专利名称：流体的去污染产品及获得方法
技术领域：
本发明涉及流体的去污染产品。本发明还涉及获得这种产品的方法。
背景技术：
通过过滤起作用的水的去污染产品是已知的。例如活性炭、砂和其它多孔体具有非常良好的过滤能力，这是由它们大的内部和外部比表面(使得能够具有大的吸附作用) 所导致的。这些产品的主要缺点由以下的事实造成它们不具有与它们的简单的机械过滤能力相结合的杀菌或者至少抑菌的作用。相反，它们甚至显示为是细菌的理想温床并且不能确保过滤的水的可饮用性。因而它们不能够在水处理过程中省去化学消毒剂(氯、过氧化物等)的添加。还已知由浸有盐形式的银的活性炭构成的水的杀菌处理产品。这些处理产品尤其通过将活性炭浸入银的硝酸盐及其它盐的溶液中而获得。这种类型的产品例如公开于以编号FR 2 585 694公布的专利中。这种产品具有缺陷，因为在处理的水中硝酸盐和银的盐析是不可避免的在所获得的产品中留存的硝酸盐以及根据这种方法添加的银仅通过范德华键类型的弱化学键与多孔体结合。此外，在此文件FR 2 585 694中以及在以编号US 4，407，865公布的专利中，考虑了在具有惰性气氛的容器中利用金属银热金属化活性炭，在该容器中还任选地实施高真空。在此容器中，银被蒸发以能够渗透入炭。这种方法使得能够实现银在炭的孔中的良好扩散，但银与炭差的固着再次导致银在处理的水中的盐析。而且，所获得的产品是更加脆性的并且在水经过后会失去作用。这种应用不能获得稳定的产品并且这种产品的获得在工业上是困难的。更近一些，纳米技术的成果使得可以考虑开发纳米材料或者其组分中至少之一以纳米级存在的材料，这种材料特殊且显著的性能使得其特别适合于尤其在为保护环境或去污染而努力的应用中。在流体尤其是水的处理领域中，不论是在过滤领域中(穿过新一代薄膜的超滤)还是在流体的杀菌或者至少抑菌处理的领域中，或者在通过尤其利用金属纳米颗粒的化学污染物的降解的处理领域中的研究提供了一些进展。例如，Chennai 的 Institut Indien de Technologie IIT(英文为〈〈Indian Institute of Technology)))已经开发了基于纳米颗粒化学的杀虫剂的消除过滤器。这种应用源于以下的观察卤代烃如四氯化碳由于与金和银的纳米颗粒的反应而分解为金属卤化物和无定形碳。但这种过滤器不具有杀菌或抑菌的作用。又例如，其技术已经由香港大学开发的Nano-Fotocide (注册商标)单元将其运行原理建立在以下的基础上在空气或水存在下作为催化剂起作用的二氧化钛对于其表面的活化和低能紫外辐射的作用，以产生羟基自由基，所述羟基自由基氧化某些污染物如细菌和病毒，同时提供作为这些反应所产生的产物的二氧化碳和水。不过要指出，这种产生二氧化碳的反应在这种具有温室效应的气体作为所有旨在降低其排放的关注目标时并不是理
术目的
最后，目前正在进行的研究，尤其是在美国休斯敦的RICE大学进行的研究，涉及双金属纳米颗粒以及它们在紫外辐射的作用下降解地下水中所含杀虫剂和有机香料的能力。此外，在等离子体介质中更好地控制金属原子在多孔体上的注入的当今方法能够提供不再产生金属盐析的产品，这归因于在注入的金属原子和多孔体的比表面之间建立了强化学连接。“强化学连接(lien chimique fort) ”被理解为是指参与由分子内力的作用所产生的化学键(liaison)的任何连接在这种类别中包括共价连接(两个原子之间共有电子云)，离子连接(一个原子的至少一个电子向另一个原子转移)，或者甚至是具有一个或多个电子的更高能级的连接。相反，弱化学连接由分子间力的作用产生，换言之由原子、分子或晶体之间低强度的电相互作用力的作用产生在这种类别中尤其包括范德华类型的连接，在其中原子之间没有任何共用电子。
发明内容
本发明因而更特别地适用于上述类型的产品，其包含一方面是具有内部和外部比表面的多孔体，并且另一方面是覆盖该多孔体的内部和外部比表面的至少一部分的至多纳米级(nan0m6trique)厚度的金属化(m6talliS6e)层，该金属化层包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键与多孔体结合的金属。这种产品公开于以编号EP 0 979 212公布的专利中。这种产品具有多孔体和金属层，该金属层均勻地分布在该多孔体的整个内部和外部比表面上，其中金属的原子通过共价键与多孔体的内部和外部比表面结合。这种产品在用于处理流体如水的应用时其杀菌潜力有效。不过可能希望的是设想一种用于流体的去污染产品，其能够进一步改善这种流体的处理。本发明因而的目标在于流体的去污染产品，其包含一方面是具有内部和外部比表面的多孔体，并且另一方面是覆盖该多孔体的内部和外部比表面的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层，该金属化层包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键与多孔体结合的金属，其特征在于该金属化层还包含通过由分子内力的作用所产生的化学键同样与多孔体结合的硅。看来，通过强键与多孔体结合的金属化层中硅的添加为该产品提供了出乎意料的新性能，尤其是在电磁辐射、向处理的流体的能量传递以及在化学污染物如某些烃及其它杀虫剂的降解过程中能量催化的方面，同时保持其杀菌性能。任选地，至少一部分的硅通过由分子内力的作用所产生的化学键还与金属化层的至少一部分金属结合。还任选地，该多孔体包含含碳(carbonS)组分，并且该金属化层与该多孔体相互作用地包含金属硅化物的碳化物类型的组分，这尤其以大致等于283eV的能级揭示。还任选地，该金属化层还包含下述这样的组分，所述组分包含碳、硅和金属的原子，它们之间通过共价键类型的化学键结合。还任选地，该多孔体包含由碳粉、石墨、活性炭、砂和沸石构成的组中的成员的至少之一。还任选地，该金属包括至少一种原子质量大于或等于铜的原子质量的重金属。还任选地，该金属化层通过聚集体(agdgats)的形成部分地覆盖该多孔体的内部和外部比表面。本发明的目标还在于流体的去污染产品的获得方法，包括具有内部和外部比表面的多孔体的处理步骤，该步骤在具有惰性气体等离子体和射频放电的沉积反应器中通过将该多孔体浸入等离子体中并且将金属注入等离子体中来进行，其特征在于该多孔体的处理步骤还包括在等离子体中注入硅。任选地，该沉积反应器是电功率大致等于IOkW的二极管类型的，与RLC类型的阻抗调谐箱(boited’ accord d’ impedance)耦合，并且在该处理步骤的过程中使等离子体的激发温度达到5000-7000K。还任选地，根据本发明的流体的去污染产品的获得方法还可包括该多孔体的预先的功能化(fonctiormalisation)步骤，该步骤在具有在低压并且尤其是在5_500Pa下喷射的流化床、惰性气体的冷等离子体和感应放电的反应器中进行。
通过参考附图并且仅作为示例提供的以下描述可以更好地理解本发明，在附图中-图1示意性地表示根据本发明的流体的去污染产品的一部分的结构，-图2示意性地表示用于实施获得图1产品的方法的设备的一般结构，并且-图3和4以示意图的形式表示通过包含本发明产品的过滤单元处理或未处理的流体的测量的能级。
