一种硅片清洗干燥方法与流程

本发明属于硅片生产制造，尤其涉及一种硅片清洗干燥方法。。

背景技术：

1、硅片在加工过程中，其表面会被各种杂质污染，为获得洁净的表面，需要采用多种方法，对硅片进行清洗，实现洁净化。一般每道工序结束之后，都有一次清洗的过程，并且在最终出货前，还有一次最终清洗。多次清洗工序可以保证最终硅片表面的洁净性。

2、现有的清洗方法主要是：利用不同的清洗液对硅片进行清洗，并在每次清洗后均用超纯水进行冲洗，最后将冲洗后的硅片放入烘干箱中进行干燥。采用这种方法进行干燥，硅片表面可能会残留水痕，干燥效果不佳。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种硅片清洗干燥方法，以解决现有硅片的干燥方法效果不佳的问题。

2、为了达到上述目的，本发明的基础方案提供一种硅片清洗干燥方法，包括如下步骤：

3、s1:增设ipa液槽和气体槽：清洗设备包括第一清洗槽、第一冲洗槽、第二清洗槽、第二冲洗槽、第三清洗槽、第三冲洗槽，在所述第三冲洗槽之后增设ipa液槽，ipa液槽上设有液体循环系统；ipa液槽之后设置气体槽，气体槽中通入加热后的氮气，氮气的温度高于ipa的沸点；气体槽中部设有一根连通管，连通管的另一端通入ipa液槽的中部并位于ipa液槽液面的上方；ipa液槽的顶部设有排气管；

4、s2:第一次清洗：通过机械手夹持花篮，将花篮中的硅片放入到第一清洗槽中，对硅片进行第一次清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500-700s；

5、s3: 第二次清洗：将硅片放入到第二清洗槽中进行清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500-700s；

6、s4: 第三次清洗：将硅片放入到第三清洗槽中进行清洗；完成清洗后用超纯水对硅片进行冲洗，冲洗时间为500-700s；

7、s5: ipa液体浸泡：将完成第三次清洗的硅片浸没在ipa液槽的ipa液体中，时间为180s-420s，液体循环系统使ipa液体在ipa液槽中流动起来；

8、s6:初次预干燥：机械手将花篮从ipa液槽中升出液面后，在进入气体槽之前，连通管内通入的加热后的氮气作用于硅片表面，使部分ipa初次挥发并带走部分水分，实现对硅片的初步预干燥；

9、s7: 再次预干燥：将经过初次预干燥的硅片放入气体槽中，利用加热后的氮气对硅片进行再次预干燥，时间为300s-600s；

10、s8: 烘干：将经过预干燥的硅片送入烘干机中，持续烘干一定时间，对硅片进行烘干。

11、可选地，所述s1中，ipa液槽的顶部设有排气管。

12、排气管可将ipa液槽中混杂有ipa气体的氮气顺利排走。

13、可选地，所述s5的ipa液体的温度为40-50℃。

14、温度为40-50℃的ipa液体既能够提升硅片的温度，使之逐步适应升温，又不会导致ipa挥发，尽可能地保留ipa的液体状态。

15、可选地，所述s4中，第三次清洗后的冲洗温度为30-40℃。

16、温度为30-40℃的冲洗液体能够让硅片适应升温的过程，避免硅片进入ipa液槽时因温度提高而产生不良影响。

17、本方案的原理和有益效果在于：本发明在第三冲洗槽之后，增设了ipa液槽和气体槽，增加了对硅片的预干燥环节，先利用ipa液体使硅片逐步适应升温，接着利用气体槽通入的加热后的氮气填充到ipa液槽的中上部，对从ipa液槽中升起的硅片进行进一步的预热，一方面使部分附着在硅片表面的ipa液体实现初步挥发并带走部分水分，完成初次预干燥；另一方面也可提升能源的利用率，减少能源浪费。再通过气体槽中加热后的氮气对硅片表面进行再次预干燥，较大程度地提升了硅片干燥的效果，从而提升硅片的质量，同时也给硅片提供一个适应烘干机温度的过程，使硅片进入烘干机后能快速适应烘干环境。

技术特征：

1.一种硅片清洗干燥方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗干燥方法，其特征在于：所述s1中， ipa液槽的顶部设有排气管。

3.根据权利要求1所述的一种硅片清洗干燥方法，其特征在于：所述s5的ipa液体的温度为40-50℃。

4.根据权利要求1所述的一种硅片清洗干燥方法，其特征在于：所述s4中，第三次清洗后的冲洗温度为30-40℃。

技术总结
本申请涉及硅片生产制造技术领域，公开了一种硅片清洗干燥方法，包括如下步骤：S1:增设IPA液槽和气体槽；S2:第一次清洗；S3:第二次清洗；S4:第三次清洗；S5:IPA液体浸泡：将完成第三次清洗的硅片浸没在IPA液槽的IPA液体中；S6:初次预干燥：利用通入的热氮气作用于硅片表面，使部分IPA初次挥发并带走部分水分，实现对硅片的初步预干燥；S7:再次预干燥：利用加热后的氮气对硅片再次预干燥；S8:烘干。本发明在硅片进入烘干机前增加了对硅片的预干燥环节，利用IPA的挥发来促进硅片表面水分的去除，通过加热后的氮气对硅片表面进行预干燥，较大程度地提升了硅片干燥的效果，从而提升硅片的质量。

技术研发人员：黄燕秋,张俊宝,陈猛
受保护的技术使用者：上海超硅半导体股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14