粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板的制作方法

本发明涉及粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板。

背景技术：

1、在印刷电路板的制造工序中，铜箔以与绝缘树脂基材贴合的覆铜层叠板的形式被广泛使用。在这点上，为防止在印刷电路板制造时发生布线的剥落，期望铜箔与绝缘树脂基材间具有高密合力。因此，在通常的印刷电路板制造用铜箔中，会在铜箔的贴合面实施粗糙化处理从而形成由微细的铜颗粒构成的凹凸，并通过冲压加工使该凹凸咬入绝缘树脂基材的内部从而发挥锚固效果，由此提高密合性。

2、作为进行了这种粗糙化处理的铜箔，例如，在专利文献1(日本特开2018-172785号公报)中公开了一种表面处理铜箔，其具有铜箔、且在铜箔的至少一个表面具有粗糙化处理层，粗糙化处理层侧表面的算术平均粗糙度ra为0.08μm以上且0.20μm以下，粗糙化处理层侧表面的td(宽度方向)的光泽度为70％以下。根据这样的表面处理铜箔，可以良好地抑制设置于铜箔表面的粗糙化颗粒的脱落，并且可以良好地抑制与绝缘基板贴合时的褶皱和条纹的发生。

3、但是，随着近几年便携式电子设备等的高功能化，为了大容量数据的高速处理，无论是数字信号还是模拟信号，信号的高频化不断发展，要求适用于高频用途的印刷电路板。对于这种高频用印刷电路板，为了能够使高频信号不发生劣化地进行传输，期望降低传输损耗。印刷电路板具备加工成布线图案的铜箔和绝缘基材，但作为传输损耗中主要的损耗，可列举出由铜箔引起的导体损耗和由绝缘基材引起的介电损耗。

4、在这点上，提出一种实现了传输损耗的降低的粗糙化处理铜箔。例如，在专利文献2(日本特开2015-148011号公报)中公开了，以提供信号的传输损耗小的表面处理铜箔及使用该表面处理铜箔的层叠板等为目的，通过表面处理将铜箔表面的依据jis b0601-2001的偏度rsk控制在-0.35以上且0.53以下这一规定范围等。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1:日本特开2018-172785号公报

8、专利文献2:日本特开2015-148011号公报

技术实现思路

1、如上所述，近年来，要求提高印刷电路板的传输特性(高频特性)。为了应对这样的要求，尝试了对铜箔的与绝缘树脂基材的接合面进行更微细的粗糙化处理。即，为了降低成为增大传输损耗的主要原因的铜箔表面的凹凸，考虑对波纹度小的铜箔表面(例如双面平滑箔的表面、电解铜箔的电极面)进行微细粗糙化处理。然而，在使用这样的粗糙化处理铜箔进行覆铜层叠板的加工和/或印刷电路板的制造的情况下，一般会产生铜箔-基材间的剥离强度低、密合可靠性差的问题。

2、本发明人等此次获得了如下见解：在粗糙化处理铜箔的表面，通过将基于突出峰部的实体体积vmp、中心部的实体体积vmc和峰顶点密度spd而计算出的微小顶端颗粒体积及截面高度差rdc控制在规定范围，在使用其制造的覆铜层叠板和/或印刷电路板中，能够兼顾优异的传输特性和高剥离强度。

3、因此，本发明的目的在于，提供一种在用于覆铜层叠板和/或印刷电路板的情况下，能够兼顾优异的传输特性和高剥离强度的粗糙化处理铜箔。

4、根据本发明，提供以下方式。

5、[方式1]

6、一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，

7、所述粗糙化处理面的、基于每单位面积的突出峰部的实体体积vmp(μm3/μm2)、每单位面积的中心部的实体体积vmc(μm3/μm2)和每单位面积的峰顶点密度spd(个/μm2)并通过(vmp+vmc)/spd的公式计算出的微小顶端颗粒体积为1.300μm3/个以下，且截面高度差rdc为0.95μm以上，

8、所述vmp、vmc和spd是依据iso25178在倍率为200倍、基于s滤波器的截止波长为0.3μm以及基于l滤波器的截止波长为5μm的条件下测定的值，

9、所述rdc是依据jis b0601-2013在倍率为20倍、不进行基于截止值λs的截止以及基于截止值λc的截止波长为320μm的条件下测定的粗糙度曲线中的、以负载长度比(rmr1)20％和负载长度比(rmr2)80％处的高度方向的截面高度c之差(c(rmr1)-c(rmr2))的形式得到的值。

