专利名称：感应式转换器和电子卡尺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种感应式转换器和电子卡尺，尤其涉及一种小尺寸，并具有高检测性能的感应式转换器，以及使用这种转换器的电子卡尺。
在制造工业中，诸如电子卡尺之类的测量设备已经被广泛应用于测量物体的厚度或其它物理尺寸。作为电子卡尺的主要组成部分，已经使用了转换器。
在各种转换器中，一般都知道电容型转换器和感应式转换器。在电容型转换器中，将发送电极和接收电极设置在栅板(游标)上，并将信号电极设置在与栅板相对的标尺上。使栅板上的发送电极和接收电极与标尺上的信号电极容性耦合。将驱动信号施加给发送电极，并由处理电路处理在接收电极处根据栅板和标尺的相对的位置而产生的检测信号，由此检测栅板相对于标尺的移动或位置。
这种电容式转换器适合于用于相对干净和干燥的环境中，诸如检查室或设计室，但是它无法在诸如车间之类的污染程度相对高的环境中用于尺寸的测量。在存在诸如金属颗粒和研磨粉之类的微粒物质，或诸如冷却之类的流体，或切削液情况下，微粒物质或流体进入标尺上的信号电极和栅板上的信号电极或接收电极之间，并改变信号电极和发送电极或接收电极之间的电容，故而导致检测失败。
另一方面，在感应式转换器中，栅板和标尺的相对位置是根据它们之间的电磁感应检测到的，故而这种转换器具有如此的优点，即，它可以在污染程度相对高的环境下用于尺寸的测量。
图6示出这种感应式转换器测量原理。如图6的(b)所示，将栅板(游标)10和标尺12相对而设。栅板10设置有激励线圈10a和10b，以及检测线圈10c。将检测线圈10c设置在激励线圈10a和10b之间。另一方面，在标尺12上形成标尺线圈14，当将一电流施加给激励线圈10a和10b时，产生磁通量，并且感应电流由于电磁感应而流入标尺12上的标尺线圈14中。然后，由标尺线圈14中的感应电流产生磁通量，并由该磁通量在栅板10上的检测线圈10c内产生感应电流(感应电压)。由于感应电流(感应电压)根据激励线圈10a和10b与标尺线圈14的相对位置改变，故如果栅板10沿图中所示的箭头相对于标尺12移动，如图6的(a)所示，在检测线圈10c内产生周期性感应电压V。由此，通过检测感应电压的值，能够检测栅板10和标尺12的相对位置。
即使如果诸如水或油之类的污染物质混合在栅板10和标尺12之间，磁通量和磁的非磁导性不改变和影响感应电压，从而即使是在具有高度污染的环境下仍然能够高精度检测相对位置。
另一方面，图7示出通过使用上述原理检测栅板10和标尺12的绝对位移位置的原理。这里，绝对位移位置意思是从某一个参考点开始的位移量。如图7的(a)所示，在栅板10上设置多个激励线圈10a，并根据这些激励线圈设置多个检测线圈10c。在标尺12上形成标尺线圈14a和14b，其中心部分的间距为λ1，而端部的间距为λ2。中心部分的间距与端部的间距互不相同，从而在栅板10上的中心部分和端部处形成的检测线圈10c内也产生间距λ1和λ2的两个感应电压。由于两个信号的一个周期互不相同，故而相对于标尺12，在所有栅板位置处，在指定的感应电压值的两个波长之间的感应电压中的关系是不同的。即，如图7的(b)所示，在间距λ1的感应电压值V1a相同的位置Xa和Xb，间距λ2的感应电压值不同。因此，通过将两个波长之间的感应电压中的关系转换为位置，能够检测栅板的绝对位置。
由此，即使在相对高度污染的环境下，感应式转换器仍然能够高精度地测量尺寸，但是，多个激励线圈和检测线圈必须都形成在栅板上，具体地说，当转换器检测绝对位置时，栅板结构变得复杂，并且转换器尺寸增大。另外，当将这种感应式转换器装入电子卡尺中时，转换器尺寸的增大导致电子卡尺本身尺寸增大，并降低了测量时的可工作性。
根据相关技术中的上述问题，研制开发了本发明，其目的在于提供一种具有高性能的小尺寸感应式转换器，以及使用这种小尺寸电磁式转换器的电子卡尺。
