硅片清洗废水处理机构的制作方法

文档序号:34880195发布日期:2023-07-25 12:36阅读:29来源:国知局
硅片清洗废水处理机构的制作方法

本技术涉及废水处理,具体为硅片清洗废水处理机构。


背景技术:

1、半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等,严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等,引起严重漏电;颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等,会导致各种缺陷。对于清洗后的废水要进行处理才能够排放,在废水处理的过程中,为了加速反应的速度,往往会采用搅拌叶对废水进行搅拌,使废水在反应时能够反应充分,但是搅拌叶的存在往往会干扰到反应后的沉淀物的沉淀,导致部分沉淀物易沉于搅拌叶的上端从而位于清水层中,使得清水层在排出时掺杂沉淀物。鉴于此,我们提出硅片清洗废水处理机构。


技术实现思路

1、为了弥补以上不足,本实用新型提供了硅片清洗废水处理机构。

2、本实用新型的技术方案是:

3、硅片清洗废水处理机构,包括废水处理桶,所述废水处理桶一侧设有进水管,上方设有第一支撑板和第二支撑板,还包括:

4、搅拌部,所述搅拌部通过第一动力源驱动其转动用于搅拌废水,通过第二动力源驱动所述搅拌部升降,使所述搅拌部处于所述废水处理桶的内部或处于所述废水处理桶的外部。

5、优选的,所述搅拌部包括移动块和第三连接杆,所述第三连接杆穿过所述移动块且所述移动块位于所述第三连接杆上。

6、优选的,所述第三连接杆上设有连接柱,所述连接柱在所述第三连接杆上呈圆周分布,所述移动块内设有滑槽,所述第三连接杆转动时所述连接柱在所述滑槽内转动。

7、优选的,所述连接柱与所述滑槽的上下两端接触,所述第三连接杆上下移动时带动所述连接柱和所述移动块上下移动。

8、优选的,所述第一支撑板的一侧设有凹槽,所述凹槽内设有第四连接杆,所述移动块两侧设有第二连接杆且所述第二连接杆沿着所述第四连接杆移动。

9、优选的,所述第三连接杆上设有搅拌叶,所述第一动力源驱动所述第三连接杆和所述搅拌叶转动,所述第二动力源驱动所述第一动力源上下移动带动所述第三连接杆和所述搅拌叶进入所述废水处理桶内或移出所述废水处理桶外。

10、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

11、本实用新型通过设置搅拌部,当搅拌叶完成搅拌工作后,搅拌叶移出废水处理桶外,搅拌叶对下沉中的沉淀物不会造成阻碍,避免沉淀物沉淀于搅拌叶上,使清水层中不掺杂沉淀物。



技术特征:

1.硅片清洗废水处理机构,包括废水处理桶(1),所述废水处理桶(1)一侧设有进水管(2),上方设有第一支撑板(3)和第二支撑板(4),其特征在于,还包括:

2.如权利要求1所述的硅片清洗废水处理机构,其特征在于:所述搅拌部包括移动块(8)和第三连接杆(10),所述第三连接杆(10)穿过所述移动块(8)且所述移动块(8)位于所述第三连接杆(10)上。

3.如权利要求2所述的硅片清洗废水处理机构,其特征在于:所述第三连接杆(10)上设有连接柱(15),所述连接柱(15)在所述第三连接杆(10)上呈圆周分布,所述移动块(8)内设有滑槽(14),所述第三连接杆(10)转动时所述连接柱(15)在所述滑槽(14)内转动。

4.如权利要求3所述的硅片清洗废水处理机构,其特征在于:所述连接柱(15)与所述滑槽(14)的上下两端接触,所述第三连接杆(10)上下移动时带动所述连接柱(15)和所述移动块(8)上下移动。

5.如权利要求2所述的硅片清洗废水处理机构,其特征在于:所述第一支撑板(3)的一侧设有凹槽(12),所述凹槽(12)内设有第四连接杆(13),所述移动块(8)两侧设有第二连接杆(9)且所述第二连接杆(9)沿着所述第四连接杆(13)移动。

6.如权利要求2所述的硅片清洗废水处理机构,其特征在于:所述第三连接杆(10)上设有搅拌叶(11),所述第一动力源驱动所述第三连接杆(10)和所述搅拌叶(11)转动,所述第二动力源驱动所述第一动力源上下移动带动所述第三连接杆(10)和所述搅拌叶(11)进入所述废水处理桶(1)内或移出所述废水处理桶(1)外。


技术总结
本技术涉及废水处理技术领域,具体为硅片清洗废水处理机构,包括废水处理桶,所述废水处理桶一侧设有进水管,上方设有第一支撑板和第二支撑板,还包括:搅拌部,所述搅拌部通过第一动力源驱动其转动用于搅拌废水,通过第二动力源驱动所述搅拌部升降,使所述搅拌部处于所述废水处理桶的内部或处于所述废水处理桶的外部。本技术通过设置搅拌部,当搅拌叶完成搅拌工作后,搅拌叶移出废水处理桶外,搅拌叶对下沉中的沉淀物不会造成阻碍,避免沉淀物沉淀于搅拌叶上。

技术研发人员:牛小群,牛犇,余建辉,苏良彬,赖正源,张春
受保护的技术使用者:浙江星宇能源科技有限公司
技术研发日:20230301
技术公布日:2024/1/12
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