具体实施例方式在图1中示意性且部分表示的流体的去污染产品10包含具有内部和外部比表面 14的多孔体12，该表面例如是为多孔体带来大过滤能力的表面。在本发明的优选实施方式中，该多孔体包含含碳组分如碳粒料或碳粉，例如具有平均粒度为0. 5-lmm，薄片或棒形式的石墨，活性炭，活性炭的织物或纤维或者这些组分的组合。它还可包含其它组分，尤其是含硅组分，如砂或沸石。无特别的处理，这种多孔体已经具有过滤效力，但不具有杀菌或抑菌效力。在诸如参考图2将详细描述的那样的处理之后，产品10还包含覆盖该多孔体12 的内部和外部比表面14的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层16。“至多纳米级厚度”被理解为是指不超过几纳米甚至基本上处于小于一纳米的尺寸的厚度。该金属化层包含金属如银，还包含硅。这些组分的Ag和Si原子通过强化学键(也即根据以上给出的定义)，通过由分子内力的作用所产生的化学键与多孔体12结合。金属化层16的银Ag和硅Si的某些原子也可在它们之间通过由分子内力的作用所产生的化学键结合。以非限制性实例形式提供的图1中所示的产品具有借助于银金属化的层，但其它重金属或者重金属的组合(如双金属)，尤其包括金、铜和锌，也是适合的。更一般地，“重金属”被理解为是指原子质量大于或等于铜的原子质量的任何金属。镍也是适合的镍通常被认为是致敏和致癌的，但在产品10中，它将以微少至不具有这些有害作用的量存在。经过如此构成，产品10主要由碳组成并且包含非常少量的硅，以及重金属，优选以非常纯的形式存在。该金属的纯度例如为N6级的，即等于99. 9999%。而且，参考图2将详细描述的这种产品的获得方法使得能够沉积包括非氧化形式的金属(在其中使用银的情况下Ag。的形式)的具有强化学键的金属化层。这种借助于银金属化并且在银、硅和多孔体之间具有强化学键的层通过氧化反应的能量催化作用赋予产品10以杀菌性能，或者至少抑菌性能。通过应用参考图2将详细描述的获得方法，金属化层16有利地与该多孔体12相互作用地包含金属硅化物的碳化物类型的组分，这尤其通过大致等于283eV的能级揭示。 这些具有非常稳定并且因而具有牢固的分子结构的组分的获得表明金属、硅和多孔体(尤其是多孔体的碳元素)之间的化学键是非常强的，尤其强于共价键或离子键。因而，产品10 在流体如水的处理中应用时没有丧失其组成成分的风险，并且没有纳米颗粒盐析的风险， 虽然其金属化层是纳米级厚度的，它非常适合于可饮用化的应用以及其它需要流体纯化的农产品加工行业。金属化层16还可包含下述这样的组分，所述组分包含碳、硅和金属的原子，它们之间通过共价键类型的化学键结合。最后，在一种优选的实施方式中，金属化层16通过聚集体的形成仅部分地覆盖多孔体12的内部和外部比表面14。因此，其中活性位可参与离子交换、吸附和催化反应的多孔体的孔(尤其是微孔)并不是被金属化层16完全堵塞。图2中所示的设备20适用于实施上述产品10的获得方法。该图示只是示意性的， 并没有考虑其比例。该设备包括具有等离子体的第一功能化反应器22，该第一功能化反应器22通过管道26与使用非平衡的等离子体的第二沉积反应器24连接，所述管道26配备有尤其包括阀门28的传输系统。对于这种传输系统和这种阀门28的控制使得第一反应器22的内部的板台30能够向着第二反应器24的内部转移。在每个反应器中，等离子体介质在电极32 之间产生并且置于板台30上的多孔体10被浸于这种等离子体。更具体地，根据产品10的获得方法，在第一功能化步骤100的过程中，多孔体12 被浸于第一反应器22的等离子体中。此反应器22具有在低压下并且优选在5-500Pa的压力下喷射的流化床，具有惰性气体的冷等离子体并且具有感应放电。所采用的惰性气体例如是氩气。在此第一步骤100的过程中，多孔体12被氩离子轰击，这因而首先清除杂质，而且还通过其内部和外部比表面的增加和固着位的产生而提高其活性表面。步骤100的运行参数可以是如下-氩流量可变并且取决于所用材料的类型，-反应器中的压力5-500Pa，-反应器中的温度在冷等离子体介质中的常规温度，-等离子体的激发功率100-400W，例如400W，以及-功能化步骤的持续时间5分钟。