专利名称：探头及其制造方法
技术领域：
本发明涉及探头及其制造方法，并且更具体地涉及具有微小节距的探头及其制造方法，利用所述探头来制造一种探测卡，其对应于在晶片上以密集形状或其它各种形状形成的垫的设置。
背景技术：
通常，半导体集成电路装置在制作所述装置时、制作所述装置之后、或封装所述装置时得到测试，以便验证所述装置是否在所述装置的整体或部分电特性完全对应于所述装置的原始设计的情况下得以制造。
用于执行上述测试的设备是具有测试设备和探测卡(probe card)的探测设备。所述探测卡用来电连接所述测试设备中的各种电信号发生部分和所述半导体集成电路装置中的垫(pad)，或所述测试设备中的电信号检测部分和所述半导体集成电路装置中的垫。
常规探测卡之一是在图1中示出的针型探测卡。所述针型探测卡包括每个具有弯曲端的针型探头(probe)12。每个针型探头12的主体(body)设置在固定部件13的规定位置，且然后借助于环氧树脂固定地附着到固定部件13。固定部件13附着到主电路板11。针型探头12的另一端借助于焊接连接到主电路板11的规定电路。以这种方式，所述探测卡得以制备。需要弹性以便于将针稳定地连接到所述半导体集成电路装置的垫。但是，当其被重复使用时，所述针型探头的水平和位置失真。因此，所述常规针型探测卡所具有的缺陷在于，当使用所述针型探测卡时，需要维护和修理所述探头。
另一种常规的探测卡是图2中示出的竖直型探测卡。在主电路板21的上表面设置了固定板23，并且在主电路板21的下表面设置了多个导板24。通过主电路板21、固定板23及导板24形成了多个通孔，所述通孔规则地设置在主电路板21、固定板23及导板24的对应位置。通过通孔分别插入了针型探头22。从固定板23取出的所述针型探头的端部借助于焊接分别连接到主电路板21的规定电路。以这种方式，所述探测卡得以制备。但是所述竖直型探测卡也有缺陷，即当其重复使用时，所述探头的水平失真，并且因此失去其弹性，如同上述针型探头。此外，所述竖直型探测卡所具有的另一个缺陷在于，由于所述针长且彼此相邻而设置，当所述探测卡用来测试高速工作类型的半导体集成电路时，导致相邻针之间的电相互作用，并且因此降低所述测试的精度。
所述针型探测卡和竖直型探测卡的任何一个都具有相对大的尺寸。另一方面，随着技术的进步，待测试元件变得日益小型化和精密。因此，所述针型探测卡和竖直型探测卡的任何一个都具有的缺陷在于，不能恰当测试小型化且精密的元件。换句话说，没有相对大的探测卡可测试晶片上的所有元件，这是因为所述晶片上所形成的元件上的多个垫的设置是紧凑而密集的。结果，需要对一个晶片执行几个测试。
为了克服上述问题，已经发明了紧凑且小型化的探测卡。这种紧凑且小型化的探测卡的代表性实例是微弹簧型探测卡及悬臂型探测卡。
所述微弹簧型探测卡在图3a中示出，且所述微弹簧型探测卡如以下制造将凸块(bump)33形成于基板32上，如图3b中所示。借助于线接合物(wire bonder)将探头形状的线34a连接到凸块33。线34a在其表面被镀以使线34a粗且坚固。附加的硅晶片35被蚀刻，且然后被镀，以形成支撑梁34b和探头尖34c。支撑梁34b接合到线34a以便形成具有探头尖34的弹簧型探头34。在如以上所述形成弹簧型探头34之后将硅晶片35去除。如图3a中所示，借助于附加加强部件36将具有上述构造的基板32附着到主电路板31。
所述悬臂型探测卡在图4a中示出，并且所述悬臂型探测卡如以下制造将凸块43形成于基板42上，如图4b中所示。在附加的硅晶片44上形成探头尖45b和支撑梁45a。随后，将凸块43的一端接合到支撑梁45a的一端，以形成具有探头尖45b的探头45。在如以上所述形成所述探头之后将硅晶片44去除。如图4a所示，借助于附加加强部件46将具有上述构造的基板42附着到主电路板41。
借助于所述微弹簧型探测卡和悬臂型探测卡，对具有在其上形成的集成元件的晶片的测试得以顺利执行。