为了达到上述目的，本发明的一个根据两个部件之间的相对位移输出电信号的感应式转换器包含用于根据驱动信号产生磁通量的磁通量产生部分；用于检测根据所述相对位置而改变的磁通量的磁通量检测部分；和用于处理来自磁通量检测部分的检测信号的信号处理部分。在感应式转换器中，磁通量产生部分、磁通量检测部分和信号处理部分形成多层结构。磁通量产生部分、磁通量检测部分和信号处理部分不在同一平面上平行设置，而是形成在多层结构的各个层中，由此能够减小尺寸。
这里，多层结构最好是这种结构，其中将多层叠合在芯层上。使用叠合的基底减小了尺寸、厚度和重量。另外，多层结构中层的数量容易得到适当调节。
另外，使磁通量产生部分形成在测量平面侧，并使信号处理部分形成在测量平面相对侧。这里，测量平面侧意思是与标尺相对的侧。通过在测量平面侧上形成磁通量产生部分，可以使产生的磁通量有效地影响测量侧。还有，通过在测量平面相对侧形成信号处理部分，可以防止不必要的磁通量对信号处理部分的影响，以及电磁噪声的混合物。
另外，较好地，在测量平面侧形成磁通量产生部分和磁通量检测部分，并在测量平面相对侧形成信号处理部分。即使当磁通量检测部分与磁通量产生部分形成在同一平面中，仍然能够得到上述效果。
另外，较好地，磁通量产生部分形成在比多层结构中的磁通量检测部分和信号处理部分更接近于测量平面的位置，并且磁通量检测部分形成在比多层结构中的信号处理部分更接近于信号处理部分的位置。因此，可以使由磁通量产生部分产生的磁通量有效地影响测量平面侧，并且感应磁场由磁通量检测部分有效地检测，并且信号处理部分与磁耦合范围分离，由此可以防止混合不必要的电磁噪声。磁通量检测部分可以形成在比多层结构中的磁通量产生部分和信号处理部分更接近于测量平面的位置，并且磁通量产生部分可形成在比多层结构中的信号处理部分更接近于测量平面的位置。
另外，较好地，在多层结构中的磁通量产生部分和信号处理部分之间产生至少一个磁屏蔽部分。在将磁通量产生部分和信号处理部分形成在多层结构的各个层的情况下，由于两个部分相互接近，由磁通量产生部分产生的磁通量可能直接影响信号处理部分，故而由于磁通量的变化，原检测信号以外的其它信号可能混合到信号处理部分中。因此，通过设置磁屏蔽部分，可以抑制这种电子噪声的混合，并能够改善检测精确度。磁屏蔽部分最好形成在多层结构的一层中，而单个磁屏蔽部分或多个磁屏蔽部分可设置在不同层。磁屏蔽部分可以由具有高磁导率的非金属(以铁氧体为代表)、具有低磁导率的金属(以铜为代表)、和具有高磁导率的金属(以坡莫合金为代表)中的至少一种形成。当磁屏蔽部分是由金属制成的，为了防止信号强度由于磁通量产生部分和磁通量检测部分之间的容性耦合而恶化，最好使磁屏蔽部分标尺在恒定电压，例如地电势的电压。
当磁屏蔽部分是由金属制成的，磁屏蔽部分最好形成得与磁通量产生部分或磁通量检测部分分开一距离，该距离等于两个部件之间的间隙或更长。磁屏蔽部分用作屏蔽装置，以抑制来自磁通量产生部分的磁通量对信号处理部分的影响。但是，如果由诸如铜之类的具有低磁导率的金属制成磁屏蔽部分，由于来自磁通量产生部分的磁通量在磁屏蔽部分中产生感应电流(涡流)，这种涡流趋向于取消磁通量，从而使信号强度恶化。因此，在磁屏蔽部分形成得与磁通量产生部分或磁通量检测部分分开预定距离的情况下，如果磁通量产生部分与磁通量检测部分形成在同一层，则可以抑制信号强度的恶化，并且可以改善检测精确度。期望根据两个部件之间的距离(即磁通量产生部分和其它部件之间的气隙)确定磁通量产生部分或磁通量检测部分与磁屏蔽部分之间的距离。即使当测量平面中的磁通量密度由于磁屏蔽部分中产生的涡流而降低，如果气隙足够小，则标尺检测信号的强度。通过使磁屏蔽部分与磁通量产生部分或磁通量检测部分分开一距离，该距离等于气隙距离或更长，能够抑制检测信号强度的衰减。如果磁屏蔽部分过度分开，则多层结构厚度相应增加，从而不适合于实际使用。
