本技术涉及密封圈领域,尤其涉及一种高密封性的半导体密封圈。
背景技术:
1、半导体密封圈,是通过对半导体物件或者零件进行密封处理的一种密封圈。
2、经检索,中国专利公开了密封圈及半导体真空设备(公布号为cn214063773u),该专利技术,属于密封圈领域,所述密封圈设置在半导体真空设备的真空箱的密封槽中,以使所述半导体真空设备中的真空箱和盖板密封,所述密封圈包括环形的圈身,所述密封圈包括相对设置的内侧壁和外侧壁,所述内侧壁和/或所述外侧壁具有毛边结构,所述内侧壁和所述外侧壁的至少一面侧壁设有凸起结构,且所述内侧壁和所述外侧壁分别朝向所述密封槽的两面内侧壁设置。
3、针对上述中的相关技术,仍然存在以下缺陷:密封圈本身密封性和耐磨性较差,容易发生泄露的情况。
技术实现思路
1、本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种高密封性的半导体密封圈,有高效的密封性和较低成本,耐磨损,不会产生泄露的情况。
2、为实现上述目的,本实用新型提供了如下技术方案:一种高密封性的半导体密封圈,包括密封圈主体,密封圈主体上端面内侧设有翻边,密封圈主体内侧固定连接有内膜,密封圈主体外侧固定连接有外保护套,密封圈主体上端面上段内侧设有外凸弧形曲面,密封圈主体上端面下段内侧设有内凹弧形曲面,密封圈主体上端面开设有沟槽,密封圈主体上端面固定连接有与沟槽相配合的内垫片,密封圈主体底部开设有向内部凹陷的拱形腔体,密封圈主体底部固定连接有与拱形腔体相配合的外垫片;
3、通过上述技术方案,密封圈主体内侧固定连接有内膜,密封圈主体外侧固定连接有外保护套,密封圈主体上端面固定连接有与沟槽相配合的内垫片,密封圈主体底部固定连接有与拱形腔体相配合的外垫片,增强密封性,不会发生泄露的情况。
4、进一步地,所述密封圈主体采用氟胶材质;
5、通过上述技术方案,有较强的耐酸碱,耐高温和较强的弹性。
6、进一步地,所述外保护套采用三元乙丙材质;
7、通过上述技术方案,有良好的耐温,耐天候老化和臭氧老化等性能。
8、进一步地,所述内垫片采用硅橡胶材质;
9、通过上述技术方案,有突出的耐高低温和很好的弹性。
10、进一步地,所述外垫片采用聚四氟乙烯材质;
11、通过上述技术方案,耐高温,无毒,抗粘性好,有良好的弹性和密封性。
12、进一步地,所述内膜采用氯丁橡胶材质;
13、通过上述技术方案,耐老化,耐溶剂、化学介质等优点。
14、进一步地,所述密封圈主体的任意两个面之间均设有一圆弧过渡段;
15、通过上述技术方案,能有效的增加密封圈整个主体的协调性。
16、进一步地,所述密封圈主体与翻边为一体成型;
17、通过上述技术方案,能有很好的弹性和耐磨性,增加整体的灵活性。
18、本实用新型具有如下有益效果:
19、1、本实用新型中,通过设置密封圈主体采用氟胶材质,该材质有较强的耐酸碱,耐高温和较强的弹性,外保护套采用三元乙丙材质,该材质有良好的耐温,耐天候老化和臭氧老化等性能。
20、2、本实用新型中,通过外力挤压下,密封圈主体受力,接着拱形腔体的两侧能够产生向外的推力,从而使密封圈的外保护套内膜和密封槽贴合的更加紧密。
1.一种高密封性的半导体密封圈,包括密封圈主体(1),其特征在于:所述密封圈主体(1)上端面内侧设有翻边(5),所述密封圈主体(1)内侧固定连接有内膜(10),所述密封圈主体(1)外侧固定连接有外保护套(8),所述密封圈主体(1)上端面上段内侧设有外凸弧形曲面(2),所述密封圈主体(1)上端面下段内侧设有内凹弧形曲面(3),所述密封圈主体(1)上端面开设有沟槽(4),所述密封圈主体(1)上端面固定连接有与沟槽(4)相配合的内垫片(11),所述密封圈主体(1)底部开设有向内部凹陷的拱形腔体(6),所述密封圈主体(1)底部固定连接有与拱形腔体(6)相配合的外垫片(9)。
2.根据权利要求1所述的一种高密封性的半导体密封圈,其特征在于:所述密封圈主体(1)采用氟胶材质。
3.根据权利要求1所述的一种高密封性的半导体密封圈,其特征在于:所述外保护套(8)采用三元乙丙材质。
4.根据权利要求1所述的一种高密封性的半导体密封圈,其特征在于:所述内垫片(11)采用硅橡胶材质。
5.根据权利要求1所述的一种高密封性的半导体密封圈,其特征在于:所述外垫片(9)采用聚四氟乙烯材质。
6.根据权利要求1所述的一种高密封性的半导体密封圈,其特征在于:所述内膜(10)采用氯丁橡胶材质。
7.根据权利要求1所述的一种高密封性的半导体密封圈,其特征在于:所述密封圈主体(1)的任意两个面之间均设有一圆弧过渡段(7)。
8.根据权利要求1所述的一种高密封性的半导体密封圈,其特征在于:所述密封圈主体(1)与翻边(5)为一体成型。