一种电合成ZIF-8膜在N2/SF6分离中的应用

文档序号:37178651发布日期:2024-03-01 12:33阅读:14来源:国知局
一种电合成ZIF-8膜在N2/SF6分离中的应用

本发明属于纳米膜及膜法气体分离领域,具体涉及一种电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用。


背景技术:

1、sf6是一种不易燃、无毒、无味、无臭、无色的气体。它的这些特性和高介电性能使sf6在高压电器、电力传输和配电系统以及断路器、气体绝缘开关设备(gis)和变压器等领域及设备中应用广泛。sf6价格昂贵,除了半导体行业仍需要高纯度的sf6外,在大多是行业中,都是使sf6和n2等惰性气体混合以稀态使用。随着经济社会的快速发展,sf6的使用也越来越广泛,与此同时人们发现在空气中检测到的sf6的量正逐年升高。sf6是一种极强温室气体,它具有比co2更强的向上辐射能力,在空气中的寿命最长可达500年,它的全球变暖能力是我们熟知的co2的23900倍以上。sf6与co2、ch4和n2o在1997年被《京都议定书》列为四种受管制的温室气体之一。目前急需制备一种具有优良n2/sf6分离性能的膜,用于回收废旧电器以及大气中的sf6,实现sf6的再利用并降低该气体对环境的负面影响。目前用于分离体系的膜主要有聚合物膜和分子筛膜,聚合物膜对于n2的低通量和存在气体通量和选择性之间的trade-off效应,所以其对于n2/sf6分离性能极低(最高n2通量为4gpu,n2/sf6选择性为66)。在分子筛膜对n2/sf6分离中,cha分子筛膜对n2的渗透率为2678gpu,对n2/sf6的最大理想选择性为25.3。mfi膜在2bar下具有较高的n2渗透性(2000gpu)和较低的n2/sf6选择性(<50),sapo-34膜n2/sf6选择性(>500)和较低的透性(<600gpu)。这些分子筛膜在n2/sf6分离中相对于聚合物膜提高了一部分通量和选择性,但是合成分子筛膜大都使用二次生长的方法,该方法需要高温下进行,耗能高,成膜时间长(>10h),不利于工业化生产。


技术实现思路

1、为了促进膜分离技术在n2/sf6分离中的应用,本发明的目的在于一种电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用。该电合成zif-8膜用于回收废旧电器以及大气中的sf6,实现sf6的再利用并降低该气体对环境的负面影响。

2、本发明目的通过以下技术方案实现:

3、一种电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,包括以下步骤:

4、(1)将电合成zif-8膜放入气体分离装置中,然后在进料侧通入n2/sf6的混合气体;

5、(2)在吹扫侧通入吹扫气或者抽真空;

6、(3)将步骤(2)的吹扫侧气体通入气相色谱中进行检测,即可得到n2、sf6的通量以及选择性。

7、进一步地,测试过程中,所述的n2、sf6混合气体比例包括:1~9:9~1。

8、进一步地,所述混合气体流速为10~1000ml/min。

9、进一步地,所述吹扫气为氩气和氦气中的至少一种;所述吹扫气的流速为10~1000ml/min。

10、进一步地,所述气相色谱为安捷伦8890气相色谱。

11、进一步地,所述电合成zif-8膜的制备方法,包括以下步骤:

12、①将锌盐、二甲基咪唑和溶剂按照质量体积比为0.001~5g:0.001~5g:5~300ml超声溶解,得到混合溶液,静置一夜得到前驱体溶液;

13、②取前驱体溶液的上层澄清液至电膜池中,将aao基底插入溶液中做阴极,石磨棒做阳极,在电流驱动下,制备zif-8膜;

