内磁处理器的制造方法

文档序号:4859798阅读:239来源:国知局
内磁处理器的制造方法
【专利摘要】一种内磁处理器,包括管体,及多个装设有永磁材料的永磁套筒,管体形成有可使水流沿第一方向经过的管腔,永磁套筒收容于管腔,永磁套筒沿第二方向排布,第一方向与第二方向垂直设置,永磁套筒两端的磁极形成与第一方向垂直的磁场,管体呈方筒状,永磁套筒在第二方向截面呈方形。如此,该管体呈方筒状设置,永磁套筒在第二方向截面呈方形,从而永磁套筒与管体在第二方向形状匹配,管体与永磁套筒之间空隙分布均匀,可使永磁套筒形成的磁场在管体均匀分布,减小了发生漏磁的概率,磁处理效果好。
【专利说明】内磁处理器【技术领域】
[0001]本实用新型涉及流体处理设备【技术领域】,特别是涉及一种内磁处理器。
【背景技术】
[0002]永久磁体能产生超高强磁场,对可流体进行磁化处理,以改善流体。如可对水进行磁处理,在不改变水原有的化学成份条件下,可使水中矿物质的物理结构发生变化,具有除垢、防垢、杀菌、灭藻及防腐蚀等优点。特别是内磁处理器,内磁处理器指的是将永磁磁体安装在管道内,使水与磁力线相切的磁处理器,因处理效果好等优势,应用更加广泛。
[0003]一般地,内磁处理器包括多个装设有永磁材料的套筒和用于放置这些套筒的管道。在使用过程中,水流进入该管道,且水流方向与管道内套筒形成的磁场方向垂直,从而对水进行磁处理。然而,现有的内磁处理器所采用的管道为圆筒状,圆形管道管壁或者中心区域在磁场分布方向产生多余空隙,从而因磁场分布不均匀而存在漏磁的现象,导致磁处理效果差。
实用新型内容
[0004]基于此,有必要针对因存在漏磁的现象,导致磁处理效果差的问题,提供一种内磁处理器。
[0005]一种内磁处理器,包括管体,及多个装设有永磁材料的永磁套筒,所述管体形成有可使水流沿第一方向经过的管腔,所述永磁套筒收容于所述管腔,所述永磁套筒沿第二方向排布,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述永磁套筒两端的磁极形成与第一方向垂直的磁场,所述管体呈方筒状,所述永磁套筒在第二方向截面呈方形。
[0006]在其中一个实施例中,以所述管体第二方向截面中心线为基准,所述永磁套筒对称设置。
[0007]在其中一个实施例中,所述永磁套筒在所述管体第二方向截面排布的行数为2至4,所述永磁套筒在所述管体第二方向截面排布的列数为2至4。
[0008]在其中一个实施例中,所述管体第二方向截面呈正方形。
[0009]在其中一个实施例中,相邻所述永磁套筒的同名磁极的端部相对设置。
[0010]在其中一个实施例中,相邻所述永磁套筒之间的间距不超过5mm。
[0011]在其中一个实施例中,所述管体表面覆设有屏蔽层。
[0012]上述内磁处理器,将多个永磁套筒收容于管体形成的管腔,水流沿第一方向经过管腔,永磁套筒沿第二方向排布,第一方向与第二方向垂直设置,永磁套筒两端的磁极形成与第一方向垂直的磁 场,从而实现对水进行磁处理的目的。该管体呈方筒状设置,永磁套筒在第二方向截面呈方形,从而永磁套筒与管体在第二方向形状匹配,管体与永磁套筒之间空隙分布均匀,可使永磁套筒形成的磁场在管体均匀分布,减小了发生漏磁的概率,磁处理效果好。【专利附图】

【附图说明】
[0013]图1为一实施方式内磁处理器的结构不意图;
[0014]图2为一实施方式内磁处理器的另一视角结构不意图。
【具体实施方式】
[0015]为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进,因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。
[0016]如图1和图2所不,一种内磁处理器,包括管体110,及多个装设有永磁材料的永磁套筒120,管体110形成可使水流沿第一方向经过的管腔,永磁套筒120收容于管腔,永磁套筒120沿第二方向排布,第一方向与第二方向垂直设置,永磁套筒120两端的磁极形成与第一方向垂直的磁场,管体110呈方筒状,永磁套筒120在第二方向截面呈方形。
[0017]永磁套筒120内装设的永磁材料可以为稀土或者其它可产生高强磁场的材料。永磁套筒120两端的磁极分别为N极和S极,每一永磁套筒120形成的磁场为N极流向S极。图1表示管体110沿第一方向的俯视图。图2表示的是管体110沿第一方向的剖面图。
