气体管路的制作方法

本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种气体管路。

背景技术：

1、反式二氯乙烯(trans-dichloroethylene，简称为dce，分子式为c2h2cl2)主要用于晶圆制造过程中加快硅片氧化和清洗炉管，在集成电路晶圆氧化工艺中的应用越来越广泛。但是dce易燃，dce的蒸气与空气可形成爆炸性混合物。遇明火、高热能引起燃烧爆炸。目前dce源通常采用源瓶提供，dce源瓶压力通常为常压，氧化炉炉管也大多是常压工艺，但如果反应腔中是低压工艺，当dce气体刚通入反应腔时，由于dce源瓶与反应腔的压差大，导致大量dce气体瞬间通入反应腔。如果工艺温度很高，会导致dce在反应腔的进气口处发生爆燃，甚至使反应腔进气口处的石英炸裂，损伤反应腔以及腔内的产品。

2、为了减少备件损坏，防止产品报废，亟需提供一种防爆的气体管路，使得相对高压的易燃易爆气体通入相对低压的工艺腔时不易发生爆炸，减少生产事故的发生，降低生产成本。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是提供一种气体管路，用于防止相对高压的易燃易爆气体通入相对低压的工艺腔时发生爆炸，减少生产事故发生，降低生产成本。

2、为了解决上述问题，本实用新型提供了一种气体管路，包括：气源，提供工艺所需气体；反应腔，所述反应腔的进气口通过第一阀门与所述气源连接；控压泵，所述控压泵与所述反应腔的出气口连接；所述气源进一步通过第二阀门与所述控压泵连接。

3、在一些实施例中，所述气源为反式二氯乙烯源。

4、在一些实施例中，通过气源瓶提供所述气源。

5、在一些实施例中，通过气柜提供所述气源。

6、在一些实施例中，所述第一阀门和所述第二阀门的开关状态相反。

7、在一些实施例中，所述第一阀门和所述第二阀门为气动阀。

8、在一些实施例中，所述控压泵与尾气处理装置连接。

9、在一些实施例中，还包括：排酸阀，连接至所述气源与外部的厂务排酸系统。

10、在一些实施例中，所述厂务排酸系统的气压小于所述气源的气压。

11、上述技术方案，提供了一种气体管路，所述气体管路包括：气源、反应腔以及控压泵；所述反应腔的进气口通过第一阀门与所述气源连接，所述控压泵与所述反应腔的出气口连接，所述气源进一步通过第二阀门与所述控压泵连接。当所述气源的气压高于所述反应腔的气压时，通过先关闭所述第一阀门，打开所述第二阀门，使所述气源的气体通过所述第二阀连通所述控压泵，从而将所述气源的气压与所述反应腔中一致。然后关闭所述第二阀门，打开所述第一阀门，使所述气源的气体通过所述第一阀门进入所述反应腔。防止因为所述气源与所述反应腔的气压差过大而使气体瞬间大量进入反应腔并且在遇到反应腔高温时发生爆燃，避免因此导致的所述反应腔的石英破裂。

12、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本实用新型。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

技术特征：

1.一种气体管路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的气体管路，其特征在于，所述气源为反式二氯乙烯源。

3.根据权利要求1所述的气体管路，其特征在于，通过气源瓶提供所述气源。

4.根据权利要求1所述的气体管路，其特征在于，通过气柜提供所述气源。

5.根据权利要求1所述的气体管路，其特征在于，所述第一阀门和所述第二阀门的开关状态相反。

6.根据权利要求1所述的气体管路，其特征在于，所述第一阀门和所述第二阀门为气动阀。

7.根据权利要求1所述的气体管路，其特征在于，所述控压泵与尾气处理装置连接。

8.根据权利要求1所述的气体管路，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求8所述的气体管路，其特征在于，所述厂务排酸系统的气压小于所述气源的气压。

技术总结
本技术提供了一种气体管路。所述气体管路包括：气源、反应腔以及控压泵；所述反应腔的进气口通过第一阀门与所述气源连接，所述控压泵与所述反应腔的出气口连接，所述气源通过第二阀门与所述控压泵连接。当所述气源的气压高于所述反应腔的气压时，通过先关闭所述第一阀门，打开所述第二阀门，使所述气源的气体通过所述第二阀连通所述控压泵，从而使得所述气源的气压与所述反应腔中的气压一致，防止因为所述气源与所述反应腔的气压差过大而使气体瞬间大量进入反应腔并且在遇到反应腔高温时发生爆燃，避免因此导致的所述反应腔的石英破裂。

技术研发人员：李天涯,喻泽锋
受保护的技术使用者：上海积塔半导体有限公司
技术研发日：20230831
技术公布日：2024/4/17