当由非金属形成磁屏蔽部分时，较好地，使磁屏蔽部分形成得与磁通量产生部分或磁通量检测部分分开一窄距离，该距离等于两个部件之间的气隙或更短。当将诸如铁氧体之类具有高磁导率的非金属用于磁屏蔽部分时，磁通量密度不由涡流减小许多，并将磁屏蔽部分设置得接近于上述部件，并且由于其高磁导率，能够增加磁通量密度。
上述感应式转换器能够应用于例如电子卡尺，由此电子卡尺能够减小尺寸，并改进性能。
在电子卡尺中，感应式转换器能够叠合在栅板(游标)侧，但是较好地，将栅板和标尺之间的间隙设置为检测信号的间距的大致1/10。如果间隙足够大，则到达标尺的磁通量的量减小。如果间隙太小，则线圈在标尺侧形式的影响增加，并且检测信号大大失真。因此，间隙有一最适宜的尺寸，由此使达到标尺的磁通量中的减少量小(通过将间隙大小减小某个程度)，并使检测信号中的失真小(通过将间隙尺寸增加某个程度)，具体地说，对于磁通量和信号失真，接近于检测信号的间距(或波长)的1/10的间距尺寸是最适宜的。因此，可以进一步改善检测精确度。
图1是实施例的电子卡尺的结构图；图2是图1所示的基底的结构图；图3A-E分别是基底的分解透视图；图4是示出实施例中的气隙和误差信号之间的关系的曲线图；图5是示出实施例中的磁屏蔽位置和信号强度之间的关系的曲线图；图6是感应式转换器的原理解释图；和图7是感应式转换器的原理解释图。
下面，参照附图揭示本发明的实施例。
图1示出其中安装了感应式转换器的电子卡尺的实施例的结构。电子卡尺100构成得包含细长横杆102和栅板(游标)组件102。细长横杆102是刚性或半刚性具有几乎是长方体形状的横棒或板部件。在细长横杆102的上表面形成凹槽106。将标尺104固定到细长横杆102的凹槽106内。使凹槽106形成得具有几乎等于标尺104的厚度的深度，从而标尺104的上表面与横杆102的上表面几乎处于同一平面。
在横杆102的端部112附近形成一对水平突出的固定接触件108和110。在栅板组件120中形成一对水平突出的可移动接触件116和118。在将物体放置在接触件108和116的一对啮合表面114之间时测量出该物体的外部尺寸，并在将接触件110和118放置在物体内时测量到该物体的内部尺寸。使接触件110和118的啮合表面122与要测量的物体的表面接触。
将啮合表面122和114如此设置，从而当接触件108和116的啮合表面114相互接触时，接触件110和118的啮合表面122相互对齐。这一对齐位置为测量绝对位置时的零参考位置。
电子卡尺100还可以包含安装到栅板组件120的深度尺126。深度尺126从横杆102纵向突出，并到啮合的端部128为止。如此设置深度尺126的长度，从而当检测器100位于上述零位置时，啮合的端部128与横杆102的端部132处于同一平面。在将横杆102的端部132放置在表面上有孔的物体上的情况下，使深度尺126延伸，直到其端部128与孔的底部接触，由此可以使用卡尺100测量孔的深度。当然，可以不设置该深度尺126。
在所有使用外部接触件108和116的情况下，使用内部接触件110和118，并使用深度尺126，测量到的尺寸显示在安装于卡尺100的盖子139内的数字显示器138上。将一对按钮134和136安装到盖子139上。按钮134是用于接通和断开栅板组件120的信号处理集成电路166的按钮，按钮136是用于使显示器138复位到零的按钮。
使栅板组件120构成得包括设置有导线边142的基座部件140。当栅板组件120放置得跨过细长横杆102时，导线边142与细长横杆102的侧面边缘146接触。因此，可以精确操作卡尺100。一对螺钉147通过朝着边缘部分的恢复力压着夹紧棒148，由此使横杆啮合，以抵销组件120和细长横杆102之间的“窜动”。
另外，栅板组件120包括安装到细长横杆102上方的基座部件140的检测组件160。基座部件140和检测组件160以联合的方式相对于标尺移动。检测组件160包括下面将描述的基底162，并且基底162具有一多层结构，其中层叠了激励线圈、检测线圈和信号处理集成电路。由此，检测组件160的基底162具有多层结构，由此减小检测组件160的尺寸和减小栅板组件120的尺寸成为可能。将具有恢复力的密封工具163推入盖子139和基底162之间，由此能防止信号处理集成电路166的污染。