10、[方式2]

11、根据方式1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的所述截面高度差rdc为1.10μm以上且20.00μm以下。

12、[方式3]

13、根据方式1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的每单位面积的所述中心部的实体体积vmc为0.360μm3/μm2以下。

14、[方式4]

15、根据方式1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的所述突出峰部的实体体积vmp与所述中心部的实体体积vmc之和即vmp+vmc为0.380μm3/μm2以下。

16、[方式5]

17、根据方式1～4中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的界面扩展面积比sdr为70％以下，所述sdr是依据iso25178在倍率为200倍、基于s滤波器的截止波长为0.3μm以及基于l滤波器的截止波长为5μm的条件下测定的值。

18、[方式6]

19、根据方式1～5中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的中心部的水平差sk为1.50μm以上，所述sk是依据iso25178在倍率为20倍、不进行基于s滤波器的截止以及基于l滤波器的截止波长为320μm的条件下测定的值。

20、[方式7]

21、根据方式1～6中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的极点高度sxp为1.10μm以上，所述sxp是依据iso25178在倍率为20倍、不进行基于s滤波器的截止以及基于l滤波器的截止波长为320μm的条件下测定的值。

22、[方式8]

23、根据方式1～7中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的每单位面积的所述峰顶点密度spd为0.12个/μm2以上且0.46个/μm2以下。

24、[方式9]

25、根据方式1～8中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其在所述粗糙化处理面还具备防锈处理层和/或硅烷偶联剂处理层。

26、[方式10]

27、根据方式1～9中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理铜箔为电解铜箔，所述粗糙化处理面存在于电解铜箔的析出面侧。

28、[方式11]

29、一种覆铜层叠板，其具备方式1～10中任一项所述的粗糙化处理铜箔。

30、[方式12]

31、一种印刷电路板，其具备方式1～10中任一项所述的粗糙化处理铜箔。

技术特征：

1.一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，

2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的所述截面高度差rdc为1.10μm以上且20.00μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的每单位面积的所述中心部的实体体积vmc为0.360μm3/μm2以下。

4.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的所述突出峰部的实体体积vmp与所述中心部的实体体积vmc之和即vmp+vmc为0.380μm3/μm2以下。

5.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的界面扩展面积比sdr为70％以下，所述sdr是依据iso25178在倍率为200倍、基于s滤波器的截止波长为0.3μm以及基于l滤波器的截止波长为5μm的条件下测定的值。

6.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的中心部的水平差sk为1.50μm以上，所述sk是依据iso25178在倍率为20倍、不进行基于s滤波器的截止以及基于l滤波器的截止波长为320μm的条件下测定的值。

7.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的极点高度sxp为1.10μm以上，所述sxp是依据iso25178在倍率为20倍、不进行基于s滤波器的截止以及基于l滤波器的截止波长为320μm的条件下测定的值。

8.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理面的每单位面积的所述峰顶点密度spd为0.12个/μm2以上且0.46个/μm2以下。

9.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其在所述粗糙化处理面还具备防锈处理层和/或硅烷偶联剂处理层。

10.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理铜箔为电解铜箔，所述粗糙化处理面存在于电解铜箔的析出面侧。

11.一种覆铜层叠板，其具备权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔。

12.一种印刷电路板，其具备权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔。

技术总结
提供一种在用于覆铜层叠板和/或印刷电路板的情况下，能够兼顾优异的传输特性和高剥离强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的、基于突出峰部的实体体积Vmp、中心部的实体体积Vmc和峰顶点密度Spd并通过(Vmp+Vmc)/Spd的公式计算出的微小顶端颗粒体积为1.300μm<supgt;3</supgt;/个以下，且截面高度差Rdc为0.95μm以上。Vmp、Vmc和Spd是依据ISO25178测定的值，Rdc是依据JIS B0601‑2013以负载长度比20％和80％处的高度方向的截面高度c之差的形式得到的值。

技术研发人员：加藤翼,立冈步,杨博钧,川口彰太
受保护的技术使用者：三井金属矿业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1