况下稀释高浓度臭氧化水时，可在使用地点高效输送具有最佳浓度的臭氧化水，并抑制臭氧的浪费性分解及逸散。本发明已取得很好的成果。
下列(1)至(6)项的方法可解决上述诸问题。
(1)一种将臭氧化水自一臭氧化水制造装置送至使用地点的方法，该方法可为该使用地点提供具有预期浓度的臭氧化水，其特征为在不暴露于环境空气的情况下，在该臭氧化水制造装置附近，于原质臭氧化水内添加稀释水，将臭氧浓度调节至使用地点预期的标准，随后经由管线将该臭氧化水导引至使用地点。
(2)一种将臭氧化水自一臭氧化水制造装置送至一与该装置有一段距离的使用地点的方法，该方法可为该使用地点提供具有预期浓度的臭氧化水，其特征为在不暴露于环境空气的情况下，在该臭氧化水制造装置附近，于原质臭氧化水内添加第一稀释水，以调节臭氧浓度至略高于使用地点附近的预期浓度，随后经由管线将该臭氧化水导引至使用地点附近，并进一步添加第二稀释水，以调节该臭氧浓度至使用地点预期的标准。
(3)如前述第(1)或(2)项的方法，其中在不暴露于环境空气的情况下，于原质臭氧化水内添加稀释水的方法包括在通过封闭管线输送的原质臭氧化水内添加稀释水的方法。
(4)如前述笫(1)、(2)或(3)项的方法，其中该原质臭氧化水是通过将臭氧溶解在超纯水内而制成的且该稀释水是超纯水。
(5)如前述第(1)、(2)、(3)或(4)项的方法，其中该原质臭氧化水和/或稀释水含有臭氧分解抑制剂。
(6)如前述第(5)项的方法，其中该臭氧分解抑制剂是至少一个选自一个族群的成员，该族群包括二氧化碳气体、酸性物质及有机物质。
本发明可在使用地点将臭氧化水加以高效利用并对不经济的臭氧分解作用加以抑制。再者，因该方法具备稀释高浓度臭氧化水的能力，臭氧化水制造装置的产能调节作用可加以充分利用。更进一步，因高浓度臭氧化水已经稀释，输送臭氧化水所化费的时间可以缩短。
本发明主要涉及一种输送臭氧化水的方法，将臭氧化水自臭氧化水制造装置送至使用地点并可将具有目标浓度的臭氧化水供应至该使用地点，其特征为在不暴露于环境空气的情况下，在该臭氧化水制造装置附近，于原质臭氧化水内添加稀释水，将臭氧浓度调节至使用地点预期的标准，随后经由管线将该臭氧化水导引至使用地点。
为察知原质臭氧化水的稀释效果，本发明的发明人试图在将臭氧化水供应至容积为40l的水槽中历时10min后测量该水槽内的臭氧浓度。更具体一点，臭氧浓度为28ppm的臭氧化水以4l/min的速率送至30cm以外，并于10min后，测试水槽内臭氧化水的臭氧浓度。为作比较，各以2l/min的速率，分别输送臭氧浓度为56ppm的臭氧化水及超纯水至同样距离以外并历经同样时段，再测试水浴内水的臭氧浓度。对这两个测试结果作比较，在前者测试中的臭氧浓度为9ppm及在后者测试中则为5ppm。这一事实清晰地显示用超纯水稀释高浓度臭氧化水可促进臭氧以分解或逸散的形式造成臭氧损失，并可推断超纯水显示对促进高浓度臭氧化水内所含臭氧的分解或逸散效果具有催化作用，虽然该催化作用的机制仍有待解释。基于这些结果，证明高浓度臭氧化水的稀释作用并非有利。
但，当对用高纯度超纯水的稀释作用作进一步持续研究时发现于封闭管线内进行稀释作用可抑制臭氧的损失。在长距离输送臭氧化水期间，由自整个水管长度内寻找一个点(在该处因稀释作用所引起臭氧浓度降低程度最小)的工作显示当具有最高可能臭氧浓度的臭氧化水在臭氧化水制造之后立即加以稀释并随后送至使用地点时臭氧分解作用所造成的损失较将高臭氧浓度的臭氧化水送至使用地点并随后加以稀释时为小。因此，这些结果显示若将臭氧化水送至离开臭氧化水制造装置的使用地点，由于所溶解的臭氧自行分解所造成臭氧化水浓度的减低可加以抑制，浓度损失可以减小，而且臭氧化水可加以高效利用。现将本发明加以详细说明如下。