另一方面，使标尺104构成得包含薄而长的印刷电路板168。在印刷电路板168上形成标尺线圈170。由例如铜形成标尺线圈170。通过涂层172覆盖标尺线圈170，并为涂层172分刻度。
图2示出图1中的基底162的结构。基底162具有多层结构，并且在次实施例中，按照说明具有6层结构。即，第一层162a、第二层162b、第三层162c、第四层162d、第五层162e和第六层162f按照顺序从面对标尺104的一侧开始形成。这种多层结构能够通过所谓的叠合法形成，在所述方法中，按照顺序将各层层叠到芯层161的两个表面上。将双边印刷电路板用于芯层，并且一个通孔可以从表面穿透到多层结构的背部表面。基底162应当具有的部件，即激励线圈、检测线圈和信号处理集成电路166形成在多层结构的这些层中的任何一层上，并且在本实施例中，它们按照下面解释的顺序形成。在最接近于标尺104的第一层162(在基底162的测量平面侧(表面侧))形成激励线圈，并在第二层162b和第三层162c形成检测线圈。然后，在标尺104与芯层161相对侧的第五层162e形成布线层，并在第六层162f(即基底162测量平面的相对侧(反面侧))形成信号处理集成电路166。在激励线圈和信号处理集成电路在同一平面内平行形成的情况下，面积增加。但是，激励线圈和信号处理集成电路由此分别形成在基底162的表面和背面上，因此实现了减小尺寸。
另外，在本实施例中，在激励线圈和信号处理集成电路166之间的第四层162d形成磁屏蔽层。如果分别在基底162的表面和背面形成激励线圈和信号处理集成电路166，来自激励线圈的磁通量的变化可能影响信号处理集成电路的电路，并增加电磁噪声。但是，因此可以在激励线圈和信号处理集成电路166之间设置磁屏蔽层，由此可以抑制信号处理集成电路166中发生的电磁噪声，并可以改善检测精确度。
图3A-E分别是图2所示的多层结构的透视图。图3A示出标尺104侧的印刷电路板168，图3B到E示出栅板组件中基底162的多层结构。图3B示出最接近于标尺104的第一层162a，其中如上所述在那层形成激励线圈。图3C示出形成第一检测线圈的第二层162b。图3D示出形成第二检测线圈的第三层162c。第一检测线圈和第二检测线圈相互电气连接。图3E示出与第三层夹住芯层的第四层162d，其中在该层形成磁屏蔽，以隔离来自形成在第一层162a的激励线圈的磁通量。磁屏蔽可以由铜、铁氧体或坡莫合金形成。更通俗地说，可以由具有高磁导率的非金属(以铁氧体为代表)、具有低磁导率的金属(以铜为代表)、或具有高磁导率的材料(以坡莫合金为代表)构成。
这里，必须稳定磁屏蔽的电势，以防止不利于信号从激励线圈到检测线圈，从产生到屏蔽层的电磁交感。因此，较好地，使磁屏蔽层保持在恒定电压，例如，在GND水平。当然，它可以保持在电源电压Vdd，或其它恒定电势。因此，可以安全抑制在信号处理集成电路166中产生的电磁噪声。
另一方面，在某些情况下，铜或金属制成的磁屏蔽层可减小由于在表面上产生涡流而在激励线圈中产生的信号磁通量。具体地说，激励线圈和磁屏蔽层之间的距离越小，则减小的程度越大。朝标尺104的磁场强度的降低引起检测信号减小。因此较好地，将磁屏蔽层和激励线圈之间的距离设置为预定距离或更长。根据检测性能，较好地，根据激励线圈和标尺104之间的距离，即气隙(可以认为是栅板和标尺之间的距离)确定磁屏蔽层和激励线圈之间的距离。
