本技术是关于集成电路用超纯teos生产制造,特别是关于一种集成电路用超纯teos的中试装置。
背景技术:
1、半导体工艺形成氧化层的方法主要有热氧化(针对能形成自身稳定氧化层的半导体材料),低压化学气相淀积(lpcvd),等离子增强化学气相淀积(pecvd)和常压化学气相淀积(apcvd)等。由于apcvd要求的气流量大,且工艺产生颗粒相对较多,目前大多数半导体工艺已很少使用。
2、正硅酸乙酯(teos)lpcvd时,teos从液态蒸发成气态,在700~750℃300mtor压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜,二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到50à/min,薄膜的厚度均匀性小于3﹪,这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积二氧化硅薄膜的主流工艺。
3、用正硅酸乙酯(teos)lpcvd技术实现二氧化硅在sic晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了sic氧化层过薄和pecvd二氧化硅层过于疏松的弊端。采用teoslpcvd技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与sic晶片的粘附能力,又提高了器件的电性能和成品率,同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足。采用此技术后,sic芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5db左右,功率附加效率提升了近10%。
4、其中,正硅酸乙酯一般放置在原料罐中,一般情况下,原料罐设置有液位计,由于原料罐的体积较大,设置的液位计也较高,工作人员不便于观察液位计上的刻度,在有大太阳的天气或者雨天对液位计上的刻度进行观察时更为艰难。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种集成电路用超纯teos的中试装置,其能够便于工作人员在晴天或者雨天准确判断原料的液位。
2、为实现上述目的,本实用新型提供了一种集成电路用超纯teos的中试装置,包括原料罐,所述原料罐的下端设置有支腿,所述原料罐的一侧安装有液位计,所述液位计包括非透明部和透明部,所述液位计内滑动连接有第二显示块,所述液位计上还设置有连接板,所述连接板上滑动连接有与第二显示块相匹配的第一显示块,所述第一显示块能够随着第二显示块而移动,所述第一显示块的下端设置有刻度绳。
3、在一个或多个实施方式中,所述连接板的上端设置有重力抵消组件,所述重力抵消组件用于抵消第一显示块和刻度绳产生的重力。
4、在一个或多个实施方式中,所述重力抵消组件产生的拉力与刻度绳和第一显示块产生的重力相等。
5、在一个或多个实施方式中,所述重力抵消组件包括壳体和转动辊,所述转动辊转动连接在壳体内,所述转动辊的两端设置有卷簧,所述转动辊上卷有连接绳,所述连接绳的一端与第一显示块为固定连接。
6、在一个或多个实施方式中,所述第一显示块上设置有磁铁块,所述第二显示块上设置有与磁铁块相匹配的铁片,所述铁片和磁铁块相互吸附。
7、在一个或多个实施方式中,所述连接板上开设有与第一显示块相匹配的凹槽,所述连接板上还开设有限位槽,所述第一显示块上固定连接有与限位槽相匹配的滑块。
8、在一个或多个实施方式中,所述第二显示块为高密度聚乙烯树脂浮块。
9、在一个或多个实施方式中,所述第一显示块为高密度聚乙烯树脂浮块。
10、与现有技术相比,根据本实用新型的一种集成电路用超纯teos的中试装置能够便于工作人员在晴天或者雨天准确判断原料的液位。
1.一种集成电路用超纯teos的中试装置,包括原料罐,所述原料罐的下端设置有支腿,所述原料罐的一侧安装有液位计,其特征在于,所述液位计包括非透明部和透明部,所述液位计内滑动连接有第二显示块,所述液位计上还设置有连接板,所述连接板上滑动连接有与第二显示块相匹配的第一显示块,所述第一显示块能够随着第二显示块而移动,所述第一显示块的下端设置有刻度绳。
2.如权利要求1所述的一种集成电路用超纯teos的中试装置,其特征在于,所述连接板的上端设置有重力抵消组件,所述重力抵消组件用于抵消第一显示块和刻度绳产生的重力。
3.如权利要求2所述的一种集成电路用超纯teos的中试装置,其特征在于,所述重力抵消组件产生的拉力与刻度绳和第一显示块产生的重力相等。
4.如权利要求2或3所述的一种集成电路用超纯teos的中试装置,其特征在于,所述重力抵消组件包括壳体和转动辊,所述转动辊转动连接在壳体内,所述转动辊的两端设置有卷簧,所述转动辊上卷有连接绳,所述连接绳的一端与第一显示块为固定连接。
5.如权利要求1所述的一种集成电路用超纯teos的中试装置,其特征在于,所述第一显示块上设置有磁铁块,所述第二显示块上设置有与磁铁块相匹配的铁片,所述铁片和磁铁块相互吸附。
6.如权利要求1或5所述的一种集成电路用超纯teos的中试装置,其特征在于,所述连接板上开设有与第一显示块相匹配的凹槽,所述连接板上还开设有限位槽,所述第一显示块上固定连接有与限位槽相匹配的滑块。
7.如权利要求1所述的一种集成电路用超纯teos的中试装置,其特征在于,所述第二显示块为高密度聚乙烯树脂浮块。
8.如权利要求1或7所述的一种集成电路用超纯teos的中试装置,其特征在于,所述第一显示块为高密度聚乙烯树脂浮块。