本发明实施例涉及半导体,尤其涉及用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备。
背景技术:
1、用于制造半导体元件的单晶硅棒主要通过切克劳斯基(czochralski)法制造,又或被称之为直拉法。当使用直拉法制造单晶硅棒时,首先将多晶硅作为原料在坩埚中进行熔解,再将籽晶浸入所得的硅熔体中,在转动籽晶及坩埚的同时提拉籽晶,以在籽晶末端依次进行引晶、放肩、转肩、等径及收尾等工艺操作,从而获得单晶硅棒。为了获得良好品质的单晶硅,要求附着在多晶硅原料的表面的杂质量尽可能少。
2、因此,在将多晶硅原料放入坩埚进行熔解之前,需要用试剂对多晶硅原料进行清洗以除去附着于其表面的杂质。
3、在使用试剂对多晶硅进行清洗的过程中,可能会产生大量的热,过量的热会导致清洗效率降低并且会导致清洗后的多晶硅的品质不稳定。
4、鉴于上述情况,在对多晶硅进行清洗的过程中,需要对清洗液的温度进行控制,进而改善清洗的效果,提升清洗的效率。
技术实现思路
1、有鉴于此,本发明实施例期望提供用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备;能够通过调节将流入清洗腔的清洗液的温度和流量中的至少一者控制清洗操作的温度,以使清洗操作在预定的温度范围内进行,改善了清洗效果,提升了清洗效率。
2、本发明实施例的技术方案是这样实现的:
3、第一方面,本发明实施例提供了一种用于供给清洗液的方法,所述方法包括:
4、监测将流入清洗腔的清洗液的第一温度以及流出所述清洗腔的清洗液的第二温度;
5、根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者,以使所述第一温度与所述第二温度的温度差在预定范围内。
6、在一些示例中,所述根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者包括:根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,同时调节或依次调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量。
7、在一些示例中,所述根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度包括:根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,调节对所述将流入清洗腔的清洗液进行冷却的冷却剂的流量。
8、在一些示例中,所述方法还包括:
9、使所述流出所述清洗腔的清洗液重新流入所述清洗腔。
10、第二方面,本发明实施例提出了一种用于供给清洗液的装置,所述装置包括:
11、温度监测模块,所述温度监测模块用于监测将流入清洗腔的清洗液的第一温度以及流出所述清洗腔的清洗液的第二温度;
12、温度控制模块,所述温度控制模块用于根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者,以使所述第一温度与所述第二温度的温度差在预定范围内。
13、在一些示例中,所述温度控制模块设置成根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,同时调节或依次调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量。
14、在一些示例中,所述装置还包括冷却模块,所述冷却模块用于调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度。
15、在一些示例中,所述温度控制模块设置成根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,通过调节通过所述冷却模块的冷却液的流量来调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度。
16、在一些示例中,所述装置还包括回收模块,所述回收模块用于使所述流出所述清洗腔的清洗液重新流入所述清洗腔。
17、第三方面,本发明实施例提供了一种清洗设备,所述清洗设备包括:
18、具有清洗腔的清洗装置;
19、根据第二方面的用于供给清洗液的装置。
20、本发明实施例提出了用于供给清洗液的方法、装置和清洗设备;所述方法包括:根据监测将流入清洗腔的清洗液的温度值以及流出所述清洗腔的清洗液的温度值,调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者,以使将流入清洗腔的清洗液与流出所述清洗腔的清洗液的温度差在预定范围内,进而确保清洗操作能够在预定的温度范围内进行,改善了清洗效果,提升了清洗效率。
1.一种用于供给清洗液的方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量中的至少一者包括:根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,同时调节或依次调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度包括:根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,调节对所述将流入清洗腔的清洗液进行冷却的冷却剂的流量。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
5.一种用于供给清洗液的装置,其特征在于,所述装置包括:
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述温度控制模块设置成根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,同时调节或依次调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度和流量。
7.根据权利要求5或6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括冷却模块,所述冷却模块用于调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述温度控制模块设置成根据所述第一温度和所述第二温度的监测值,通过调节通过所述冷却模块的冷却液的流量来调节所述将流入清洗腔的清洗液的所述第一温度。
9.根据权利要求5或6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括回收模块,所述回收模块用于使所述流出所述清洗腔的清洗液重新流入所述清洗腔。
10.一种清洗设备,其特征在于,所述清洗设备包括: