本技术属于镓生产装置制造技术,具体涉及一种电解镓装置。
背景技术:
1、镓是一种低熔点高沸点的稀散金属,有“电子工业脊梁”的美誉。镓的化合物是优质的半导体材料,被广泛应用到光电子工业和微波通信工业,用于制造微波通讯与微波集成、红外光学与红外探测器件、集成电路、发光二极管等。其中镓镁合金是由金属镓和金属镁有化合成的产物,它主要用于制备高纯度金属有机化合物(mo源)例如:三甲基镓,三乙基镓等,作为mocvd外延的主要镓源,广泛用于在硅衬底片及砷化镓,氮化镓等化合物半导体材料上的外延生长。
2、在实际生产过程中,需要对粗镓半成品进行电解提纯,通过将原料镓作为阳极置入碱液中反应得到gao2-,而后以gao2-在阴极铂上析出得到高纯ga,在反应结束后,通常会采取刮取方式将阴极铂上的高纯镓刮下,此方式在镓层较厚区域可以得到有效成分,但当刮取至镓层与铂层之间的临界区域时,由于镓层边界的形态不规则,镓层在阴极铂各个面上的生长位置不受控制,导致镓层与铂层的边界轮廓被覆盖,使边界轮廓形态模糊、可识别性差,因此通过视觉判断的边界位置较为模糊,使得刮取作业的操作边界难以定位,容易将铂层物料刮下,造成刮取物料中掺入新的杂质,增加后续二次提纯的负荷并限制了镓生产的品质和效率,因此,需要一种新的技术方案加以改善。
技术实现思路
1、针对上述现有技术中的不足,本实用新型提供了一种电解镓装置,令电解镓层与铂层的边界位置清晰化,准确定位刮取边界,有效避免刮取物料中杂质的掺入,确保刮取物料纯度并以此提高镓生产的品质和效率。
2、本实用新型通过以下技术方案实施:一种电解镓装置,包括反应器,其中,所述反应器顶部设有安装架,所述安装架下方悬挂设有阳极体、阴极体,所述阳极体材质为镓,所述阴极体材质为铂,所述反应器内盛有电解液,所述阳极体、所述阴极体皆浸入所述电解液中;所述阴极体为板状体,所述阴极体的板体周边贴附设有定型框,所述定型框对所述阴极体的板体侧表面完全覆盖,并超出所述阴极体的正表面、背表面,所述定型框由耐腐蚀透明材料制成,所述阳极体、所述阴极体分别与电源装置的正极、负极导通;所述定型框侧表面的居中部位设有零刻度线,所述零刻度线两侧对称设有两个位置刻度,所述位置刻度的刻度线排列方向与所述定型框的框体开口方向相同。
3、进一步的,所述阳极体、所述定型框上皆设有挂耳,所述安装架通过两个线体分别对所述阳极体、所述定型框的所述挂耳进行悬挂。
4、进一步的,所述定型框上设有贯穿孔,所述阳极体通过导线与所述电源装置正极导通,所述阴极体通过贯穿所述贯穿孔的导线与所述电源装置负极导通。
5、进一步的,所述定型框材质为pctg。
6、进一步的,所述电解液含有naoh。
7、本实用新型的有益效果是:利用阴极体板体四周包裹定型框作为电解镓层的形态导引,有效控制电解镓层的生长位置并使其边界形态规则化,再借助定型框的透明侧壁及位置刻度的校核,令电解镓层与铂层的边界位置清晰化;同时,在完成电解后推移阴极体并按照计算尺寸校核,可确保阴极体的电解边界正好对齐定型框端面,利用定型框端面作为刮取动作的限制体,令刮取动作的深度及时中止于电解边界部位,以此准确定位刮取边界,有效避免刮取物料中杂质的掺入,确保刮取物料纯度并以此提高镓生产的品质和效率。
1.一种电解镓装置,包括反应器,其特征在于,所述反应器顶部设有安装架,所述安装架下方悬挂设有阳极体、阴极体,所述阳极体材质为镓,所述阴极体材质为铂,所述反应器内盛有电解液,所述阳极体、所述阴极体皆浸入所述电解液中;所述阴极体为板状体,所述阴极体的板体周边贴附设有定型框,所述定型框对所述阴极体的板体侧表面完全覆盖,并超出所述阴极体的正表面、背表面,所述定型框由耐腐蚀透明材料制成。
2.如权利要求1所述的电解镓装置,其特征在于,所述阳极体、所述阴极体分别与电源装置的正极、负极导通。
3.如权利要求2所述的电解镓装置,其特征在于,所述定型框上设有贯穿孔,所述阳极体通过导线与所述电源装置正极导通,所述阴极体通过贯穿所述贯穿孔的导线与所述电源装置负极导通。
4.如权利要求1所述的电解镓装置,其特征在于,所述定型框侧表面的居中部位设有零刻度线,所述零刻度线两侧对称设有两个位置刻度,所述位置刻度的刻度线排列方向与所述定型框的框体开口方向相同。
5.如权利要求1所述的电解镓装置,其特征在于,所述阳极体、所述定型框上皆设有挂耳,所述安装架通过两个线体分别对所述阳极体、所述定型框的所述挂耳进行悬挂。
6.如权利要求1所述的电解镓装置,其特征在于,所述定型框材质为pctg。
7.如权利要求1所述的电解镓装置,其特征在于,所述电解液含有naoh。