铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板的制作方法

文档序号:36429327发布日期:2023-12-21 02:43阅读:33来源:国知局
铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板的制作方法

本发明涉及用于制造铜箔的铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板,所述铜箔用于制造二次电池用负极、柔性印刷电路板等各种产品。


背景技术:

1、铜箔用于制造二次电池用负极、柔性印刷电路板(flexible printed circuitboard:fpcb)等各种产品。这种铜箔通过在阳极和阴极之间供应电解液之后使电流流动的电镀方式来制造。

2、如上所述,在通过电镀方式制造铜箔时,使用铜箔制造装置。铜箔制造装置包括:阴极鼓,利用电解液来以电镀方式电沉积(electrodeposition)铜箔;阳极板,通过电解液与所述阴极鼓通电;以及阳极本体,支撑所述阳极板。所述阳极板通过诸如螺钉的基底紧固构件与所述阳极本体结合。

3、在此,在现有技术的铜箔制造装置中,所述基底紧固构件和所述阳极板因组装阶梯差而与所述阳极本体结合成从所述阴极鼓隔开不同的距离。因此,在现有技术的铜箔制造装置中,由于所述基底紧固构件和所述阳极板的周围形成不同的电流密度,导致电解液中的电流密度不会均匀地形成。由此,在现有技术的铜箔制造装置中,由于电沉积到所述阴极鼓的铜箔的厚度不能均匀地形成,因而存在铜箔的品质下降的问题。


技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、本发明是为了解决如上所述的问题而提出的,其目的在于,提供一种能够防止由于基底紧固构件而使电流密度不均匀地形成而导致的铜箔的品质下降的铜箔制造装置。

3、解决问题的技术方案

4、为了解决如上所述的问题,本发明可以包括如下构成。

5、本发明可以包括:阴极鼓,利用电解液来以电镀方式电沉积铜箔;阳极板,通过电解液与所述阴极鼓通电;阳极本体,支撑所述阳极板;以及收卷部,收卷从所述阴极鼓供应的铜箔。所述阳极板可以包括:基底部,结合于所述阳极本体;第一连接部,以与所述基底部的一部分重叠的方式结合于所述阳极本体;以及基底紧固部,将所述基底部结合于所述阳极本体。所述第一连接部可以包括:第一遮挡构件,被配置成与所述基底部重叠;以及第一倾斜构件,以所述第一遮挡构件为基准倾斜地延伸。所述第一遮挡构件可以被配置成在所述基底紧固部和所述阴极鼓之间遮挡所述基底紧固部。

6、发明效果

7、根据本发明,能够实现如下效果。

8、在本发明中,用于将阳极板结合于阳极本体的基底紧固部被第一连接部遮挡而不直接向外部露出。由此,本发明能够通过减小在阳极板周围形成的电流密度的偏差,来提高电解液中的电流密度的均匀性。因此,本发明能够制造具有高品质的铜箔。



技术特征:

1.一种铜箔制造装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的铜箔制造装置,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的铜箔制造装置,其特征在于,

9.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

10.根据权利要求9所述的铜箔制造装置,其特征在于,

11.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

12.根据权利要求4所述的铜箔制造装置,其特征在于,

13.根据权利要求9所述的铜箔制造装置,其特征在于,

14.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

15.一种铜箔制造装置用阳极板,是用于铜箔制造装置的阳极板(4),其特征在于,包括:

16.根据权利要求15所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,

17.根据权利要求15所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,

18.根据权利要求17所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,

19.根据权利要求18所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,

20.根据权利要求15所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,


技术总结
本发明涉及铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板,所述铜箔制造装置包括:阴极鼓,利用电解液来以电镀方式电沉积铜箔;阳极板,通过电解液与所述阴极鼓通电;阳极本体,支撑所述阳极板;以及收卷部,收卷从所述阴极鼓供应的铜箔,所述阳极板包括:基底部,结合于所述阳极本体;第一连接部,以与所述基底部的一部分重叠的方式结合于所述阳极本体;以及基底紧固部,将所述基底部结合于所述阳极本体,所述第一连接部包括:第一遮挡构件,被配置成与所述基底部重叠;以及第一倾斜构件,以所述第一遮挡构件为基准倾斜地延伸,所述第一遮挡构件被配置成在所述基底紧固部和所述阴极鼓之间遮挡所述基底紧固部。

技术研发人员:高秀姃,金惠媛,金东佑
受保护的技术使用者:SK纳力世有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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