一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置与流程

本发明属于气体均匀设备，具体涉及一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置。

背景技术：

1、多数半导体生产设备需要通入工艺气体，而工艺气体的流量、流速、气体混合后均匀性等参数指标是影响薄膜质量的关键。因此，设计高质量的工艺气体均流方案，并进行均匀生长半导体薄膜材料已成为研究的热点。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

3、一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置，包括：

4、均流盒和设备腔体，所述设备腔体一端安装有均流盒，均流盒进气端增设主路、旁路设计管道，并于主路、旁路管道中安装有质量流量计；

5、均流板，所述均流板设置有两个，分别安装于所述均流盒的两端，且其中一个与主路、旁路管道相连通，另一个与设备腔体相连通；

6、均流孔，所述均流孔设置有多个，开设于所述均流板的表面；

7、进气室，所述均流盒的内部均匀分为三个进气室，三个所述进气室远离所述均流板的一侧均安装有均流框，所述均流框上开设有与进气室相连通的多个均流进气孔；

8、分流腔一，所述分流腔一位于所述均流框的内部且靠近所述均流进气孔；

9、通孔，所述通孔为两个，分别位于分流腔一的两侧；

10、分散孔，所述分散孔设置多个，并与所述通孔相连通；

11、分流腔二，所述分流腔二位于所述分散孔远离所述通孔的一侧；

12、均流出气孔，所述均流出气孔开设于所述均流框远离所述均流进气孔的一端，并与所述分流腔二相连通；

13、出气室，所述出气室为三个，且均匀分布于所述均流盒内靠近另一个所述均流板处。

14、本发明还提供了一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法，包括上述所述的一种改善工艺气体气流均匀性的均流装置，所述均流方法包括以下步骤：

15、设备腔体增设均流盒，在均流盒进气端增设主路、旁路设计，并于主路、旁路中加设质量流量计；

16、气流进入均流盒被分为三部分进入到三个进气室中，进行主分流，随后依次进入到分流腔一，通孔和多个分散孔进行旁路分流；

17、气流由旁路分流后汇聚到分流腔二中并通过均流出气孔到出气室中，由均流盒的均流板中均流孔进入到设备腔体。

18、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

19、(1)本发明在设备腔体进气端增设主路、旁路设计，并于主路、旁路中加设质量流量计，进一步精确控制主路、旁路气体流量比。

20、(2)本发明在进气管与腔室衔接部分设计了一种均流盒，该盒的材质(石英/石墨)根据反应腔室温度而定，气流经过主路、旁路通过均流板上的均流孔进入到均流盒中，并经过三个进气室，对气流进行均流分布，进入进气室的气流，通过均流框上的均流进气孔，分散至分流腔一的两侧，并经过两组由一个通孔和三个分散孔组成的分流区域，进行均匀分散，随后汇聚到分流腔二中，并经过均流出气孔排出到出气室中，实现对充分均匀效果，进一步均匀化气流，改善反应室气流生长环境。

技术特征：

1.一种改善工艺气体气流均匀性的均流装置，其特征在于，包括：

2.一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法，其特征在于，包括如权利要求1所述的一种改善工艺气体气流均匀性的均流装置，所述均流方法包括以下步骤：

技术总结
本发明涉及气体均匀设备技术领域，具体公开了一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置，包括：均流盒、均流板、均流孔、进气室、均流框、均流进气孔、分流腔一、通孔、分散孔、分流腔二、均流出气孔和出气室；本发明在设备腔体进气端增设主路、旁路设计，并于主路、旁路中加设质量流量计，进一步精确控制主路、旁路气体流量比；在进气管与腔室衔接部分设计了一种均流盒，经过进气室的气流，通过均流框上的均流进气孔，分散至分流腔一的两侧，并经过两组由一个通孔和三个分散孔组成的分流区域，进行均匀分散，随后汇聚到分流腔二中，并经过均流出气孔排出到出气室中，实现对充分均匀效果，进一步均匀化气流，改善反应室气流生长环境。

技术研发人员：王小周,李梅溶,张梦龙,韩理想,李京波,郑筌升
受保护的技术使用者：浙江芯科半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15