一种模块化倒极除垢电路的制作方法

1.本实用新型涉及加热除垢电路领域，具体说是一种模块化倒极除垢电路。


背景技术：

2.自来水是一种经过标准化处理得到符合饮用标准的硬水，而水的硬度是由其中的钙镁含量决定的。水触媒技术本质上就是一种以饮用自来水为媒介消杀果蔬、肉类、海鲜等附带的农残、有害物质的净化装置，长期使用这种硬水，会使电解水的阴极出现结垢的现象，这样会影响净化效果以及净化效率。


技术实现要素：

3.本实用新型的发明目的在于克服背景技术中所描述的缺陷，从而实现避免阴极出现结垢的现象，即为了防止水垢沉积在阴极，保持水触媒电极表面的洁净度，使水触媒净化效果处于最优状态，延长水触媒电极使用寿命。
4.为实现上述发明目的，本实用新型的技术方案是：模块化倒极除垢电路，包括两个pmos管q1、q3以及两个nmos管q2、q4，所述pmos管q1、 q3和nmos管q2、q4之间组成h桥电路，pmos管q1、q3的源极连接电源vcc，两个pmos管q1、q3的漏极分别与两个nmos管q2、q4的漏极连接，nmos管q2、q4的源极连接有控制信号cs4和cs3，pmos管q1、q3 分别通过npn三级管q6、q7连接控制信号cs3和cs4。
5.在上述模块化倒极除垢电路中，所述电源vcc上设置有保险丝fs2，对整个电路具有保护的作用。
6.在上述模块化倒极除垢电路中，所所述电源vcc通过电阻r27、r28分别与pmos管q1、q3的栅极连接；电阻r27、r28的电源输出端分别与npn三级管q6、q7的集电极连接，npn三级管q6、q7的发射极接地；npn三级管 q6、q7的基极分别通过电阻r27、r28接地，且npn三级管q6、q7的基极分别通过电阻r25、r26连接控制信号cs3和cs4。
7.在上述模块化倒极除垢电路中，所述nmos管q2、q4的源极接地，nmos 管q2、q4的栅极分别通过电阻r26、r27接地。
8.在上述模块化倒极除垢电路中，所述nmos管q2、q4的栅极分别通过电阻r24、r25连通控制信号cs4和cs3。
9.本实用新型的模块化倒极除垢电路的有益效果：
10.本实用新型的模块化倒极除垢电路通过设置两个pmos管q1、q3以及两个nmos管q2、q4，通过控制pmos管合nmos管导通状态，可以实现输出正负极的更换，即定期地改变电极的极性(即倒极)，即将原来的阳极变为阴极，原来的阴极变为阳极，这样可阻止水垢沉积在阴极，提高净化效果以及净化效率。
附图说明
11.图1是本实用新型的模块化倒极除垢电路的电路图。
具体实施方式
12.下面结合附图并通过具体的实施方式对本实用新型的模块化倒极除垢电路做更加详细的描述。
13.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
14.参见图1，本实施例的模块化倒极除垢电路，包括两个pmos管q1、q3 以及两个nmos管q2、q4以及电源vcc，电源vcc为能量转换模块的输出 (恒定电流的可变功率源)，所述pmos管q1、q3和nmos管q2、q4之间组成h桥电路，pmos管q1、q3的源极连接电源vcc，两个pmos管q1、 q3的漏极分别与两个nmos管q2、q4的漏极连接，mos管漏极之间的连接线为输出线o1和o2。
15.nmos管q2、q4的源极连接有控制信号cs4和cs3，pmos管q1、q3 分别通过npn三级管q6、q7连接控制信号cs3和cs4，控制信号cs3和cs4 分别来源于可编程控制器，可编程控制器可以为plc可编程控制器，该控制器可以直接在市场购买，则cs3和cs4之间的控制逻辑拥有可编程性，两者之间的时间间隔(即h桥的死区时间)拥有可编程性，这样扩大了此电路(h桥) 的适用范围，比如正向工作状态、反向工作状态、正反向交替工作状态，以及正反交替的频率可编程。
16.鉴于cs3和cs4的控制逻辑具有可编程性，则h桥的禁止工作状态完全由可编控制器避免。
17.参见图1，在本实施例中，所述电源vcc上设置有保险丝fs2，保险丝fs2 的阻值可以由实际使用情况来设置，对整个电路具有保护的作用。
18.所述电源vcc通过电阻r27与pmos管q1栅极连接；电阻r27输出端分别与npn三级管q6集电极连接，npn三级管q6发射极接地；npn三级管 q6基极通过电阻r27接地，且npn三级管q6基极通过电阻r25连接控制信号cs3。