臭氧化水制造装置仅需能制造臭氧化水即可，而且制造臭氧化水的方法及用以制造臭氧化水的原料均不能特别加以限制。但，本发明的特征为将高浓度的臭氧化水加以稀释，随后将其送至使用地点，而且凡是能用以制造高浓度臭氧化水装置的处所均可利用。同时，包含一稀释臭氧化水的步骤即可减轻由于臭氧分解及逸散所形成的损失，臭氧化水制造装置亦无需对臭氧浓度加以限制。通常，臭氧浓度约为5至200ppm。
当清洗半导体材料所用超纯水的纯度提高时，最新技术也为制造高浓度臭氧化水增添了困难，当用超纯水作为臭氧化水的原料时，本发明的效果极佳。众所周知，尤其在高纯度超纯水内，所溶解的臭氧的自行分解作用甚为剧烈。应用于由溶解臭氧于高纯度超纯水内所形成的臭氧化水时，本发明具有极高效果。所以，若本发明应用于需要使用高纯度臭氧化水的硅基片和其它半导体材料及液晶板的清洁和表面处理加工时，则效率特别高。
本发明所用“使用地点”一词仅需是使用由稀释作用所形成的臭氧化水的地点即可。使用目的与臭氧化水制造装置和使用地点间的距离无关。但，因本发明减轻臭氧化水内所含臭氧损失的效果非常优异，若臭氧化水制造装置与使用地点间的距离很远时，本发明也可显示其效果完全令人满意。通常，臭氧化水制造装置与使用地点间的距离是1至20m。
若将来能实现臭氧中央供应系统，整个地面或整个大楼将供以臭氧化水。在此情况下，可以想见的是，臭氧化水制造装置与使用地点间的距离将超过100m。
本发明预期在臭氧化水制造装置附近将该装置所制原质臭氧化水连同稀释水添加在一起。“臭氧化水制造装置附近”一词是指位于臭氧化水制造装置与使用地点间的一个点，且在从臭氧化水制造装置至使用地点间距离的1/2(但以1/5较佳，且以1/10更佳，尤以1/40最佳)内。通过在原质臭氧化水制造装置一侧随后在使用地点一侧进行稀释，可更高效地防止原质臭氧化水内所含臭氧的损失。进一步，通过在长距离供应初始阶段进行该稀释作用及增加从那以后的流率，可缩短直至使用地点所耗费的时间并减少所溶解的臭氧的分解数量。因当臭氧化水的浓度增加时臭氧化水的分解速率亦会随同增加，就其在供应过程中通过降低臭氧浓度以抑制臭氧分解速率的能力而言，本发明经验证确实有利。
在不暴露于环境空气的情况下，通过添加稀释水于原质臭氧化水内可进行原质臭氧化水的稀释。作为进行添加的方式，可采用一种使原质臭氧化水在一封闭管线内与稀释水混合的方法。该方法的实施是这样完成的(1)将来自原质臭氧化水制造装置所供应的原质臭氧化水导引至管内而不暴露于环境空气，(2)经由一管内所提供的稀释水混合物将稀释水导入管内，及(3)让原质臭氧化水与稀释水相互混合。通过防止原质臭氧化水曝露于环境空气，即使臭氧化水与稀释水混合时，仍可对该溶解臭氧的分解作用加以抑制。
待添加的稀释水量可通过考虑供应臭氧化水至使用地点期间臭氧的损失来决定。若直至使用地点毫无臭氧损失，在臭氧化水制造装置附近稀释后的臭氧化水浓度可在使用地点使用期间设定最佳浓度。在供应过程中若臭氧化水内显示发生α％的损失，该臭氧化水的臭氧浓度仅需较使用地点臭氧化水浓度高(100+α)/100倍而且容许上述的损失。