在第二沉积步骤102的过程中，多孔体12被浸于第二反应器24的等离子体中，这例如通过打开阀门28和控制传输系统，也即通过使台板30移动穿过管道26来进行。此反应器24是电功率大致等于IOkW的二极管类型的反应器，与RLC类型的阻抗调谐箱耦合，具有惰性气体的热等离子体以及射频放电。所采用的惰性气体例如也是氩气。此沉积反应器 24还包括银源和硅源。银源例如包括一个或多个银丝，或者银板或片，调整其尺寸以便不干扰在反应器24中产生的等离子体介质。硅源例如包括石英块或板，其尺寸和形状也进行选择以不干扰等离子体介质。作为变化形式，硅源可来自于多孔体12本身，如果该多孔体含有硅的话，尤其是当它包含砂或沸石时。例如，该多孔体可由活性炭和沸石的组合构成。该沸石从其复杂结构的角度来看是一种结晶无机聚合物，基于通过氧的离子交换彼此结合的四面体SiO4和AlO4 的四面连接结构的三维系列。在这种组合上实施的功能化步骤100使得能够通过以薄层覆盖而将碳的大孔与沸石的有序微孔结合起来。碳的大孔使得其中活性位可参与离子交换、 吸附和催化反应的沸石的微孔容易进入。在第二步骤102的过程中，在5000-7000K的等离子体温度下，银源和硅源被氩离子轰击，这因而引起在氩等离子体中的银和硅的原子注入到多孔体12的内部和外部比表面的至少一部分上，以形成至多纳米级厚度的金属化层，该金属化层通过形成银的硅化物的碳化物还有组合了碳、银和硅的共价结合的副产物而与多孔体结合。这个层有利地采取不堵塞多孔体12的孔的聚集体的形式，尽管可以调节步骤102的处理参数来获得更为均勻的层。这个步骤102的持续时间是可调节的，但有利地小于5分钟以获得至多纳米级厚度的聚集体形式的金属化层。第二反应器24的电极32之间的空间例如为大约4cm，以便可以在等离子体中建立非常高的电场，由此可以大幅度调节氩离子通量的强度和功能化多孔体12的最佳表面。此第二步骤102还可提高产品10的活性表面，这通过提高其内部和外部比表面而实现。步骤102的运行参数可以是如下-氩流量大约40sccm(cm3/分钟)，-反应器中的压力大约0.OlPa,-反应器中等离子体激发温度5000-7000K，尤其是6000Κ，-等离子体的激发功率1.5kff,-射频放电的频率13.56MHz-自极化电压至少1.2xl05V/m,-沉积步骤的持续时间3分钟，以及-沉积的厚度5-10埃。在这些条件下，获得非常高强度的处于亚稳激发态3P2的氩原子，在与多孔体12接触时赋予强的去激发能量。所注入的物质的速率估计为7. 5μ g/s。所获得的产品10通过光电子光谱测定法X的表征尤其能够揭示在283eV的银的硅化物的碳化物的能量峰，还有其它关于碳、硅和银的键的能量，以及非常少量的不同的其它氧化态，这有利于化学去污染机理和在流体处理中遇到的细菌和病毒的其它氧化。在水处理的情况下试验和分析了在如上所述的结合了活性炭类型的材料的同一方法中功能化的根据本发明获得的产品10。看起来，杀菌处理得到了明确证实，还有化学污染物如某些烃和其它杀虫剂如DDT(即二氯二苯基三氯乙烷)的降解过程的催化。另外观察到，碳化物形式的硅的存在改善了该产品的电性能。试验的实验条件在实验室安装包括第一增稠过滤器和包含处理产品10的第二炭过滤器的过滤单元，以确定其控制一定数目的水中所含人类病原体的能力。该单元的运行通过使用Tamise 的粗水作为水供应源在第III类安全组件中进行。用于该试验的物品更具体地包括以下各项-第III类的密封室，-泵，WatsonMarlow, 800 系列(注册商标)，-增压管，-50 升的 Tamise 的水，-两个50升无菌的Nalgene(注册商标)容器，-第一增稠过滤器(0.2 μ )，-包含产品10的炭过滤器，-琼脂台(BCYE，YEA)。