这里，解释形成磁屏蔽层的位置。图4示出气隙和包含在检测信号中的误差信号之间的关系。如能够从图中知道的，当气隙变小时，偏移误差成份变小，但是相反地，检测信号从正弦波形改变为三角波形。这是因为当气隙变小时，形成在标尺104的电路板上的标尺线圈的形式(三角波形)有更大的影响。估计由正弦波形偏离的量作为失真成份，并且气隙越小，则失真成份越大。因此，加入了偏移误差成份和失真成份的误差信号在气隙是某一个值X时最小。使误差信号最小的气隙X接近于检测信号的间距(或波长)的1/10。因此，根据检测精确度的改善，较好地将气隙设置为接近于检测信号的间距的1/10。
另一方面，图5中示出在将气隙设置为该值，并且改变激励线圈和磁屏蔽层之间的距离时，信号强度中的变化。当激励线圈和磁屏蔽层之间的距离d变得小于气隙时，d/气隙小于1，则信号强度突然衰减。我们认为这种现象是因为来自激励线圈的磁通量密度由金属磁屏蔽层中所产生的涡流抵销，并且磁通量密度在标尺104上减小而引起的。另一方面，当距离d等于或大于气隙，并且d/气隙大于等于1时，不发生这种信号强度的衰减，并且得到足够的信号强度。
由此，可以知道，当将气隙(栅板和标尺之间的距离，或激励线圈和标尺之间的距离)设置为接近于检测信号波长的1/10，并且磁屏蔽层由诸如铜之类的金属制成时，激励线圈和磁屏蔽层之间的距离d最好如此设置，从而d/气隙大于等于1。
另外，在将具有高磁导率的非金属(诸如铁氧体)用于磁屏蔽层时，与上述情况不同，来自激励线圈的磁通量密度不被涡流抵销，而是由于磁屏蔽层的高磁导率，与变压器相同原理地增加，从而可以将激励线圈和磁屏蔽层之间的距离d设置得更小。具体地，能够设置d/气隙小于等于1。在这种情况下，可以使感应式转换器更薄。
由此，在这种实施例中，如此构成栅板中的基底162，以便具有多层结构，并且在多层结构的各个层形成激励线圈、检测线圈和信号处理集成电路，由此可以使基底162的尺寸更小，并使栅板整个尺寸减小。
另外，在这种多层结构中，使激励线圈形成在标尺侧上，并使信号处理集成电路形成在标尺相对侧上，由此，可以在标尺中有效地减小激励线圈中产生的磁通量。
另外，保持在恒定电压的磁屏蔽层被设置在多层结构中激励线圈和信号处理集成电路之间，由此，可以有效抑制信号处理集成电路中由于来自激励线圈的磁通量中的变化而产生电磁噪声。
在本实施例中，磁屏蔽层形成在第四层162d，但是屏蔽层可以按照需要形成在其它层上，从而多个磁屏蔽层隔离来自激励线圈的磁通量。
另外，在本实施例中，从接近于标尺104的一侧按照顺序形成激励线圈、检测线圈和信号处理集成电路，但是激励线圈和检测线圈可形成在同一层上。
从接近于标尺104的一侧按照顺序形成检测线圈、激励线圈和信号处理IC也是可能的。为了得到更强的信号，激励线圈最好形成得与标尺104分开检测线圈所分开的相同或更短距离。检测线圈和信号处理集成电路可以形成在相同的层上。由于信号处理集成电路必须与激励线圈分开预定或更长距离，并且检测线圈必须形成在接近于标尺104的位置，以检测标尺线圈感应的磁通量，故检测线圈最好形成得与标尺104分开与信号处理集成电路166的更短的距离。结果，理想的是从接近于标尺104的一侧依次形成激励线圈、检测线圈、磁屏蔽层和信号处理检测电路。
在本发明的本实施例中，如上所述解释了将感应式转换器应用于电子卡尺的情况，但是转换器能够应用于卡尺以外的其它测量设备。
根据本发明，能够得到一种尺寸小，并且检测精确度高的感应式转换器，并且通过将这种感应式转换器安装到电子卡尺中，得到卡尺，其尺寸小，耐环境性能极好，并且具有高检测精确度。
权利要求
1．一种根据两个部件之间的相对位移输出电信号的感应式转换器，其特征在于包含用于根据驱动信号产生磁通量的磁通量产生部分；用于检测根据所述相对位移而改变的磁通量的磁通量检测部分；和用于处理来自磁通量检测部分的检测信号的信号处理部分；其中所述磁通量产生部分、磁通量检测部分和信号处理部分以多层结构形成在基底处。
2．如权利要求1所述的感应式转换器，其特征在于基底具有通过在芯层上叠合多层而得到的多层结构。
3．如权利要求1所述的感应式转换器，其特征在于在基底测量平面侧形成磁通量产生部分，并在基底测量平面相对侧形成信号处理部分。
