一种半导体研磨废水处理系统的制作方法

本技术属于污水处理，具体涉及一种半导体研磨废水处理系统。

背景技术：

1、随着全球对电子产品的需求在过去十年中迅速增加，全球半导体产业取得了长足的进步。然而，半导体产业的快速发展也引发了一些环境风险，包括产生大量废水和高需水量。半导体废水通常含有许多难溶化学物质，如有机溶剂、酸、碱、盐、重金属、悬浮氧化物颗粒和其他有机和无机化合物，故需设置相应的废水处理系统对废水进行处理，直到达标后进行排放。

2、以半导体产业的机械研磨(cmp)废水为例，研磨废水成份复杂、处理困难，传统处理方式大多经过化学法混凝调匀，并加入高分子絮凝剂使颗粒形成大胶羽，待其沉降分层。但传统处理不仅耗时繁琐，且必须添加大量的混凝剂，因而导致污泥体积大增，治标不治本，并大幅提高废水处理成本；加上水质变异大，导致排放容易超出规范。虽已有厂商导入薄膜分离技术来处理研磨废水，改善化学药品投药量，但因膜材及过滤模式限制，最终仍需排放不少废水。总观而言，研磨废水处理仍是产业链中面临一大挑战。因此，有必要开发一种处理效果好、经济节能、运行费用低、处理工艺简便易行、维护管理方便的半导体研磨废水处理工艺，从而解决目前面临的半导体研磨废水处理成本普遍偏高、处理效率低的问题。

技术实现思路

1、为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种半导体研磨废水处理系统，以便降低产泥量，提高处理效率。

2、本实用新型通过以下技术手段解决上述问题：

3、一种半导体研磨废水处理系统，包括依次连通的调节池、中和槽和磁混凝一体化设备，所述磁混凝一体化设备包括处理腔，所述处理腔的一侧顶部设置有进水口，另一侧顶部设置有出水口，处理腔内通过隔板分隔成水流折返连通的混凝区、絮凝区和泥水分离区，所述泥水分离区的顶部并列间隔设置有第一磁鼓和第二磁鼓，所述第一磁鼓和第二磁鼓通过磁鼓驱动机构驱动反向转动，第一磁鼓和第二磁鼓的上侧均设置有压泥板，第一磁鼓和第二磁鼓之间设置有收集槽。

4、进一步，所述磁鼓驱动机构包括驱动电机、第一齿轮和第二齿轮，所述第一齿轮和第一磁鼓通过第一转轴同轴装配，所述第二齿轮与第二磁鼓通过第二转轴同轴装配，第一齿轮和第二齿轮啮合传动，所述驱动电机与第一转轴或第二转轴传动连接。

5、进一步，所述混凝区的一侧通过隔板形成与进水口连通的进水通道。

6、进一步，所述进水通道的顶部设置有混凝剂投加口。

7、进一步，所述絮凝区的顶部设置有磁粉及絮凝剂投加口。

8、进一步，所述泥水分离区的底部设置有排泥管。

9、进一步，所述混凝区和絮凝区分别配备有混凝搅拌机构和絮凝搅拌机构。

10、采用上述半导体研磨废水处理系统的具体工艺过程为：

11、s1：将研磨废水引入调节池中，进行空气搅拌使其完成均质均量调节，调节池的水引入中和槽；

12、s2：中和槽出水进入磁混凝污水处理一体化设备后达标排放。

13、所述混凝区搅拌转速控制在至少200r/min。

14、所述絮凝区搅拌转速控制在50～120r/min。

15、相比于现有技术，本实用新型的有益效果在于：

16、1、本申请的半导体研磨废水处理系统，根据水质情况调节、中和后，进入磁混凝污水处理一体化设备，具有工艺路线简单、处理效果好、产泥量少、运行成低等优点。

17、2、本申请的半导体研磨废水处理系统，将磁鼓和混凝底部连通，无需污泥回流；并将磁沉淀和超磁分离集于一体，设置有两个磁鼓相对运行，上部设置压泥板，有效提高了泥水分离效率，减少污泥含水率及产泥量，降低了后端处理成本；且通过磁粉的投加，解决了传统研磨废水加药量大、产泥量大、治标不治本，处理效果不佳等问题，有利于节约药剂投加成本。

18、总之，本申请的半导体研磨废水处理系统，主要针对半导体研磨废水ss含量高、浊度高、难沉降的问题，提出了有效可行的方案，具有经济节能、运行费用低、处理工艺简便易行、处理效果好、污泥含水率低的优点。

技术特征：

1.一种半导体研磨废水处理系统，其特征在于：包括依次连通的调节池、中和槽和磁混凝一体化设备，所述磁混凝一体化设备包括处理腔，所述处理腔的一侧顶部设置有进水口，另一侧顶部设置有出水口，处理腔内通过隔板分隔成水流折返连通的混凝区、絮凝区和泥水分离区，所述泥水分离区的顶部并列间隔设置有第一磁鼓和第二磁鼓，所述第一磁鼓和第二磁鼓通过磁鼓驱动机构驱动反向转动，第一磁鼓和第二磁鼓的上侧均设置有压泥板，第一磁鼓和第二磁鼓之间设置有收集槽。

2.根据权利要求1所述的半导体研磨废水处理系统，其特征在于：所述磁鼓驱动机构包括驱动电机、第一齿轮和第二齿轮，所述第一齿轮和第一磁鼓通过第一转轴同轴装配，所述第二齿轮与第二磁鼓通过第二转轴同轴装配，第一齿轮和第二齿轮啮合传动，所述驱动电机与第一转轴或第二转轴传动连接。

3.根据权利要求2所述的半导体研磨废水处理系统，其特征在于：所述混凝区的一侧通过隔板形成与进水口连通的进水通道。

4.根据权利要求3所述的半导体研磨废水处理系统，其特征在于：所述进水通道的顶部设置有混凝剂投加口。

5.根据权利要求4所述的半导体研磨废水处理系统，其特征在于：所述絮凝区的顶部设置有磁粉及絮凝剂投加口。

6.根据权利要求5所述的半导体研磨废水处理系统，其特征在于：所述泥水分离区的底部设置有排泥管。

7.根据权利要求6所述的半导体研磨废水处理系统，其特征在于：所述混凝区和絮凝区分别配备有混凝搅拌机构和絮凝搅拌机构。

技术总结
本技术公开了一种半导体研磨废水处理系统，包括依次连通的调节池、中和槽和磁混凝一体化设备，所述磁混凝一体化设备包括处理腔，所述处理腔的一侧顶部设置有进水口，另一侧顶部设置有出水口，处理腔内通过隔板分隔成水流折返连通的混凝区、絮凝区和泥水分离区，所述泥水分离区的顶部并列间隔设置有第一磁鼓和第二磁鼓，所述第一磁鼓和第二磁鼓通过磁鼓驱动机构驱动反向转动，第一磁鼓和第二磁鼓的上侧均设置有压泥板，第一磁鼓和第二磁鼓之间设置有收集槽。采用本申请的半导体研磨废水处理系统，降低了产泥量，提高了处理效率。

技术研发人员：刘君,岳中秋,朱春游,余晗,向伟,王英蓉,张玲
受保护的技术使用者：湖南航天凯天水务有限公司
技术研发日：20230620
技术公布日：2024/1/15