一种铟提纯电解槽的制作方法

本技术涉及铟电解，特别是一种铟提纯电解槽。

背景技术：

1、铟作为稀有金属之一，大量应用于半导体工业，还可做高级合金材料，在医疗、化工、玻璃工业、电器工业也有广泛用途。由于国家和行业对铟产品标准的不断修订，使铟产品的纯度逐渐提高。现有的较高纯度的铟，通常采用铟电解工艺制成。

2、现有技术中，铟电解阳极板和铟电解阴极板通常通过工作人员人工插入至电解槽中，两者的间距通常依靠工作人员的经验或者使用尺子进行度量后固定，无法很好地保证铟电解阳极板和铟电解阴极板的间距，导致生产效率和电解效果无法保证。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题是：提供一种铟提纯电解槽，以解决现有技术中所存在的一个或多个技术问题，至少提供一种有益的选择或创造条件。

2、本实用新型解决其技术问题的解决方案是：

3、一种铟提纯电解槽，包括：

4、槽体；

5、支撑结构，所述支撑结构的数量设为至少两个，至少两个所述支撑结构分别设置于所述槽体的两侧，其中一个所述支撑结构设有多个阴极定位槽和多个阳极定位槽，所述阴极定位槽和所述阳极定位槽间隔排布，所述阴极定位槽和所述阳极定位槽的形状和/或大小不同；

6、导电结构，所述导电结构的数量设为两个，所述导电结构设置于所述支撑结构远离所述槽体的一侧。

7、通过上述技术方案，工作人员往电解池中插入铟电解阴极板和铟电解阳极板，使铟电解阳极板的一端置入阳极定位槽、铟电解阴极板的一端置入阴极定位槽，通过阴极定位槽和阳极定位槽对铟电解阴极板和铟电解阳极板的位置进行定位，使两者保持合适的距离，避免以往没有定位槽需要靠工作人员凭经验调节或者用尺子度量以调节铟电解阴极板和铟电解阳极板的间距，可保证较好的电解效果。

8、作为上述技术方案的进一步改进，所述阴极定位槽设置为半圆槽状结构。

9、作为上述技术方案的进一步改进，位于所述槽体两侧的两个所述支撑结构的所述阴极定位槽分别设置为第一阴极槽和第二阴极槽，所述第一阴极槽与所述第二阴极槽的半径不同。

10、通过上述技术方案，当本铟电解精炼极板插反后，直径较大的导电部会与阴极定位槽匹配，导电部会由于与阴极定位槽不匹配而被抬起，可避免导电部与设置为负极的导电结构接触，保证电解工作的正常运行。

11、作为上述技术方案的进一步改进，所述第一阴极槽的槽底高于所述导电结构的上端面。

12、通过上述技术方案，在正常状态时，铟电解阴极板的圆柱状铜棒的一端无法接触到对应的导电结构，可保证电解工作的正常运行。

13、作为上述技术方案的进一步改进，所述阳极定位槽设置为矩形槽状结构。

14、作为上述技术方案的进一步改进，所述槽体的一侧设有阳极台阶槽。

15、本实用新型的有益效果是：避免以往没有定位槽需要靠工作人员凭经验调节或者用尺子度量以调节铟电解阴极板和铟电解阳极板的间距，可保证较好的电解效果。

16、本实用新型用于铟电解技术领域。

技术特征：

1.一种铟提纯电解槽，其特征在于：包括： 槽体； 支撑结构，所述支撑结构的数量设为至少两个，至少两个所述支撑结构分别设置于所述槽体的两侧，其中一个所述支撑结构设有多个阴极定位槽和多个阳极定位槽，所述阴极定位槽和所述阳极定位槽间隔排布，所述阴极定位槽和所述阳极定位槽的形状和/或大小不同； 导电结构，所述导电结构的数量设为两个，所述导电结构设置于所述支撑结构远离所述槽体的一侧。

2.根据权利要求1所述的一种铟提纯电解槽，其特征在于：所述阴极定位槽设置为半圆槽状结构。

3.根据权利要求1所述的一种铟提纯电解槽，其特征在于：位于所述槽体两侧的两个所述支撑结构的所述阴极定位槽分别设置为第一阴极槽和第二阴极槽，所述第一阴极槽与所述第二阴极槽的半径不同。

4.根据权利要求3所述的一种铟提纯电解槽，其特征在于：所述第一阴极槽的槽底高于所述导电结构的上端面。

5.根据权利要求1所述的一种铟提纯电解槽，其特征在于：所述阳极定位槽设置为矩形槽状结构。

6.根据权利要求1所述的一种铟提纯电解槽，其特征在于：所述槽体的一侧设有阳极台阶槽。

技术总结
本技术公开了一种铟提纯电解槽，包括：槽体；支撑结构，所述支撑结构的数量设为至少两个，至少两个所述支撑结构分别设置于所述槽体的两侧，其中一个所述支撑结构设有多个阴极定位槽和多个阳极定位槽，所述阴极定位槽和所述阳极定位槽间隔排布，所述阴极定位槽和所述阳极定位槽的形状和/或大小不同；导电结构，所述导电结构的数量设为两个，所述导电结构设置于所述支撑结构远离所述槽体的一侧。通过上述技术方案，避免以往没有定位槽需要靠工作人员凭经验调节或者用尺子度量以调节铟电解阴极板和铟电解阳极板的间距，可保证较好的电解效果。

技术研发人员：彭源,曾纪斌,彭茜,潘厚霖
受保护的技术使用者：广东利昌新材料有限公司
技术研发日：20220822
技术公布日：2024/1/11