本发明属于水污染治理领域,具体涉及一种用于绿色去除四环素的g-c3n4基纳米复合材料及其制备方法。
背景技术:
1、随着工业的发展,水体污染引起人们越来越多的关注。水中环境污染物主要包括有毒重金属离子和有机污染物等,这些环境污染物一般具有很好的化学稳定性和生物稳定性,难以自然降解。以抗生素为例,抗生素通常被广泛应用于动物药物和饲料中的添加剂,可以促进植物的生长,控制疾病的爆发,进而提高生产效率。然而随着抗生素的过度使用,残留的抗生素伴有一定的环境污染,对人体健康造成伤害。利用高级氧化过程的降解方法通常需要过氧硫酸盐(pms)或双氧水作为氧化剂,实现有效去除污染物的目的。但氧化剂与污染物的比率较高,或对环境条件较为敏感。因此在氧气作为氧化剂的条件下寻找合适的催化剂是重中之重。
2、类石墨氮化碳(g-c3n4)是一种采用热缩聚法制备的无金属高分子半导体,是研究不同活性位点性能的理想介质。近年来,g-c3n4因其优异的物理化学稳定性、低成本、独特的电子结构和窄带隙(2.7ev)等优点,在环境污染物去除和光催化制氢方面表现出良好的性能。然而,g-c3n4由于结构稳定,对pms激活不活跃。因此对g-c3n4进行改性尤为重要。
技术实现思路
1、针对上述技术问题,本发明提供了一种用于绿色去除四环素的g-c3n4基纳米复合材料及其制备方法,用于解决水体环境污染问题。
2、为实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
3、一种去除四环素的g-c3n4基纳米复合材料的制备方法,包括以下步骤:
4、(1)将硫源、铜源和g-c3n4于溶剂中、60~70℃下反应1~6h,之后分离得到g-c3n4基前驱体;
5、(2)将所述g-c3n4基前驱体干燥后,在空气氛围下于350~500℃恒温灼烧,优选为400℃,即得所述g-c3n4基纳米复合材料,记为csg。
6、优选的,步骤(1)中所述的g-c3n4由如下方法制得:
7、(0)将氮源在空气氛围下于500~600℃煅烧,优选为550℃,冷却后即得。
8、优选的,步骤(0)中所述氮源为硫脲、三聚氰胺或尿素;最优选为尿素。
9、优选的,步骤(1)中所述硫源为硫脲或硫代乙酰胺;最优选为硫脲。
10、优选的,步骤(1)中所述铜源为乙酸铜、氯化铜或硝酸铜,最优选为乙酸铜。
11、优选的,步骤(1)中所述溶剂为甲醇、乙醇或水,最优选为乙醇。
12、优选的,步骤(1)中所述铜源中的铜元素与所述g-c3n4的质量比为0.076~2.76:1。最优选的质量比为1.03:1。
13、优选的,步骤(1)中的所述反应的温度为65℃,反应时间为4h。
14、优选的,步骤(2)所述的干燥为在60~80℃下烘干。
15、优选的,步骤(2)所述的灼烧的时间为2~4h,优选为4h。
16、本发明还提供上述制备方法制备得到的g-c3n4基纳米复合材料。
17、本发明还提供上述制备方法制备得到的g-c3n4基纳米复合材料在氧化降解水中四环素中的应用。
18、优选的,所述四环素的摩尔浓度为20mg/l。
19、本发明提的有益效果在于:
20、(1)与其他g-c3n4基纳米复合材料纳米材料相比,csg的结构缩短了电子传输路径,增大了与降解底物的接触面积,提供了更多的活性位点,更有利于四环素的催化氧化反应。
21、(2)采用比较廉价、资源丰富的原料来合成csg纳米复合材料,制备简单,成本较低,产量和稳定性较高,并且对反应设备要求比较低且对环境友好,适合大批量合成。
22、(3)本发明制得的csg纳米复合材料,修饰方法简单且没有其他导电的载体,可实现对四环素水溶液的高效降解,具有较宽的适应环境ph、无需外加光源、选择性高、重现性好的优点,实验筛选出的种种环境因素表明csg纳米复合材料可直接用于降解而无需对废水进行稀释处理。
23、(4)通过对乙酸铜与硫脲摩尔比的优化,合成了更加多层次且表面粗糙的纳米复合材料。并通过煅烧条件的筛选,得到中空的cusx与g-c3n4的良好复合。当偏多或偏少,都无法在该条件下得到分布均一的中空结构,其塌陷的结构造成材料的氧化催化性能低下。
24、(5)本发明将水热反应得到的g-c3n4基cu、s复合物进行了进一步的煅烧,适当的煅烧温度和保温时间对于材料的碳化程度有着积极的影响,一定程度的碳化,首先影响材料表面的孔径分布及孔隙结构,其次影响材料表面形貌,还会影响活性位点的分布和数量。过高的煅烧温度和过长的保温时间会导致碳化的过度,导致性能表现下降,而过低的温度达不到产生碳化的效果。
1.一种去除四环素的g-c3n4基纳米复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的g-c3n4由如下方法制得:
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(0)中所述氮源为硫脲、三聚氰胺或尿素;优选为尿素。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述硫源为硫脲或硫代乙酰胺,优选为硫脲;所述铜源为乙酸铜、氯化铜或硝酸铜,优选为乙酸铜;所述溶剂为甲醇、乙醇或水,优选为乙醇。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述铜源中的铜元素与所述g-c3n4中的氮元素的摩尔比为1:10~16。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的所述反应的时间为4h。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的干燥为在60~80℃下烘干。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的灼烧的时间为2~4h,优选为4h。
9.权利要求1-8任一所述制备方法制备得到的g-c3n4基纳米复合材料。
10.权利要求1-8任一所述制备方法制备得到的g-c3n4基纳米复合材料在氧化降解水中四环素中的应用。