卷对卷连续镀IC引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构的制作方法

文档序号:35038187发布日期:2023-08-05 21:59阅读:53来源:国知局
卷对卷连续镀IC引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构的制作方法

本申请涉及车规级汽车芯片制造的,尤其是涉及一种卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构。


背景技术:

1、电镀是指在含有欲镀金属的盐类溶液中,以被镀基体金属为阴极,通过电解作用,使镀液中欲镀金属的阳离子在基体金属表面沉积出来,形成镀层的一种表面加工方法。通过在ic引线框架镀上镍层可以改善ic引线框架的表面硬度和耐腐蚀性,增强其光泽度和装饰性,并且提高ic引线框架的导电性能。

2、参照图1,目前现有的电镀阳极导电结构包括子槽1、导电连接件101、钛篮102以及电镀件103。将子槽1安装在母槽内,母槽内盛装有电解的药水,子槽1与母槽连通。在电镀过程中先向钛篮102中加入镍饼,然后使导电连接件101通电,从而将镍镀在电镀件103的表面。

3、参照图2,由于电流路径是从正极到负极(其中,钛篮102上连通的导电连接件101为正极,电镀件103为负极),电流的行径路线是直线的,因此现有的电镀阳极导电结构的电流是从子槽1的两个侧面通向电镀件103的侧面。

4、目前,车规级汽车芯片产品要求的镍层膜厚需要达到150μ的厚度、电流需要达到的设定值在200-250a。在上述导电方式下,对镍层膜厚达到150μ的高膜厚产品进行电镀时,产线速度只能1m-1.5m,并且由于高膜厚导致上述阳极导电方式的导电面积小、电阻大,使得电压升至额定值后,电镀所需的电流还是达不到稳流所需的电流值。若增大电压,使得电压超过标准作业程序设定范围后,产品会出现烧焦、脱皮等致命性异常;若保持电压,则产品膜厚的均匀性和膜厚的设定值无法达到。


技术实现思路

1、为了增大导电面积,减小对高膜厚产品电镀的导电电阻,提高高膜厚产品的质量,本申请提供一种卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构。

2、本申请提供的一种卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构采用如下的技术方案:

3、一种卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,包括:

4、子槽,所述子槽用于放置在母槽内,所述子槽内开设有供沿水平方向延伸的电镀片穿过的过孔;

5、下阳极篮,安装在所述子槽的底部,所述下阳极篮用于盛装镍饼;

6、上阳极篮,安装在所述子槽的开口处,所述上阳极篮的底部位于所述子槽内,所述上阳极篮用于盛装镍饼;

7、导电连接条,安装在子槽的一侧,所述下阳极篮和所述上阳极篮均电性连接在所述导电连接条上,所述导电连接条用于与电源阳极电性连接。

8、通过采用上述技术方案,利用导电连接条将下阳极篮和上阳极篮进行通电,从而使得电镀片在子槽内进行镀镍时,电流的从电镀片的上下两面通向电镀片,使得导电的有效面积增大,有效的降低了电阻,对高膜厚电镀产品所要求的高电流的稳定性起到了很好的降电阻降电压的作用,从而提高了高膜厚产品的质量。

9、可选的,所述下阳极篮的至少一侧向上延伸有侧阳极篮,所述侧阳极篮上固定连接有导电固定件,所述导电固定件用于与所述导电连接条电性连接。

10、通过采用上述技术方案,侧阳极篮的设置使得电镀片侧向也有电流通过,进一步的增大了导电有效面积,并且侧阳极篮也用来盛装镍饼,同时侧阳极篮的设置增大了储存镍饼的数量,并且便于通过侧阳极篮来添加镍饼。

11、可选的,所述上阳极篮固定连接有支脚,所述支脚呈弯折设置,所述支脚弯折的部分抵接在所述侧阳极篮的侧壁上,所述支脚与所述导电连接条电性连接。

12、通过采用上述技术方案,利用支脚抵接在侧阳极篮的侧壁上实现对上阳极篮的限位,使得上阳极篮的连接更加稳定,同时还起到导电的作用。

13、可选的,所述下阳极篮的底部呈圆弧形设置,所述下阳极篮底部圆弧形开口朝向所述下阳极篮的内部,所述下阳极篮上开设有清理口,所述清理口的侧壁上固定连接有搭接板,所述搭接板上搭接有钛网板。

