一种进风装置及废气处理设备的制作方法

本技术涉及废气处理，具体而言，涉及一种进风装置及废气处理设备。

背景技术：

1、现有的废气处理设备主要由等离子火炬头、风机、水泵、进风装置、洗涤塔组成，并且进风装置包括反应器及设置在反应器侧壁的进风部，等离子火炬头用于插入反应器，烟气从进风部进入，气体在火炬内被等离子束加热，然后以高温等离子态进入反应器。

2、经发明人研究发现，目前的进风部进入的气流会对火炬头出口的等离子体流造成较大的冲击，导致等离子火焰面积减小，使得烟气反应不够充分，影响反应效率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种进风装置及废气处理设备，能够减小进风部进入的气流对等离子体流的冲击，保证烟气反应充分，能够有效的保证反应效率。

2、本实用新型的实施例是这样实现的：

3、第一方面，本实用新型提供一种进风装置，包括：

4、反应器，反应器包括第一端及第二端，第一端的中心与第二端的中心的连线为第一连线；

5、进风部，进风部设置于反应器的外侧壁且与反应器连通，进风部包括靠近反应器的第一进风端及远离反应器的第二进风端，第一进风端与第二进风端的连线为第二连线，第一连线与第二连线异面。

6、由于第一连线与第二连线异面，因此能够减小从进风部进入的气流对等离子体流的冲击，保证烟气反应充分，能够有效的保证反应效率。

7、在可选的实施方式中，进风部相对反应器倾斜设置。

8、减小经过进风部进入到反应器内的气体对高温等离子体流的冲击，进而有效的提高反应器内的反应效率。

9、在可选的实施方式中，在第二端靠近第一端的方向上，进风部与反应器的夹角为锐角。

10、进一步减小经过进风部的气体对高温等离子流体的冲击，还能够增加气体在竖直方向上的速度矢量，使得反应器内气体进入的位置更低，从而等离子火炬头放置的位置更低，能够节省空间。

11、在可选的实施方式中，进风部与反应器的夹角小于45°。

12、进一步的保证气体从进风部进入时在竖直向下的方向上的速度矢量，也就能够使得反应器内气体进入的位置更加的低。

13、在可选的实施方式中，进风部的数量为四个，四个进风部沿反应器外侧壁周向均匀间隔设置。

14、能够通过四个进风部从四个不同的方向通入烟气，在避免对高温等离子体流产生较大冲击的情况下，也保证了烟气的通入效率。

15、在可选的实施方式中，反应器呈圆柱状。

16、呈圆柱状的反应器内壁呈光滑圆弧状，因此高温等离子体流能够顺利的从等离子火炬头流动至反应器，不会在反应器内遇到流动阻碍。进而能够保证反应器内的高温等离子体流的反应效率。

17、在可选的实施方式中，四个进风部两两为一组，其中一组的任意一个进风部位于另外一组的两个进风部之间，其中一组的两个进风部位于第一面两侧且自身轴线与第一面平行，第一面与反应器的轴线相交，另外一组的两个进风部位于第二面两侧且自身轴线与第二面平行，第二面与反应器的轴线相交。

18、任意两个不相邻设置的进风部位于经过反应器轴线的第一面或第二面的两侧，进一步降低了通过进风部的气体对高温等离子体流的冲击，有效的保证了反应器内的反应效率。

19、在可选的实施方式中，进风部呈圆柱状。

20、由于圆柱状的进风部内壁呈光滑圆弧状，气体不会在进风部中受到阻碍，进而能够顺利的通过进风部。

21、在可选的实施方式中，任意两个进风部在预设平面的投影相互垂直，预设平面与反应器的底面平行。

22、分别经过四个进风部流入的烟气会形成一定的气流旋涡，进而能够增强反应器内的气流扰动，能够避免反应器的外壁周围温度过高。

23、第二方面，本实用新型提供一种废气处理设备，包括前述实施方式任一项的进风装置。

技术特征：

1.一种进风装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的进风装置，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的进风装置，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的进风装置，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的进风装置，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的进风装置，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的进风装置，其特征在于：

8.根据权利要求6所述的进风装置，其特征在于：

9.根据权利要求6所述的进风装置，其特征在于：

10.一种废气处理设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的进风装置。

技术总结
本技术提供了一种进风装置及废气处理设备，涉及废气处理技术领域。其中废气处理设备包括进风装置，进风装置包括反应器及进风部，反应器包括第一端及第二端，第一端的中心与第二端的中心的连线为第一连线，进风部设置于反应器的外侧壁且与反应器连通，进风部包括靠近反应器的第一进风端及远离反应器的第二进风端，第一进风端与第二进风端的连线为第二连线，第一连线与第二连线异面，因此从进风部进入的气流不会直接正对反应器中心，能够减小进风部进入的气流对等离子体流的冲击，能够有效的提高反应效率。

技术研发人员：张伟明,黄文丰
受保护的技术使用者：上海盛剑半导体科技有限公司
技术研发日：20221115
技术公布日：2024/1/12