本技术涉及半导体设备管道清洁，具体涉及等离子气体清洁系统。
背景技术：
1、清洁技术对于保证产品质量、提高生产效率以及维护设备性能至关重要。传统的清洁方法，如机械清洁、化学清洁等，虽然在一定程度上能够满足清洁需求，但存在诸多缺点。例如，机械清洁可能损伤材料表面，化学清洁则可能引入新的污染物，且化学试剂的使用对环境和人体健康造成潜在威胁。
2、随着工业技术的不断进步，对清洁技术的要求也越来越高。特别是在微电子、半导体、精密制造等领域，目前半导体设备上的管路清洁方式是人工将残留有薄膜的气体管路和阀门拆卸下来，使用气体或溶液对管道进行清洁，难以实现深层次和全面清洁，常会残留污染物；此外，人工清洁操作会不可避免地积累尘埃、杂质和其他污染物，这就需要频繁重复清洁。
3、近年来，等离子气体清洁技术因其高效、环保、非接触式等优点，逐渐受到关注。等离子体是由气体放电产生的，具有高度活性和高能量的离子、电子和自由基等粒子。这些粒子在与污染物接触时，能够发生化学反应，从而实现对表面的清洁。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于，提供一种等离子气体清洁系统，应用在半导体设备管路及阀门清洁中，其无需使用化学试剂，避免了二次污染的产生，不会对材料表面造成机械损伤。
2、为实现上述目的，本实用新型提供了等离子气体清洁系统，包括：
3、第一气体管路，与半导体设备的气柜相连，用于输送清洁气体；
4、第一气动隔膜阀，与第一气体管路相连，用于控制清洁气体是否流入清洁系统反应发射器；
5、第二气体管路，与第一气动隔膜阀相连，用于输送清洁气体；
6、清洁系统反应发射器，与第二气体管路相连，用于发射等离子清洁气体；
7、第二气动隔膜阀，与第一气体管路相连，用于控制清洁气体是否流入设备端反应发射器。
8、进一步地，所述第二气体管路通过密封圈、面板安装法兰夹与清洁系统反应发射器顶部相连。
9、进一步地，所述第二气动隔膜阀通过第三气体管路、vcr母头与半导体设备的工艺腔体清洁管路相连。
10、进一步地，还包括：
11、一体式气体传输管路，与清洁系统反应发射器相连，用于传输等离子清洁气体；
12、气体流量截止摆阀，与一体式气体传输管路相连，用于调节等离子清洁气体的流量；
13、分体式气体传输管路，与气体流量截止摆阀相连，用于传输等离子清洁气体。
14、进一步地，所述分体式气体传输管路焊接在排气混合总管上，用于将等离子清洁气体引入待清洁管路内。
15、更进一步地，当第一气动隔膜阀打开，第二气动隔膜阀关闭时，气柜内的清洁气体流经第一气体管路、第二气体管路进入清洁系统反应发射器；当第二气动隔膜阀打开，第一气动隔膜阀是关闭时，气柜内的清洁气体流经第一气体管路、第三气体管路进入半导体设备的工艺腔体。
16、更进一步地，还包括电控箱，在电控箱内设有信号选择器、清洁系统控制器，所述清洁系统控制器分别与清洁系统反应发射器、信号选择器相连，所述信号选择器还有与设备端控制器、清洁系统反应发射器、设备端反应发射器相连。
17、更进一步地，在电控箱一侧设有阀门开关控制器，所述阀门开关控制器分别与清洁系统控制器、第一气动隔膜阀、第二气动隔膜阀、气体流量截止摆阀相连。
18、更进一步地，所述一体式气体传输管路焊接在水冷腔体内，分体式气体传输管路上面设有可拆卸冷却包块，排气混合总管底部也设有可拆卸冷却包块。
19、作为更进一步地，所述清洁系统反应发射器通过底板安装在清洁气源支撑框架上，所述清洁气源支撑框架通过旋转轴与转接件相连；所述转接件安装在高度调节支架上，在高度调节支架上分布有不同高度的转接孔，该高度调节支架固定在半导体设备支撑柱上。
20、作为更进一步地，所述清洁气源支撑框架拐角处设有上下对称的旋转板，所述旋转板与旋转轴之间设有向心球轴承，该向心球轴承通过轴承压盖、薄型细牙螺母固定。
21、本实用新型由于采用以上技术方案，能够取得如下的技术效果：采用等离子气体清洁系统，能够有效提升清洁效率，显著缩短清洁周期。通过高能等离子体对半导体管路、阀门、工艺腔体表面直接作用，能够快速去除膜类污染物，实现高效的表面清洁。同时，由于等离子体的非接触式清洁特性，可以避免传统清洁方式带来的表面损伤，确保清洁效果更加理想。
22、等离子气体清洁系统实现在线清洁，可以显著提高生产效率，减少因清洁问题导致的生产延误和产品质量问题。同时，减少清洁过程中的停机次数和人工干预，也有助于降低生产成本，提高企业的经济效益。
23、本系统节约用料成本，设备端的清洁气体通过第一气动隔膜阀和第二气动隔膜阀流入清洁系统反应发射器或设备端反应发射器，不需要重新制作气体管路提供清洁系统反应发射器所需气体。
1.等离子气体清洁系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述等离子气体清洁系统，其特征在于，所述第二气体管路通过密封圈、面板安装法兰夹与清洁系统反应发射器顶部相连。
3.根据权利要求1所述等离子气体清洁系统，其特征在于，所述第二气动隔膜阀通过第三气体管路、vcr母头与半导体设备的工艺腔体清洁管路相连。
4.根据权利要求1所述等离子气体清洁系统，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述等离子气体清洁系统，其特征在于，所述分体式气体传输管路焊接在排气混合总管上，用于将等离子清洁气体引入待清洁管路内。
6.根据权利要求1所述等离子气体清洁系统，其特征在于，当第一气动隔膜阀打开，第二气动隔膜阀关闭时，气柜内的清洁气体流经第一气体管路、第二气体管路进入清洁系统反应发射器；当第二气动隔膜阀打开，第一气动隔膜阀是关闭时，气柜内的清洁气体流经第一气体管路、第三气体管路进入半导体设备的工艺腔体。
7.根据权利要求4所述等离子气体清洁系统，其特征在于，还包括电控箱，在电控箱内设有信号选择器、清洁系统控制器，所述清洁系统控制器分别与清洁系统反应发射器、信号选择器相连，所述信号选择器还有与设备端控制器、清洁系统反应发射器、设备端反应发射器相连。
8.根据权利要求7所述等离子气体清洁系统，其特征在于，在电控箱一侧设有阀门开关控制器，所述阀门开关控制器分别与清洁系统控制器、第一气动隔膜阀、第二气动隔膜阀、气体流量截止摆阀相连。
9.根据权利要求1所述等离子气体清洁系统，其特征在于，所述清洁系统反应发射器通过底板安装在清洁气源支撑框架上，所述清洁气源支撑框架通过旋转轴与转接件相连；所述转接件安装在高度调节支架上，在高度调节支架上分布有不同高度的转接孔，该高度调节支架固定在半导体设备支撑柱上。
10.根据权利要求9所述等离子气体清洁系统，其特征在于，所述清洁气源支撑框架拐角处设有上下对称的旋转板，所述旋转板与旋转轴之间设有向心球轴承，该向心球轴承通过轴承压盖、薄型细牙螺母固定。