电子制造设备的制作方法

本技术涉及一种电子制造设备。

背景技术：

1、参见图1，在面板级封装的湿制作工艺(曝光显影、蚀刻、清洗等)中，药水或清水1从喷嘴(nozzle)2喷出后将接触面板(panel)3并向四周溅起产生水雾4，参见图2，在喷洒完成后，水雾4遗留在面板3上，现有技术使用位于面板3周围的回收环(或例如现有技术tw471010b公开的抽气装置)抽除水雾，由于面板3(例如横向尺寸为600*600mm2)的面积通常较晶圆(例如横向尺寸为300*300mm2)大，面板3的板边至水雾产生位置(尤其是面板3的中心位置)的距离也较大，水雾4的扩散范围也较广而不易控制，回收环需要使用较大的抽气流量才能有效抽除，然而抽气流量过大时可能影响产品良率(如曝光显影作业时，将抽除过多位于板边的药水造成显影不足)，若抽气流量不足将使水雾4回沾(back dip)到面板3上，导致面板3中的金属氧化、面板3发生局部性过蚀刻等问题，进而造成良率损失(yieldloss)。

技术实现思路

1、针对相关技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种电子制造设备，以至少消除残留水雾，提高制造良率。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了一种电子制造设备，包括：抽气件，用于抽除水雾；导流罩，用于聚集水雾并将水雾导向抽气件，抽气件的抽气口与导流罩的开口端朝同一方向开放。

3、在一些实施例中，电子制造设备还包括：喷嘴，用于向产品喷洒液体，部分液体到达产品后飞溅形成水雾，且抽气件与喷嘴位于产品的同侧。

4、在一些实施例中，抽气件围绕喷嘴。

5、在一些实施例中，抽气件的抽气口与产品之间的距离比喷嘴与产品之间的距离小。

6、在一些实施例中，导流罩围绕喷嘴。

7、在一些实施例中，导流罩的开口端与产品之间的距离小于喷嘴与产品之间的距离。

8、在一些实施例中，导流罩罩覆在产品上方并且导流罩沿喷嘴喷洒液体的喷洒方向与产品隔开。

9、在一些实施例中，沿喷嘴喷洒液体的喷洒方向，导流罩的投影位于产品内。

10、在一些实施例中，抽气件的抽气口位于导流罩的开口端，抽气件还包括连通抽气口的通道，通道嵌设在导流罩的侧壁中。

11、在一些实施例中，通道的横截面尺寸越靠近抽气口越大。

12、在一些实施例中，通道的轮廓形状是棱台。

13、在一些实施例中，抽气口朝向导流罩的内侧。

14、在一些实施例中，抽气件包括复数个间隔设置的抽气口。

15、在一些实施例中，导流罩的横截面尺寸越靠近开口端越大。

16、在一些实施例中，导流罩的轮廓形状是棱台。

17、在一些实施例中，导流罩的开口端位于棱台的底面处。

18、在一些实施例中，电子制造设备还包括：流量计，设置在抽气件的下游并且用于监测抽气件的抽气流量。

19、在一些实施例中，电子制造设备还包括：调节阀，设置在流量计的下游并且用于调节抽气件的抽气流量。

20、在一些实施例中，电子制造设备还包括：水气分离装置，设置在调节阀的下游并且用于将抽气件抽除的水雾水气分离。

21、在一些实施例中，电子制造设备用于显影工艺、蚀刻工艺、剥除工艺和清洗工艺。

22、本实用新型的有益技术效果在于：

23、本申请实施例的电子制造设备通过使用导流罩聚集水雾并且将水雾导向抽气件，抽气件抽除水雾，避免了水雾的聚集和遗留，减少了因残留的水雾导致的交叉污染和良率损失等问题。

技术特征：

1.一种电子制造设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子制造设备，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的电子制造设备，其特征在于，所述抽气件围绕所述喷嘴。

4.根据权利要求3所述的电子制造设备，其特征在于，所述导流罩围绕所述喷嘴。

5.根据权利要求4所述的电子制造设备，其特征在于，所述导流罩的所述开口端与所述产品之间的距离小于所述喷嘴与所述产品之间的距离。

6.根据权利要求4所述的电子制造设备，其特征在于，所述导流罩罩覆在所述产品上方，并且所述导流罩沿所述喷嘴喷洒所述液体的喷洒方向与所述产品隔开。

7.根据权利要求6所述的电子制造设备，其特征在于，沿所述喷嘴喷洒所述液体的喷洒方向，所述导流罩的投影位于所述产品内。

8.根据权利要求1所述的电子制造设备，其特征在于，所述抽气件的所述抽气口位于所述导流罩的所述开口端，所述抽气件还包括连通所述抽气口的通道，所述通道嵌设在所述导流罩的侧壁中。

9.根据权利要求8所述的电子制造设备，其特征在于，所述通道的横截面尺寸越靠近所述抽气口越大。

10.根据权利要求8所述的电子制造设备，其特征在于，所述抽气口朝向所述导流罩的内侧。

技术总结
本技术提供了一种电子制造设备，包括：抽气件，用于抽除水雾；导流罩，用于聚集水雾并将水雾导向抽气件，抽气件的抽气口与导流罩的开口端朝同一方向开放。本申请实施例的电子制造设备通过使用导流罩聚集水雾并且将水雾导向抽气件，抽气件抽除水雾，避免了水雾的聚集和遗留，减少了因残留的水雾导致的交叉污染和良率损失等问题。

技术研发人员：许嘉峻,王志锋,黄泰源
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：20230524
技术公布日：2024/1/15