14、通过采用上述技术方案,将下阳极篮的底部设置为圆弧形状便于收集镍饼电解后的残渣杂质,再通过将钛网板取下来对下阳极篮内的镍饼残渣进行清理。

15、可选的,所述下阳极篮上固定连接有固定件,所述固定件用于与所述子槽进行固定连接。

16、通过采用上述技术方案,固定件的设置便于与子槽进行连接接,并且使得连接更加稳定。

17、可选的,所述子槽内开设有支撑槽,所述支撑槽内搭接有支撑板,所述支撑板用于支撑所述上阳极篮。

18、通过采用上述技术方案,支撑板的设置对上阳极篮进行支撑,减小了上阳极篮连接处的受力,使得上阳极篮内盛装镍饼时更加稳定。

19、可选的,所述上阳极篮上固定连接有限位件,所述限位件卡接在所述子槽的侧壁上,所述限位件用于对所述上阳极篮进行限位。

20、通过采用上述技术方案,限位件的设置便于将上阳极篮放置在支撑板时进行限位,从而便于上阳极篮与下阳极篮之间进行连接。

21、可选的,所述子槽内固定连接有引流块,所述引流块上开设有引流通道,所述引流通道用于将所述子槽与所述母槽连通

22、通过采用上述技术方案,引流块和引流通道的设置使得子槽与母槽中药水的充分循环。

23、可选的,所述子槽的两侧固定连接有注水块,所述注水块内开设有注水通道,所述注水通道的进水口位于所述注水块的底部,所述注水通道与所述引流通道连通。

24、通过采用上述技术方案,使得母槽中药水低于子槽也能将药水引入子槽内。

25、可选的,所述子槽上滑动连接有挡水板,所述挡水板位于所述电镀片的上方。

26、通过采用上述技术方案,挡水板的设置便于适配电镀片的不同厚度,同时能控制子槽内的药水水位,使得上阳极篮的底部和电镀片充分浸泡在药水中。

27、综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:

28、1.通过子槽、电镀片、下阳极篮、上阳极篮以及导电连接条的配合,使得电镀片上下两侧进行电流通过,从而增大导电面积,减小对高膜厚产品电镀的导电电阻,达到了提高高膜厚产品质量的效果;

29、2.通过子槽、电镀片、下阳极篮、上阳极篮以及侧阳极篮的配合,使得电镀片四个方向上均进行电流通过,进一步的增大导电面积,减小对高膜厚产品电镀的导电电阻,提高了高膜厚产品的质量;

30、3.通过将下阳极篮的底部设置成圆弧状,并在下阳极篮上开设清理口,从而达到了便于对下阳极篮内电解后的镍饼残渣进行清理。



技术特征:

1.一种卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,其特征在于:所述下阳极篮(2)的至少一侧向上延伸有侧阳极篮(7),所述侧阳极篮(7)上固定连接有导电固定件(71),所述导电固定件(71)用于与所述导电连接条(4)电性连接。

3.根据权利要求2所述的卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,其特征在于:所述上阳极篮(3)固定连接有支脚(31),所述支脚(31)呈弯折设置,所述支脚(31)弯折的部分抵接在所述侧阳极篮(7)的侧壁上,所述支脚(31)与所述导电连接条(4)电性连接。

4.根据权利要求2所述的卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,其特征在于:所述下阳极篮(2)的底部呈圆弧形设置,所述下阳极篮(2)底部圆弧形开口朝向所述下阳极篮(2)的内部,所述下阳极篮(2)上开设有清理口(21),所述清理口(21)上可拆卸安装有钛网板(23)。

5.根据权利要求1所述的卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,其特征在于:所述下阳极篮(2)上固定连接有固定件(24),所述固定件(24)用于与所述子槽(1)进行固定连接。

6.根据权利要求1所述的卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,其特征在于:所述子槽(1)内开设有支撑槽(18),所述支撑槽(18)内搭接有支撑板(6),所述支撑板(6)用于支撑所述上阳极篮(3)。

7.根据权利要求6所述的卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,其特征在于:所述上阳极篮(3)上固定连接有限位件(32),所述限位件(32)卡接在所述子槽(1)的侧壁上,所述限位件(32)用于对所述上阳极篮(3)进行限位。

8.根据权利要求1所述的卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,其特征在于:所述子槽(1)内固定连接有引流块(15),所述引流块(15)上开设有引流通道(16),所述引流通道(16)用于将所述子槽(1)与所述母槽连通。

9.根据权利要求8所述的卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,其特征在于:所述子槽(1)的两侧固定连接有注水块(12),所述注水块(12)内开设有注水通道(13),所述注水通道(13)的进水口(14)位于所述注水块(12)的底部,所述注水通道(13)与所述引流通道(16)连通。

10.根据权利要求1-9中任意一项所述的卷对卷连续镀ic引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,其特征在于:所述子槽(1)的侧壁上沿竖直方向滑动连接有挡水板(17),所述挡水板(17)位于所述电镀片(5)的上方。


技术总结
本申请涉及车规级汽车芯片的技术领域,尤其是涉及一种卷对卷连续镀IC引线框架镍层高膜厚电镀阳极导电结构,包括子槽,子槽用于安装在母槽内,子槽的开口朝上,子槽底部安装有下阳极篮,子槽的开口处安装有上阳极篮。子槽的侧壁上安装有导电连接条,上阳极篮和下阳极篮分别连接在导电连接条连接上,导电连接条用于与电源阳极电性连接。子槽中沿水平方向穿设有电镀片,电镀片位于上阳极篮和下阳极篮之间。在进行电镀的过程中,利用导电连接条对上阳极篮和下阳极篮通电,使得电流流向电镀片的上下两个平面,从而增大了电镀片的导电面积,减小对高膜厚产品电镀的导电电阻。本申请具有提高高膜厚产品质量的效果。

技术研发人员:郑建国,罗小平,潘立文
受保护的技术使用者:崇辉半导体(江门)有限公司
技术研发日:20230308
技术公布日:2024/1/13
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1