14、③制备好的zif-8膜干燥后,在烘箱中活化后,即可用于n2/sf6分离性能测试。

15、进一步地,步骤①中所述的锌盐为氯化锌、硝酸锌、乙酸锌中的至少一种,所述溶剂为水、乙醇、甲醇中的至少一种。

16、进一步地,步骤①中所述的超声时间为1~30min,超声功率为1200w。

17、进一步地,步骤②中所述的驱动电流为0.1~5ma/cm2。

18、进一步地,步骤②中所述的制膜时间为3~100min。

19、进一步地,步骤③中所述的干燥时间为1~30h,干燥温度为室温。

20、进一步地,步骤③中所述的活化温度为30~300℃,活化时间为1~100h。

21、由以上所述的方法制备的一种电合成zif-8膜,该zif-8膜制膜能耗低(常温合成)、耗时短(5-60min),有望实现工业化生产。

22、本发明利用电合成zif-8膜,首次将zif-8膜用于n2/sf6分离,所制备的电合成zif-8膜具有优良的n2透量,高选择性,所制备出的电合成zif-8膜在n2/sf6分离过程中具有很大的应用价值。

23、众所周知,mof材料由于其大的比表面积和固有的孔道,常被用于气体分离。mof材料zif-8,它的理论孔径是0.34nm。由于晶格灵活性,配体能旋转改变孔径大小。研究表明,本发明在电场作用下合成zif-8膜,由于电场作用引起zif-8配体畸变,使得合成的zif-8膜有效孔径为0.41nm,本发明所述zif-8膜制备方法能在常温下短时间内(5-60min)合成致密无缺陷的膜。进一步地,由于n2的分子尺寸为0.364nm,sf6的分子尺寸为0.55nm,所以本发明所述电合成zif-8膜会对n2/sf6具有优异的分离性能。在此,我们结合电驱动合成法快速制备出无缺陷的zif-8膜,有望在短时间内快速合成高质量zif-8膜,在节省能耗和制膜时间的同时实现对n2/sf6的高性能分离。

24、与现有技术相比,本发明具有以下优点:

25、(1)本发明所述电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,在分离n2/sf6时,具有高的n2通量和优异的n2/sf6选择性,在n2/sf6分离领域具有良好的应用前景。

26、(2)本发明所述电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,制备过程简单,能耗低(常温进行),耗时短(0~60min),在实际应用中能极大节约成本。

27、(3)本发明所述电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,可重复性好,适合大规模工业化生产。



技术特征:

1.一种电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,其特征在于,测试过程中,所述的n2、sf6混合气体比例包括:1~9:9~1。

3.根据权利要求1所述的电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,其特征在于,所述混合气体流速为10~1000ml/min。

4.根据权利要求1所述的电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,其特征在于,所述吹扫气为氩气和氦气中的至少一种;所述吹扫气的流速为10~1000ml/min。

5.根据权利要求1所述的电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,其特征在于,所述电合成zif-8膜的制备方法,包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,其特征在于,步骤①中所述的锌盐为氯化锌、硝酸锌、乙酸锌中的至少一种,所述溶剂为水、乙醇、甲醇中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,其特征在于,步骤①中所述的超声时间为1~30min,超声功率为1200w。

8.根据权利要求5所述的电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,其特征在于,步骤②中所述的驱动电流为0.1~5ma/cm2。

9.根据权利要求5所述的电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,其特征在于,步骤②中所述的制膜时间为3~100min。

10.根据权利要求5所述的电合成zif-8膜在n2/sf6分离中的应用,其特征在于,步骤③中所述的活化温度为30~300℃,活化时间为1~100h。


技术总结
本发明公开了一种电合成ZIF‑8膜在N<subgt;2</subgt;/SF<subgt;6</subgt;分离中的应用。该应用包括以下步骤:(1)将电合成ZIF‑8膜放入气体分离装置中,然后在进料侧通入N<subgt;2</subgt;/SF<subgt;6</subgt;的混合气体;(2)在吹扫侧通入吹扫气;(3)将吹扫气通入气相色谱中进行检测。本发明的电合成ZIF‑8膜具有优良的N<subgt;2</subgt;通量和N<subgt;2</subgt;/SF<subgt;6</subgt;选择性。电合成ZIF‑8膜的制备方法简单易操作、能耗低(常温进行)、耗时短(0~60min)、高重复性、适合大规模工业生产,有利于电合成ZIF‑8膜在N<subgt;2</subgt;/SF<subgt;6</subgt;分离中的应用。

技术研发人员:魏嫣莹,曹昌蝶,夏启斌
受保护的技术使用者:华南理工大学
技术研发日:
技术公布日:2024/2/29
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