本发明无需限制仅稀释一次，而是容许实施稀释许多次。若臭氧化水是送至距臭氧化水制造装置一定距离的使用地点而且该使用地点要被供以具有目标浓度的臭氧化水，则第一稀释水在不暴露于环境空气的情况下、在臭氧化水制造装置附近添加在原质臭氧化水内，以调节臭氧浓度至高于使用地点附近目标浓度的标准，之后经由管线将该臭氧化水导至使用地点附近，第二稀释水被添加在臭氧化水内以调节臭氧浓度至使用地点的目标浓度。举例而言，若供应臭氧化水期间出现臭氧损失α％，利用第一稀释水制得臭氧化水，其浓度较浓度为β％的臭氧化水(例如在使用地点的臭氧化水)浓度高(100+α+β)/100倍，随后在使用地点附近，通过添加第二稀释水将臭氧化水调节至实际使用的最佳浓度。因此，调节作用依照以上所述分两个阶段实施。若依照以上所述，分作许多部分实施稀释作用，使用地点的臭氧浓度亦可精准地及方便地加以调节。“臭氧化水制造装置附近”一词是指位于臭氧化水制造装置与使用地点间的一个点，在自臭氧化水制造装置朝使用地点方向距离的1/2(但以1/5较佳，且以1/10更佳，尤以1/40最佳)内。
本发明是利用一管线输送臭氧化水。对管线的材料种类及管线直径不必特别加以限制。为防止臭氧因暴露于环境空气而分解或逸散，管线必需具备适当直径以适于待输送的水量。水管最好具有调节原质臭氧化水及稀释水进给体积及进给速率的机构。若供水过程中流率增加，该项增加将会强化管线内壁及管线接头上臭氧化水的分解。
虽然本发明充分显示的是针对“将臭氧熔解在超纯度水内所形成的臭氧化水”的效果，但该臭氧化水容易发生严重的臭氧分解作用，所以原质臭氧化水或稀释水或两者均可添加臭氧分解抑制剂。作为可用作此目的的臭氧分解抑制剂，可使用二氧化碳气、酸性物质，及有机物质。
若高浓度原质臭氧化水在使用时加以稀释，可提高本发明的效果。但，原则上，经证明该效果与原质臭氧化水的浓度无关。本发明无需限制原质臭氧化水的浓度范围或稀释比率。
本发明输送臭氧化水的方法由于，(1)简单操作而能抑制臭氧的分解作用，可减低臭氧化水的生产成本，(2)可通过远距离供应臭氧化水，及(3)通过降低其分解作用所造成的损失，可将臭氧化水加以充分利用。
所以，本发明输送臭氧化水的方法可有利地应用于耗用大量调节浓度的臭氧化水以制造半导体基片及液晶板的工厂，尤其清洁作业中。此外，为方便使用臭氧化水，实施臭氧化水的中央供应系统会更加重要。该项中央系统的实施需要作长远距离供应。即使在此情况下，本发明的方法仍可高效输送臭氧化水。
本发明输送臭氧化水的方法，不仅可用于半导体工业而且可用于凡需要使用臭氧化水的所有场合。这些场合包括(1)清洁剂级臭氧化水用作食品及医疗器材的消毒及杀菌，及(2)洗涤槽级臭氧化水用作许多领域各种物品的消毒及杀菌。


图1为显示实施例1至3内稀释臭氧化水的位置及测量所溶解的臭氧浓度的位置的示意图。
图2为显示比较例1至3内稀释臭氧化水的位置及测量所溶解的臭氧浓度的位置的示意图。
具体实施例方式
下面参照各实施例对本发明加以说明。
(实施例1)利用图1所示的装置制备臭氧化水。
经由特弗龙(注册商标)管线3(内径1/2英寸)将臭氧化水制造装置6所制原质臭氧化水供应至使用地点10。稀释点1配置在距臭氧化水制造装置6出口0.5m处。在该稀释点1，于封闭管线内、在不曝露于环境空气的情况下，将原质臭氧化水及稀释用的超纯水7加以混合。于距稀释点1更远0.5m处配置一溶解臭氧浓度计2，另于距溶解臭氧浓度计2更远10m处配置一溶解臭氧浓度计4，在溶解臭氧浓度计2和溶解臭氧浓度计4之间，用一内径1/2英寸的特弗龙(注册商标)管线3输送臭氧化水。