19.所述电源vcc通过电阻r28与pmos管q3的栅极连接；电阻r28的电源输出端与npn三级管q7的集电极连接，npn三级管q7的发射极接地；npn 三级管q7的基极通过电阻r28接地，且npn三级管q7的基极通过电阻r26 连接控制信号cs4。
20.所述nmos管q2的源极接地，nmos管q2的栅极通过电阻r26接地。所述nmos管q2的栅极通过电阻r24连通控制信号cs4。所述nmos管q4 的源极接地，nmos管q4的栅极通过电阻r27接地。所述nmos管q4的栅极通过r25连通控制信号cs3。
[0021][0022]
可见通过将将阴极和阳极吊环，为了防止水垢沉积在阴极，定期地改变电极的极性(即倒极)，即将原来的阳极变为阴极，原来的阴极变为阳极，这样可阻止水垢沉积在阴极。
[0023]
而且在使用时，可以用循环空气泵辅助工作，在循环空气泵的作用下，水触媒净化过程阳产生的活性物质，迅速扩散至水槽中，避免了极大部分的活性物质被阴极迅速还原的现象，配以2min的倒极频率(阻止水垢沉积在阴极)，极大地提高了净化效率
[0024]
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中如使用“一个”或者“一”等类似词语也不必然表示数量限制。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
[0025]
上文中参照优选的实施例详细描述了本实用新型的示范性实施方式，然而本领域技术人员可理解的是，在不背离本实用新型理念的前提下，可以对上述具体实施例做出多种变型和改型，且可以对本实用新型提出的各技术特征、结构进行多种组合，而不超出本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种模块化倒极除垢电路，其特征在于：包括两个pmos管q1、q3以及两个nmos管q2、q4，所述pmos管q1、q3和nmos管q2、q4之间组成h桥电路，pmos管q1、q3的源极连接电源vcc，两个pmos管q1、q3的漏极分别与两个nmos管q2、q4的漏极连接，nmos管q2、q4的源极连接有控制信号cs4和cs3，pmos管q1、q3分别通过npn三级管q6、q7连接控制信号cs3和cs4。2.根据权利要求1所述的模块化倒极除垢电路，其特征在于：所述电源vcc上设置有保险丝fs2。3.根据权利要求2所述的模块化倒极除垢电路，其特征在于：所述电源vcc通过电阻r27、r28分别与pmos管q1、q3的栅极连接；电阻r27、r28的电源输出端分别与npn三级管q6、q7的集电极连接，npn三级管q6、q7的发射极接地；npn三级管q6、q7的基极分别通过电阻r27、r28接地，且npn三级管q6、q7的基极分别通过电阻r25、r26连接控制信号cs3和cs4。4.根据权利要求1所述的模块化倒极除垢电路，其特征在于：所述nmos管q2、q4的源极接地，nmos管q2、q4的栅极分别通过电阻r26、r27接地。5.根据权利要求4所述的模块化倒极除垢电路，其特征在于：所述nmos管q2、q4的栅极分别通过电阻r24、r25连通控制信号cs4和cs3。

技术总结
本实用新型涉及加热除垢电路领域，具体说是一种模块化倒极除垢电路，包括两个PMOS管Q1、Q3以及两个NMOS管Q2、Q4，所述PMOS管Q1、Q3和NMOS管Q2、Q4之间组成H桥电路，PMOS管Q1、Q3的源极连接电源VCC，两个PMOS管Q1、Q3的漏极分别与两个NMOS管Q2、Q4的漏极连接，NMOS管Q2、Q4的源极连接有控制信号CS4和CS3，PMOS管Q1、Q3分别通过NPN三级管Q6、Q7连接控制信号CS3和CS4。为了防止水垢沉积在阴极，定期地改变电极的极性（即倒极），即将原来的阳极变为阴极，原来的阴极变为阳极，这样可阻止水垢沉积在阴极，提高净化效果以及净化效率。提高净化效果以及净化效率。提高净化效果以及净化效率。


技术研发人员：任淼泱 闫志强 李金龙 徐鹏 李超超 赫银鹏 冯瑞娜
受保护的技术使用者：禹州市瑞和智能科技有限公司
技术研发日：2022.07.28
技术公布日：2022/12/27