4．如权利要求3所述的感应式转换器，其特征在于磁通量检测部分形成在基底的测量平面侧。
5．如权利要求1所述的感应式转换器，其特征在于在多层结构中，磁通量产生部分形成得比信号处理部分更加接近于测量平面的层处。
6．如权利要求5所述的感应式转换器，其特征在于在多层结构中，磁通量检测部分形成得比信号处理部分更接近于测量平面的层处。
7．如权利要求6所述的感应式转换器，其特征在于在多层结构中，磁通量产生部分形成在比磁通量检测部分更接近于测量平面的层处。
8．如权利要求6所述的感应式转换器，其特征在于在多层结构中，磁通量检测部分形成在比磁通量产生部分更接近于测量平面的层处。
9．如权利要求6所述的感应式转换器，其特征在于在多层结构中，磁通量检测部分形成在与磁通量产生部分相同的层处。
10．如权利要求1所述的感应式转换器，其特征在于在多层结构中，磁通量产生部分和信号处理部分之间形成至少一个磁屏蔽部分。
11．如权利要求5所述的感应式转换器，其特征在于在多层结构中，在磁通量产生部分和信号处理部分之间形成至少一个磁屏蔽部分。
12．如权利要求10所述的感应式转换器，其特征在于磁屏蔽部分由具有高磁导率的非金属、具有低磁导率的金属和具有高磁导率的金属中的至少一种制成。
13．如权利要求12所述的感应式转换器，其特征在于具有高磁导率的非金属包含铁氧体。
14．如权利要求12所述的感应式转换器，其特征在于具有低磁导率的金属包含铜。
15．如权利要求12所述的感应式转换器，其特征在于具有高磁导率的金属包含坡莫合金。
16．如权利要求10所述的感应式转换器，其特征在于将磁屏蔽部分保持为恒定电压。
17．如权利要求10所述的感应式转换器，其特征在于在磁屏蔽部分的材料为金属的情况下，使磁屏蔽部分形成得与磁通量产生部分分开一距离，该距离等于两个部件之间的间隙或更长。
18．如权利要求10所述的感应式转换器，其特征在于在磁屏蔽部分的材料是非金属的情况下，使磁屏蔽部分形成得与磁通量产生部分分开窄的距离，所述距离等于两个部件之间的间隙或更长。
19．如权利要求1所述的感应式转换器，形成在两个部件中的第一个部件上，其特征在于感应式转换器和两个部件中的第二个部件之间的间隙设置为检测信号间距的大致1/10。
20．一种电子卡尺，其特征在于包含用于根据标尺和栅板之间的相对位移输出电信号的感应式转换器，所述感应式转换器包含用于根据驱动信号产生磁通量的磁通量产生部分；用于检测根据所述相对位移而改变的磁通量的磁通量检测部分；和用于处理来自磁通量检测部分的检测信号的信号处理部分；其中所述磁通量产生部分、磁通量检测部分和信号处理部分以多层结构形成在基底处。
21．如权利要求20所述的电子卡尺，其特征在于将标尺和感应式转换器之间的间隙设置为检测信号间距的大致1/10。
22．如权利要求20所述的电子卡尺，其特征在于磁通量产生部分形成在基底测量平面侧，信号处理部分形成在基底测量平面相对侧。
23．如权利要求20所述的感应式转换器，其特征在于在多层结构中，磁通量产生部分形成在比信号处理部分更接近于测量平面的层处。
24．如权利要求20所述的感应式转换器，其特征在于在多层结构中，在磁通量产生部分和信号处理部分之间至少形成一个磁屏蔽部分。
全文摘要
本发明提供了一种感应式转换器,形成为具有多层结构的基底162。基底162具有包括六层的多层结构,第一层162a到第六层162f。激励线圈形成在第一层162a。检测线圈形成在第二层162b和第三层162c。布线层形成在第五层162e,由芯层161与标尺处于相对侧。信号处理集成电路166形成在第六层162f。将来自激励线圈的磁通量隔离的磁屏蔽层形成在激励线圈和信号处理集成电路166之间的第四层162d。
文档编号G01B7/02GK1313501SQ01111659
公开日2001年9月19日 申请日期2001年3月13日 优先权日2000年3月13日
发明者宫田俊治, 林伸行, 佐佐木康二, 桐山哲郎 申请人:株式会社三丰