[0018]上述内磁处理器,将多个永磁套筒120收容于管体110形成的管腔,水流沿第一方向经过管腔,永磁套筒120沿第二方向排布,第一方向与第二方向垂直设置,永磁套筒120两端的磁极形成与第一方向垂直的磁场,从而实现对水进行磁处理的目的。该管体110呈方筒状设置,永磁套筒120在第二方向截面呈方形,从而永磁套筒120与管体110在第二方向形状匹配,管体110与永磁套筒120之间空隙分布均匀,可使永磁套筒120形成的磁场在管体110均匀分布,减小了发生漏磁的概率,磁处理效果好。
[0019]请参阅图1,在其中一个实施例中,以管体110第二方向截面中心线为基准,永磁套筒120对称设置。将永磁套筒120对称排布,各永磁套筒120产生的磁场可在管体110分布均匀,保证流经管体110的水流均能受到磁处理,提高磁处理效果。
[0020]在其中一个实施例中,如果永磁套筒120排布的行数和列数太多,难免增加成本。如果永磁套筒120排布的行数和列数太少,难免因产生的磁场强度不够影响磁处理效果。故合理设置永磁套筒120在管体110第二方向截面排布的行数为2至4,合理设置永磁套筒120在管体110第二方向截面排布的列数为2至4。
[0021]具体到如图1所示的实施例中,永磁套筒120在管体110第二方向截面排布的行数和列数均为3。当然永磁套筒120在管体110第二方向截面排布的行数和列数还可为其它数值,也可以实现磁处理的目的,具体根据水流量及放置的永磁套筒120的尺寸等因素而定。
[0022]在其中一个实施例中,管体110第二方向截面呈正方形。如此,管体110在第二方向的截面为正方形,管体110在第二方向的管壁边长均相等,从而永磁套筒120在该正方形截面的排布顺序不受边长限制,进一步减小了发生漏磁的概率,磁处理效果好。
[0023]请参阅图1和图2,在其中一个实施例中,相邻永磁套筒120的同名磁极的端部相对设置。也就是相邻永磁套筒120的N极相对,S极相对设置,以便永磁套筒120产生的磁力更加集中,提高磁处理效果。
[0024]请参阅图1,在其中一个实施例中,如果相邻永磁套筒120之间的间距太小,难免因排布过于紧密导致水流速度慢,影响处理效率。如果相邻永磁套筒120之间的间距太大,难免降低磁场强度。故合理设置相邻永磁套筒120之间的间距不超过5mm。
[0025]在其中一个实施例中,管体110表面覆设有屏蔽层(图未示)。通过设置屏蔽层,可对管体110内产生的磁场起屏蔽作用,防止磁场外漏,保证磁处理效果。需要指出的是,也可不设置屏蔽层,管体110可采用具有屏蔽磁场作用的材料制成,也可实现屏蔽磁场的目的。
[0026]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种内磁处理器,其特征在于,包括管体,及多个装设有永磁材料的永磁套筒,所述管体形成有可使水流沿第一方向经过的管腔,所述永磁套筒收容于所述管腔,所述永磁套筒沿第二方向排布,所述第一方向与所述第二方向垂直设置,所述永磁套筒两端的磁极形成与第一方向垂直的磁场,所述管体呈方筒状,所述永磁套筒在第二方向截面呈方形。
2.根据权利要求1所述的内磁处理器,其特征在于,以所述管体第二方向截面中心线为基准,所述永磁套筒对称设置。
3.根据权利要求2所述的内磁处理器,其特征在于,所述永磁套筒在所述管体第二方向截面排布的行数为2至4,所述永磁套筒在所述管体第二方向截面排布的列数为2至4。
4.根据权利要求3所述的内磁处理器,其特征在于,所述管体第二方向截面呈正方形。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的内磁处理器,其特征在于,相邻所述永磁套筒的同名磁极的端部相对设置。
6.根据权利要求5所述的内磁处理器,其特征在于,相邻所述永磁套筒之间的间距不超过5mmο
7.根据权利要求5所述的内磁处理器,其特征在于,所述管体表面覆设有屏蔽层。
【文档编号】C02F5/00GK203715351SQ201420061941
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年2月11日 优先权日:2014年2月11日
【发明者】廖德华, 阳望平, 谢光彩, 曾维平, 陈向, 何威, 曹湘林, 刘燕玲, 康金箭 申请人:湖南有色科技发展有限公司
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