所使用的微生物如下-缺陷假单胞菌(Pseudomonasdiminuta)较小的水生细菌之一，常用来试验过滤器，因为其是渗透到过滤体系中的最可能的生物，-大肠杆菌(Escherichiacoli)粪便污染的特别重要的指示物，-铜绿假单胞菌(Pseudomonasaeruginosa)一种在免疫缺陷病人体内的机会性细菌，-侵肺军团菌血清组 1 庞蒂亚克热(Legionella pneumophiIaserogroup 1 Pontiac)一种引起军团病的细菌致病物，其在建筑物的冷和热水系统中以及在冷却通道中增殖，以及-小隐孢子虫(CryptosporidiumParvum)一种构成水工业的主要问题的寄生原生动物，因为其耐氯，一种最常用的消毒剂。微生物源在37°C培育的琼脂的合适介质上培养一夜，然后被分开地添加到试验用水中，以实现对于每种微生物来说IO2-IOfVml的接种。小隐孢子虫被添加以获得IO4-IO5/ ml的量。使该过滤单元处于回路循环至少三十分钟，以在进行该试验之前调理该单元。包含细菌接种物的水随后以4. 15升/分钟的流量被引入到过滤器中，以确定该过滤单元降低细菌载荷的效力。进行第一过滤器的串联稀释，以确定进入和经过该过滤单元的细菌的有效数目 (菌落形成单元/ml)。过滤的水的样品(100ml)通过过滤浓缩。为了分析军团菌，在BCYE琼脂介质上培养所述样品。在合适的琼脂介质(YEA)上培养缺陷假单胞菌、铜绿假单胞菌和大肠杆菌的样品。每个试验的过滤后的水的样品被保留并且在十五天之后再培养，以确定是否出现再生长(redeveloppement)。将过滤后的水的等分试样(IOml)立即混入IOml的过滤前的水中，并且在5分钟和15天即刻确定可培养的生物的数目。通过使用丙啶和4’ -6’ _ 二脒基-2-苯基吲哚的活体染色确定过滤前和过滤后的水的样品中小隐孢子虫卵母细胞的成活百分数。通过使用荧光显微术的显微检查来获得结^ ο通过荧光标记的隐孢子虫的单克隆抗体的染色来确定水处理前和处理后的样品
中每ml的小隐孢子虫卵母细胞的数目。通过使用荧光显微术计算所存在的卵母细胞的数目。最后，该设备用甲醛熏蒸，并且热水(60°C )在过滤单元的内部经过，以使小隐孢子虫失活。试验结果和讨论所试验的过滤单元除去了所试验的所有细菌物质的大于99.9%。大肠杆菌和侵肺军团菌的数目100%减少并且处理之后没有再发现任何细菌。这在IOOml的过滤后的水被浓缩和被分析是否存在细菌时得到确认。通过使用Tamise的水以4. 15升/分钟的流量使水简单经过该过滤单元，可以显示出，这种过滤单元将水中所含的致病菌的存在量减少大于 99. 9%。过滤后的水的样品被保存15天，并且显示出在过滤的水的样品中没有出现再生长。细菌被添加到过滤后的水中以确定残余杀菌效力。结果显示出，在5分钟内实现 10-20%的减少；不过，在15天之后，观察到大于95%的减少。所述结果因而表明，过滤后的水不能快速控制在此试验中使用的细菌的再污染。原生动物小隐孢子虫特别耐受消毒处理。不过，经过该过滤单元的小隐孢子虫的数目显示降低(大于95%)。还注意到，此试验可显示出包含产品10的过滤单元的去污染性能，还显示出非常独特的性能，该性能是去污染处理的后效现象(Mmanence)。该后效现象可被定义为当一种现象的原因已经消失时这种现象的持续性。在所试验的杀菌处理的情况下，所处理的流体保持(根据实验条件有时是数周)其去污染能力，所述去污染能力确保水的卫生保护而不需添加任何额外的化学产品如氯或其它物质。这种后效现象的研究和表征导致能够确定影响要实施的处理方法的不同参数如穿过过滤单元的水的动能、其矿物载荷等。此外，通过关注在通过过滤单元进行处理之前和之后的水的温度参数，可显示出在处理之后的催化反应的吸热特性，因为具有27°C的环境温度的初始为26°C的粗水再从过滤单元出来时为18°C并且在数小时后保持恒定在19°C，即使是将其露天置于恒定温度下的相同环境介质中，这表明正焓的变化。最后，对产品10的静电现象的观察导致关注电场的动态(dynamique)的研究，所述电场在处理的流体中是非常弱的，所述研究借助于诸如Sonoscope公司销售的 《Bioscope System》(注册商标)的设备来进行。这种其原理基于生物电阻抗的设备能够检测和记录所有生物活性环境共有的电-声场的微小变化。该设备在非声(acoustique) 频的音(audio)频下产生参考信号，该参考信号被用来调节可延伸的电场。此参考信号通过换能(transductrice)电极被传送到待分析的样品。在数字化的过程中在该设备和该样品之间建立参考信号。当材料与介质接触时，它产生扰动，该扰动进而改变该参考信号。
此设备能够显示出通过化学分析不可能检测的微小变化。它因而可以非常快速地使参数的变化可见，其中包括处理的水的质量以及任选的污染的变化。图3借助于示意图示出了对于同样的激发频率(281. 25Hz)和相同的提取流量来说通过产品10处理的水(左边的示意图)与未经处理的该同样的水(右边的示意图)之间的能级的显著差别。此示意图提供了在0-4000HZ的光谱周期的过程中通过响应激发波由相应介质(左边处理的水和右边未处理的水)返回的波的变化。此外，处理的流体感受到产品10的电磁效应以及因此的能量效应，即使当该处理的流体不直接与该产品接触，正如图4的下面光谱所示出的。在此图中，通过产品10处理的水(左边的图)与未经处理但在该包含产品10的过滤单元附近提取的该同样的水(右边的图)之间的能量差要小得多。所观察的静电现象因而得到证实，并且可以显示出所试验的过滤单元对于待处理的流体具有能量增强(dynamisation)的作用，即使是在该流体处于产品10的附近不直接接触时。这些电性能是由于存在金属硅化物的碳化物而产生的。当将不同比例的水引入到细胞培养介质中时并且当测量蛋白质的吸光度时，这种能量增强表现在细胞水平上。实际上，对于培养的成纤维细胞(在培养介质中20-50% )进行了未处理的水和借助产品10处理的同样的水的影响的对比研究。在48小时的处理之后， 在上清液中进行测量。由此可知，借助于产品10处理的水的引入使得能够上升到培养介质的大于50%的比例，而未处理的水只能达到10%而细胞不死亡。由于水的比例的增加使有营养的介质贫化，因而显然利用处理的水显著改善了介质的生物可用性。这还体现为确认了利用处理的水的更好的细胞生长。显然可以看出，根据本发明的去污染产品，尤其是如上描述和试验的产品，在流体如水、空气或其它工业流体的杀菌反应中具有良好的催化能力。正如所进行的试验所示出的，它还具有以下的令人吃惊的性能对于处理过的流体持续数周的杀菌作用的后效现象， 并且改善了处理过的流体的生物可用性，这通过尤其增强其能量来实现。最后，它通过电磁辐射在不直接接触的距离上对流体产生作用。参考图2所描述的这种去污染产品的获得方法还可以足够显著地提高最终产品的比表面，因此改善了其吸附能力并且因此改善了过滤，正如在功能化和沉积步骤100和 102的描述中所指出的。还要指出，本发明并不限于以上所述的实施方式。其它的金属，尤其是除银以外的重金属，可被用于金属化至多纳米级厚度的层。更一般地，对于本领域技术人员来说显然的是，根据以上公开的教导可以对上述实施方式进行各种变化。在以下的权利要求中，所使用的措辞不应被理解为是将权利要求限定到在本说明中所公开的实施方式，而应当理解为包括了本领域技术人员根据以上公开的教导结合公知常识可以预期和表示的权利要求的所有等效形式。
权利要求
