铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板的制作方法

文档序号:36456323发布日期:2023-12-21 17:05阅读:32来源:国知局
铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板的制作方法

本发明涉及用于制造铜箔的铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板,所述铜箔用于制造二次电池用负极、柔性印刷电路板等各种产品。


背景技术:

1、铜箔用于制造二次电池用负极、柔性印刷电路板(flexible printed circuitboard:fpcb)等各种产品。这种铜箔通过在阳极和阴极之间供应电解液之后使电流流动的电镀方式来制造。

2、如上所述,在通过电镀方式制造铜箔时,使用铜箔制造装置。铜箔制造装置包括:阴极鼓,利用电解液来以电镀方式电沉积(electrodeposition)铜箔;阳极板,通过电解液与所述阴极鼓通电;以及阳极本体,支撑所述阳极板。所述阳极板通过诸如螺钉的基底紧固构件与所述阳极本体结合。

3、在此,在现有技术的铜箔制造装置中,所述基底紧固构件和所述阳极板可能因组装阶梯差而与所述阳极本体结合成从所述阴极鼓隔开不同的距离。因此,在现有技术的铜箔制造装置中,由于所述基底紧固构件和所述阳极板的周围形成不同的电流密度,导致电解液中的电流密度不会均匀地形成。由此,在现有技术的铜箔制造装置中,由于电沉积到所述阴极鼓的铜箔的厚度不能均匀地形成,因而存在铜箔的品质下降的问题。


技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、本发明是为了解决如上所述的问题而提出的,其目的在于,提供一种能够防止由于基底紧固构件而使电流密度不均匀地形成而导致的铜箔的品质下降的铜箔制造装置。

3、解决问题的技术方案

4、为了解决如上所述的问题,本发明可以包括如下构成。

5、本发明可以包括:电沉积部,利用电解液来以电镀方式电沉积铜箔;以及收卷部,收卷从所述电沉积部供应的铜箔。所述电沉积部可以包括:阴极鼓,利用电解液来以电镀方式电沉积电解铜箔;以及阳极部,通过电解液与所述阴极鼓通电。所述阳极部可以包括:阳极本体,与所述阴极鼓隔开;复数个阳极板,配置在所述阳极本体的上表面;以及复数个紧固部,使所述阳极板分别紧固于所述阳极本体。所述阳极板中的第一阳极板可以通过所述紧固部中的第一紧固构件与所述阳极本体结合。所述阳极板中的第二阳极板可以通过所述紧固部中的第二紧固构件与所述阳极本体结合。所述第二阳极板可以包括:第二遮挡构件,以遮挡所述第一紧固构件的方式配置在所述第一阳极板的上表面;以及第二结合构件,供所述第二紧固构件插入。

6、发明效果

7、根据本发明,能够实现如下效果。

8、在本发明中,用于将阳极板结合于阳极本体的紧固部被另一个阳极板遮挡而不直接向外部露出。由此,本发明能够通过减小在阳极板周围形成的电流密度的偏差,来提高电解液中的电流密度的均匀性。因此,本发明能够制造具有高品质的铜箔。



技术特征:

1.一种铜箔制造装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的铜箔制造装置,其特征在于,

5.根据权利要求3所述的铜箔制造装置,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的铜箔制造装置,其特征在于,

8.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

9.根据权利要求2所述的铜箔制造装置,其特征在于,

10.根据权利要求1所述的铜箔制造装置,其特征在于,

11.一种铜箔制造装置用阳极板,是用于铜箔制造装置的阳极板(6),其特征在于,包括:

12.根据权利要求11所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,

13.根据权利要求12所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,

14.根据权利要求12所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,

15.根据权利要求12所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,

16.根据权利要求12所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,

17.根据权利要求12所述的铜箔制造装置用阳极板,其特征在于,


技术总结
涉及铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板,铜箔制造装置包括:电沉积部,利用电解液来以电镀方式电沉积铜箔;以及收卷部,收卷从电沉积部供应的铜箔,电沉积部包括:阴极鼓,利用电解液来以电镀方式电沉积电解铜箔;以及阳极部,通过电解液与阴极鼓通电,阳极部包括:阳极本体,与阴极鼓隔开;复数个阳极板,配置在阳极本体的上表面;以及复数个紧固部,使阳极板分别紧固于阳极本体,阳极板中的第一阳极板通过紧固部中的第一紧固构件与阳极本体结合,阳极板中的第二阳极板通过紧固部中的第二紧固构件与阳极本体结合,第二阳极板包括:第二遮挡构件,以遮挡第一紧固构件的方式配置在第一阳极板的上表面;以及第二结合构件,供第二紧固构件插入。

技术研发人员:高秀姃,金惠媛,金东佑
受保护的技术使用者:SK纳力世有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1