一种溢胶去除工艺的制作方法

文档序号:37077245发布日期:2024-02-20 21:31阅读:15来源:国知局
一种溢胶去除工艺的制作方法

本发明涉及半导体器件生产,特别涉及一种溢胶去除工艺。


背景技术:

1、以往在半导体器件的芯片封装过程中,如图1到图3所示,当引线框架10上的多个芯片25完成模封后,芯片25由封装体21包覆,而引线框架10上的各引脚22仍通过框架23相互连结,由于芯片模封工序不成熟或模具不良等原因,封装体21上边沿会形成溢胶24a,封装体21下边沿会形成溢胶24b,引脚22的侧面会形成溢胶24c;当这些溢胶太厚时,则无法通过后续冲洗的工序予以清除,造成后续进行各个模封芯片成型时,会不小心将溢胶带到各模封芯片成型完成品的接脚上造成产品污染,进而导致后续各模封芯片上板时产生桥接或假焊现象而使整体良率下降。

2、为了除去溢胶,部分厂商设计了用于刮除溢胶的刀具,这种溢胶刮除刀具可参考中国专利如申请号为200810214632.2公开的一种溢胶去除机构,包含有:一输送装置,用以承载多个模封芯片,并将这些模封芯片输送至输送装置的某一特定位置;及一刀具装置,设置于上述特定位置,用以破坏模封芯片的溢胶与导线架的连结;其特点是:刀具装置进一步包含一上活动件与一下活动件,当模封芯片被输送装置输送至上活动件与下活动件之间,通过上活动件与下活动件的相向运动,使下活动件接触上述溢胶而破坏溢胶与导线架的连结,进而使溢胶与导线架之间形成孔隙,且下活动件与上活动件因相向运动移至位置终点而形成一间隙。

3、上述溢胶去除机构,是采用物理刮除的方式除胶,一方面容易使引脚表面产生刮痕,还容易存在残胶,刮除不干净;另一方面,由于半导体器件的封装体与引脚并不是完整的平面,每次刮胶都需要通过驱动机构驱动刀具,导致整体的溢胶去除效率低。

4、因此,现有技术还有待于改进和发展。


技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种溢胶去除工艺,以解决现有技术采用物理刮除方式除胶导致出现残胶和除胶效率低的问题。

2、一种溢胶去除工艺,包括以下步骤:

3、s1浸泡:将完成塑封的引线框架置于软化液中浸泡,浸泡温度为50~60℃;

4、s2降温:转移至温控箱中,快速降温至15℃以下;

5、s3冲洗:转移至所述溢胶去除装置中,通过65℃以上的高压水冲洗引线框架,将引线框架表面的溢胶除去。

6、具体的,步骤s1中,浸泡时间为60~150min。

7、具体的,步骤s3中,冲洗的水压为40~50mpa。

8、具体的,所述软化液包括以下重量份的组分:单乙醇胺50~80份、乙二胺油酸酯1~7份、磷酸三丁酯3~5份、渗透剂1~5份。

9、具体的,所述渗透剂选自丙酮、无水乙醇、甲苯中的一种。

10、具体的,所述溢胶去除装置包括:

11、输送机构,用于输送引线框架;

12、除胶机构,设于所述输送机构的输送路线上,包括具有若干第一水口的第一水刀模块、具有若干第二水口的第二水刀模块以及具有若干第三水口的第三水刀模块,所述第一水口喷出的高压水将所述引线框架的封装体上边沿的溢胶去除,所述第二水口喷出的高压水将所述引线框架的封装体下边沿的溢胶去除,所述第三水口喷出的高压水将所述引线框架的引脚侧面的溢胶去除。

13、具体的,所述输送机构包括上料输送轮、下料输送轮、输送带,所述输送带套设于所述上料输送轮与下料输送轮外侧,所述输送带上设有弹簧夹,所述引线框架上端由所述弹簧夹夹紧。

14、具体的,所述第一水刀模块、第二水刀模块、第三水刀模块朝向所述引线框架一侧均设有用于挡料的挡料轮。

15、具体的,所述溢胶去除装置还包括供水模块,所述供水模块同时给所述第一水刀模块、第二水刀模块、第三水刀模块提供高压水。

16、具体的,所述第一水口、第二水口均选自圆形口、一字形口、t形口、十字形口、l形口中的一种,所述第三水口选自“|”形口、十字形口中的一种。

17、本发明的有益效果:

18、本发明的一种溢胶去除工艺,采用软化液将引线框架表面的溢胶浸泡,配合高温处理,使溢胶溶胀,溶胀过程中部分溢胶脱离封装体或引脚表面,有利于后续冲洗脱离;再经过快速降温,使溢胶快速受冷收缩,进一步提高溢胶分离脱离的效果;最后配合溢胶去除装置喷出高温高压的水对引线框架进行冲洗,使溢胶反复地经历热胀冷缩,在冲洗时能够有效地脱落,冲洗后无残胶,残胶去除率高。



技术特征:

1.一种溢胶去除工艺,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种溢胶去除工艺,其特征在于,步骤s1中,浸泡时间为60~150min。

3.根据权利要求1所述的一种溢胶去除工艺,其特征在于,步骤s3中,冲洗的水压为40~50mpa。

4.根据权利要求1所述的一种溢胶去除工艺,其特征在于,所述软化液包括以下重量份的组分:单乙醇胺50~80份、乙二胺油酸酯1~7份、磷酸三丁酯3~5份、渗透剂1~5份。

5.根据权利要求4所述的一种溢胶去除工艺,其特征在于,所述渗透剂选自丙酮、无水乙醇、甲苯中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种溢胶去除工艺,其特征在于,所述溢胶去除装置,包括:

7.根据权利要求6所述的一种溢胶去除工艺,其特征在于,所述输送机构包括上料输送轮、下料输送轮、输送带,所述输送带套设于所述上料输送轮与下料输送轮外侧,所述输送带上设有弹簧夹,所述引线框架上端由所述弹簧夹夹紧。

8.根据权利要求6所述的一种溢胶去除工艺,其特征在于,所述第一水刀模块、第二水刀模块、第三水刀模块朝向所述引线框架一侧均设有用于挡料的挡料轮。

9.根据权利要求6所述的一种溢胶去除工艺,其特征在于,所述溢胶去除装置还包括供水模块,所述供水模块同时给所述第一水刀模块、第二水刀模块、第三水刀模块提供高压水。

10.根据权利要求6所述的一种溢胶去除工艺,其特征在于,所述第一水口、第二水口均选自圆形口、一字形口、t形口、十字形口、l形口中的一种,所述第三水口选自“|”形口、十字形口中的一种。


技术总结
本发明涉及半导体器件加工技术领域,具体公开了一种溢胶去除工艺,采用软化液将引线框架表面的溢胶浸泡,配合高温处理,使溢胶溶胀,溶胀过程中部分溢胶脱离封装体或引脚表面,有利于后续冲洗脱离;再经过快速降温,使溢胶快速受冷收缩,进一步提高溢胶分离脱离的效果;最后配合溢胶去除装置,通过第一水刀模块、第二水刀模块和第三水刀模块喷出高温高压的水对引线框架进行冲洗,使溢胶反复地经历热胀冷缩,在冲洗时能够有效地脱落,冲洗后无残胶,残胶去除率高。

技术研发人员:张顺,莫玉成,陈耀锋,曾志坚,陈发俊
受保护的技术使用者:佛山市蓝箭电子股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/19
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