1.流体的去污染产品(10)，其包含一方面是具有内部和外部比表面(14)的多孔体 (12)，并且另一方面是覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层(16)，该金属化层(16)包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)与多孔体(12)结合的金属(Ag)，其特征在于该金属化层(16)还包含通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)同样与多孔体(12)结合的硅(Si)。
2.权利要求1的流体的去污染产品，其中至少一部分的硅(Si)通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)还与金属化层(16)的至少一部分金属(Ag)结合。
3.权利要求1或2的流体的去污染产品，其中多孔体(12)包含含碳组分，金属化层(16)与该多孔体相互作用地包含金属硅化物的碳化物类型的组分，这尤其以大致等于 283eV的能级揭示。
4.权利要求3的流体的去污染产品，其中金属化层(16)还包含下述这样的组分所述组分包含碳、硅和金属的原子，它们之间通过共价键类型的化学键结合。
5.权利要求1-4任一项的流体的去污染产品，其中多孔体(12)包含由碳粉、石墨、活性炭、砂和沸石构成的组中的成员的至少之一。
6.权利要求1-5任一项的流体的去污染产品，其中该金属(Ag)包括至少一种原子质量大于或等于铜的原子质量的重金属。
7.权利要求1-6任一项的流体的去污染产品，其中金属化层(16)通过聚集体的形成而部分地覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)。
8.流体的去污染产品(10)的获得方法，包括具有内部和外部比表面(14)的多孔体 (12)的处理步骤(102)，该步骤在具有惰性气体等离子体和射频放电的沉积反应器(24)中通过将该多孔体(12)浸入等离子体中并且将金属(Ag)注入等离子体中来进行，其特征在于该多孔体的处理步骤(102)还包括在等离子体中注入硅(Si)。
9.权利要求8的流体的去污染产品的获得方法，其中沉积反应器(24)是电功率大致等于IOkW的二极管类型的，与RLC类型的阻抗调谐箱耦合，并且在该处理步骤(102)的过程中使等离子体的激发温度达到5000-7000K。
10.权利要求8或9的流体的去污染产品的获得方法，还包括该多孔体(12)的预先的功能化步骤(100)，该步骤在具有在低压并且尤其是在5-500Pa下喷射的流化床、惰性气体的冷等离子体和感应放电的反应器(22)中进行。
全文摘要
本发明涉及流体的去污染产品(10)，其包含一方面是具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)，并且另一方面是覆盖该多孔体(12)的内部和外部比表面(14)的至少一部分的至多纳米级厚度的金属化层(16)。该金属化层(16)包含至少一种通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)与多孔体(12)结合的金属(Ag)。另外，该金属化层(16)包含通过由分子内力的作用所产生的化学键(18)同样与多孔体(12)结合的硅(Si)。本发明还涉及去污染产品(10)的获得方法，包括具有内部和外部比表面(14)的多孔体(12)的处理步骤(102)，该步骤在具有惰性气体等离子体和射频放电的沉积反应器(24)中通过将该多孔体(12)浸入等离子体中并且将金属(Ag)注入等离子体中来进行。多孔体的处理步骤(102)还包括在等离子体中注入硅(Si)。
文档编号C02F9/00GK102482119SQ201080039087
公开日2012年5月30日 申请日期2010年7月13日 优先权日2009年7月13日
发明者塞里尼·迪乌姆 申请人:塞里尼·迪乌姆