光敏传感器及其光照检测电路的制作方法

文档序号:5967285阅读:599来源:国知局
专利名称:光敏传感器及其光照检测电路的制作方法
技术领域
本发明涉及一种适用于IC卡类产品的光敏传感器。本发明还涉及利用该光敏传感器构成的光照检测电路。
背景技术
IC卡类产品需要光敏检测等防检测设计。普通CMOS工艺采用硅化物结构,由于硅化物透光性很差,到达PN结的光子数被严重削减,损失了多数的光辐射能量,降低了检测效率。由此,PN结的光生电压小于普通的太阳能电池。根据华虹NEC CZ6H(0.35um)工艺的测试数据,100lx下20*20um2的P+NW(P扩散层到N阱)二极管光生电压为250mV左右。如此微弱的信号需要通过放大才能被利用。由于P+NW的NW(N阱)需尽可能接地(GND),以消除寄生效应,放大电路的设计将非常困难。如果追加去除硅化物区的步骤将增加生产成本。

发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种光敏传感器,它可有效的提高检测的灵敏度,而且结构简单。本发明还要提供一种利用上述光敏传感器构成的光照检测电路,在不增加工艺成本的情况下实现光照检测。
为解决上述技术问题,本发明的一种光敏传感器,在CMOS逻辑工艺下,由P+NW二极管D1和Native(本征)晶体管MN1构成,二极管D1的阳极与晶体管MN1基极连接,二极管D1的阴极与晶体管MN1发射极连接。
采用本发明的光敏传感器,利用了Native(本征)晶体管低阈值的特点,将PN结与本征管组合成光敏传感器,有效的提高了检测的灵敏度。
本发明的利用上述光敏传感器构成的光照检测电路,包括一个比较器,在电源与地线之间串接电流源I1与光敏传感器GM1,电流源I2与光敏传感器GM2;电流源I1与光敏传感器GM1的接点与比较器的正向输入端连接,电流源I2与光敏传感器GM2的接点与比较器的反向输入端连接;光敏传感器GM2作为参考传感器,光敏传感器GM1作为检测传感器,光敏传感器GM2中的二极管上覆盖2AL(金属2层),遮住绝大部分的入射光,电流源I1略小于电流源I2,当外界无光照射时,比较器的正向输入端电压小于反向输入端电压,输出为低电平;当外界光照增加时,I1不断增大,即正向输入端电压不断上升,当达到一定光强时,I1>I2,使比较器输出翻转为高电平。
采用本发明的光照检测电路,在不增加工艺成本的情况下,在普通的CMOS工艺中即可实现光照检测。


图1是本发明光敏传感器的原理图;图2是本发明光照检测电路的原理图。
具体实施例方式
如图1所示,本发明的一种光敏传感器,在CMOS逻辑工艺下,由P+NW二极管D1和本征晶体管MN1构成,二极管D1的阳极与晶体管MN1基极连接,二极管D1的阴极与晶体管MN1发射极连接。二极管D1的阴极与晶体管MN1发射极接点K需要接地(GND)。
再参阅图2,本发明的利用上述光敏传感器构成的光照检测电路,包括一个比较器,在电源与地线之间串接电流源I1与光敏传感器GM1,电流源I2与光敏传感器GM2。电流源I1与光敏传感器GM1的接点与比较器的正向输入端连接,电流源I2与光敏传感器GM2的接点与比较器的反向输入端连接。光敏传感器GM2作为参考传感器,光敏传感器GM1作为检测传感器。光敏传感器GM2中的二极管上覆盖2AL(金属2层),遮住绝大部分的入射光。电流源I1略小于电流源I2,当外界无光照射时,由于设定I1略小于I2,比较器的正向输入端电压小于反向输入端电压,输出为低电平;当外界光照增加时,I1不断增大,即正向输入端电压不断上升,当达到一定光强时,I1>I2,使比较器输出翻转为高电平。
为了消除干扰,本发明的光照检测电路设计中采用了差分结构。如果外界存在干扰,则对光敏传感器GM1、GM2而言是共模信号,可以在一定程度上被抑制。
本发明经过流片测试,达到了设计要求,可以应用在卡类产品中。
权利要求
1.一种光敏传感器,其特征在于CMOS逻辑工艺下,由P+NW二极管D1和本征晶体管MN1构成,二极管D1的阳极与晶体管MN1基极连接,二极管D1的阴极与晶体管MN1发射极连接。
2.一种利用权利要求1所述的光敏传感器进行光照检测的电路,其特征在于包括一个比较器,在电源与地线之间串接电流源I1与光敏传感器GM1、电流源I2与光敏传感器GM2;电流源I1与光敏传感器GM1的接点与比较器的正向输入端连接,电流源I2与光敏传感器GM2的接点与比较器的反向输入端连接;光敏传感器GM2作为参考传感器,光敏传感器GM1作为检测传感器,光敏传感器GM2中的二极管上覆盖2AL,遮住绝大部分的入射光,电流源I1略小于电流源I2,当外界无光照射时,由于设定I1略小于I2,比较器的正向输入端电压小于反向输入端电压,输出为低电平;当外界光照增加时,I1不断增大,即正向输入端电压不断上升,当达到一定光强时,I1>I2,使比较器输出翻转为高电平。
全文摘要
本发明公开了一种光敏传感器及其光照检测电路。所述光敏传感器,在CMOS逻辑工艺下,由P+NW二极管和本征晶体管构成。所述光照检测电路利用上述光敏传感器、电流源、和比较器组成,采用2AL屏蔽的同种传感器作为参考信号,并将信号差进行放大。本发明可有效的提高检测的灵敏度,而且结构简单,在不增加工艺成本的情况下实现光照检测。本发明适用于IC卡类产品。
文档编号G01J1/16GK1786676SQ20041008922
公开日2006年6月14日 申请日期2004年12月8日 优先权日2004年12月8日
发明者王楠 申请人:上海华虹Nec电子有限公司
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