作为待供应的原质臭氧化水，使用的是臭氧在超纯水内的溶液，其TOC含量不超过1ppb。该原质臭氧化水的流速固定在2l/min。稀释超纯水时使用三种流速2l/min(稀释至原体积的两倍)，4l/min(稀释至原体积的三倍)，及6l/min(稀释至原体积的四倍)。原质臭氧化水及稀释超纯水均是在25℃固定温度下使用。溶解臭氧浓度是用溶解臭氧浓度计2(前阶段臭氧浓度)及溶解臭氧浓度计4(后阶段臭氧浓度)测量。所测得结果如表2所示。
(比较例1)利用图2所示的装置制备臭氧化水。
经由特弗龙(注册商标)管线3(内径1/2英寸)将臭氧化水制造装置6所制原质臭氧化水供应至使用地点10。一稀释点5是配置在距臭氧化水制造装置6出口10.5m处。在该稀释点5，于封闭管线内，在不暴露于环境空气的情况下，将原质臭氧化水及稀释用的超纯水7加以混合。于距臭氧化水制造装置6出口1m处配置一溶解臭氧浓度计2及另于距上述稀释点5更远0.5m处配置一溶解臭氧浓度计4。
溶解臭氧浓度是依照实施例1的程序用溶解臭氧浓度计2及溶解臭氧浓度计4测量，只是于稀释点5将原质臭氧化水及稀释用的超纯水加以混合。所得结果如表2所示。
表2

表2中的实施例1与比较例1比较显示若无稀释作用，原质臭氧化水的浓度(前阶段臭氧浓度)为46ppm，在使用地点者(后阶段臭氧浓度)两项均降至23ppm。
相反地，在2至4倍原体积的稀释溶液内，在使用地点的臭氧浓度随稀释溶液的位置而变化。在实施例1中，稀释溶液是在臭氧化水制造装置附近制成，所得臭氧浓度较比较例1(其中稀释溶液是在使用地点附近制成)中所得的臭氧浓度高。
(实施例2)臭氧化水的供应是依照实施例1的程序实施，只是所用臭氧化水是通过溶解二氧化碳作为臭氧分解抑制剂在超纯水(通过紫外线照射TOC已降至1ppb)中至PH值4.7而制成。所得结果如表3所示。
(比较例2)
臭氧化水的供应是依照比较例1的程序实施。只是所用臭氧化水是通过溶解二氧化碳作为臭氧分解抑制剂在超纯水(通过紫外线照射TOC已降至1ppb)中至PH值4.7而制成。所得结果如表3所示。
表3

由实施例2与比较例2比较显示若无稀释作用，原质臭氧化水的浓度(前阶段臭氧浓度)为127ppm，在使用地点者(后阶段臭氧浓度)两项均降至116ppm。
相反地，在2至4倍原体积的稀释溶液内，在使用地点的臭氧浓度随稀释溶液的位置而变化。在实施例2中，稀释溶液是在臭氧化水制造装置附近制成，所得臭氧浓度较比较例2(其中稀释溶液是在使用地点附近制成)中所得的臭氧浓度高。
(实施例3)臭氧化水的供应依照实施例1的程序实施，只是所用臭氧化水是通过溶解异丙醇作为臭氧分解抑制剂在超纯水(通过紫外线照射TOC已降至1ppb)中至浓度1.5ppm而制成。所得结果如表4所示。
(比较例3)臭氧化水的供应依照比较例1的程序实施。只是所用臭氧化水是通过溶解异丙醇作为臭氧分解抑制剂在超纯水(通过紫外线照射TOC已降至1ppb)中至浓度1.5ppm而制成。所得结果如表4所示。
表4

由实施例3与比较例3比较显示若无稀释作用，原质臭氧化水的浓度(前阶段臭氧浓度)为141ppm，在使用地点者(后阶段臭氧浓度)两项均降至126ppm。
相反地，在2至4倍原体积的稀释溶液内，在使用地点的臭氧浓度随稀释溶液的位置而变化。在实施例3中，稀释溶液是在臭氧化水制造装置附近制成，所得臭氧浓度较比较例3(其中稀释溶液是在使用地点附近制成)中所得的臭氧浓度高。
工业应用依照本发明输送臭氧化水的方法，若远距离输送臭氧化水并使使用地点被供应的臭氧化水具有调节的浓度，一个简单操作包括制成后立即添加稀释水至臭氧化水内，经由一管线导引所得臭氧化水至使用地点，调节待添加稀释水的量以使臭氧化水在使用地点获得目标浓度，以抑制臭氧的分解，容许远距离输送臭氧化水，降低臭氧化水因分解作用所造成的损失，并使臭氧化水得以有效使用。因此，本发明的方法可减低臭氧化水的制造成本。
所以，本发明输送臭氧化水的方法可有利地应用于耗费大量调节浓度的臭氧化水以制造半导体基片及液晶板的工厂，尤其清洁作业中。
此外，为方便未来使用臭氧化水，实现臭氧化水的中央供应系统会更加重要。该项中央系统的实施需要作远距离供应。即使在此情况下，本发明的方法仍可有利地输送臭氧化水。
举例而言，本发明输送臭氧化水的方法，不仅可用于上述半导体工业而且也可用于所有需要使用臭氧化水的场合。这些场合包括(1)清洁剂级臭氧化水用作食品及医疗器材的消毒及杀菌，(2)洗涤槽级臭氧化水用作许多领域各种物品的消毒及杀菌。
元件编号说明1稀释点2溶解臭氧浓度计3特弗龙(注册商标)管线(1/2英寸内径)4臭氧浓度计5稀释点6臭氧化水制造装置7超纯水10使用地点
权利要求
1.一种将臭氧化水自一臭氧化水制造装置送至使用地点的方法，该方法可为该使用地点供应具有预期的浓度的臭氧化水，其特征为在不暴露在环境空气的情况下，在该臭氧化水制造装置附近，于原质臭氧化水内添加稀释水，将臭氧浓度调节至使用地点预期的标准，随后经由管线将该臭氧化水导引至使用地点。
2.一种将臭氧化水自一臭氧化水制造装置送至与该装置有一段距离的使用地点的方法，该方法可为该使用地点供应具有预期的浓度的臭氧化水，其特征为在不暴露在环境空气的情况下，在该臭氧化水制造装置附近，于原质臭氧化水内添加第一稀释水，以调节臭氧浓度至略高于使用地点附近预期的浓度，随后经由管线将该臭氧化水导引至使用地点附近，并进一步添加第二稀释水，以调节该臭氧浓度至使用地点预期的标准。
3.如权利要求1或2项所述的方法，其中在不暴露于环境空气的情况下，于原质臭氧化水内添加稀释水的方法包括于经由一封闭管线输送的原质臭氧化水内添加稀释水的方法。
4.如权利要求1、2或3项所述的方法，其中该原质臭氧化水是通过将臭氧溶解在超纯水内而制成的且该稀释水是超纯水。
5.如权利要求1，2，3或4项所述的方法，其中该原质臭氧化水和/或稀释水含有臭氧分解抑制剂。
6.如权利要求5项所述的方法，其中该臭氧分解抑制剂是至少一个选自一个族群的成员，该族群包括二氧化碳气体、酸性物质及有机物质。
全文摘要
一种将臭氧化水自臭氧化水制过装置送至与该装置有一段距离的使用地点并对该使用地点供应调节至预期浓度的臭氧化水的方法，其特征为在不暴露于环境空气的情况下，在该臭氧化水制造装置附近，于原质臭氧化水内添加稀释水，将待添加稀释水的量加以调节以使臭氧化水在使用地点具有预期的浓度，随后经由管线将该臭氧化水导引至使用地点。
文档编号C02F1/78GK1636890SQ20041009525
公开日2005年7月13日 申请日期2004年11月22日 优先权日2003年11月26日
发明者榛原照男, 上村贤一, 安达太起夫, 田屋馆利夫 申请人:硅电子股份公司