但是，所述探头梁和探头尖彼此齐平(level)地设置(图3b中的34b和34c，图4b中的45a和45b)。当待测试元件上的垫较紧密地聚集时，并且当元件上的垫设置复杂时，引起了问题。例如，在图4a所示的悬臂型探测卡被用来测试具有如图5a中所示的元件51的设置的晶片时，需要如图5b中所示来构造所述悬臂型探测卡。具体地，需要将所有探头61a设置在具有对应于元件尺寸的尺寸的探测卡60(图5b)的单元基板61(图5b)上，以便测试每个元件上的所有垫51a(图5a)。但是，当沿着边来设置探头时，在拐角设置探头是不可能的。因而，在这种情况下，将一些探头设置在相邻的单元基板61上。因此，需要执行两次或更多次对所述晶片的测试。
在待测试晶片上的垫以直线设置的情况下，所述悬臂型探测卡具有如图6a和6b中所示的设置。图6a中所示的节距p对应于所述晶片上的两个相邻垫之间的距离。容易理解，所述节距p大于每个探头65的宽度w。因此当所述晶片上的垫之间的距离小于探头65的宽度w时，不能快速执行所述测试。
在如以上所述的常规探测卡中，探头数目的增加是受限的。因此，一次测试多个半导体装置是不可能的，这不能满足试图增加测试效率的半导体装置制造者的需要。
发明内容
因此，鉴于上述问题而制作了本发明，且本发明的目的是提供一种具有微小节距的探头及其制造方法，利用所述探头来制造一种探测卡，其对应于在晶片上以密集形状或其它各种形状形成的垫的设置。
根据本发明的一个方面，通过提供一种具有规定厚度并以平板形状形成的探头可以实现以上和其它目的，所述探头包括主体部分，在其中部弯曲，使得当张力或压缩力在其上端和下端施加到该主体部分时，该主体部分被弹性地张紧或压缩；连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成，所述连接部分固定到基板；及尖部分，与所述主体部分的上端整体地形成，所述尖部分接触元件的垫。
根据本发明的另一个方面，提供了一种包括探头的探测卡，每个所述探头具有规定厚度并以平板形状形成，其中所述探头包括主体部分，在其中部弯曲，使得当张力或压缩力在其上端和下端施加到所述主体部分时，所述主体部分被弹性地张紧或压缩；连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成，所述连接部分固定到基板；及尖部分，与所述主体部分的上端整体地形成，所述尖部分接触元件的垫，其中所述主体部分包括水平部；及第一竖直部，从所述水平部的一端竖直向上弯曲，所述第一竖直部整体地连接到所述尖部分；第二竖直部，从所述水平部的另一端竖直向下弯曲，所述第二竖直部整体地连接到所述连接部分，其中所述主体部分的水平部、第一竖直部及第二竖直部的长度被改变以形成多于两种的探头，并且其中所述多于两种的探头固定地附着在所述探测卡的基板上。
根据本发明的再一个方面，提供了一种制造探头的方法，包括步骤1，施加牺牲层于硅晶片的整个上表面上，以光刻胶(photoresist)在其上表面涂覆所述牺牲层，并将具有探头形状图案的第一掩模附着到所述光刻胶的上表面；步骤2，借助于所述第一掩模来曝光并显影所述光刻胶，并去除所述第一掩模；步骤3，在所述牺牲层的上表面上执行电解镀以形成第一金属膜，所述牺牲层具有借助于所述曝光和显影而固定的图案；及步骤4，去除所述光刻胶并蚀刻所述牺牲层以从所述硅晶片分离所述第一金属膜。
从下面结合附图进行的详细描述中，本发明的以上和其它目的、特征及其它优点将得到更清楚的理解，在附图中图1是示出常规探头的设置的横截面视图；图2是示出另一种常规探头的设置的横截面视图；图3a和3b分别是示出另一种常规探头的设置的横截面视图和示出制造该探头的过程的横截面视图；图4a和4b分别是示出又一种常规探头的设置的横截面视图和示出制造该探头的过程的横截面视图；图5a是示出待测试元件的实例的平面图；图5b是说明用于检查图5a所示元件的常规探测卡的制造的平面图；图6a和6b分别是示出常规探头的设置的平面图和透视图；图7a是分别示出本发明的一个优选实施例的透视图和底视图；图7b是分别示出本发明另一个优选实施例的透视图和底视图；图7c是分别示出本发明另一个优选实施例的透视图和底视图；图7d是分别示出本发明另一个优选实施例的透视图和底视图；图8是说明图7a到7d的形状的横截面视图；图9是示出本发明又一个优选实施例的透视图；图10是说明图9的形状的横截面视图；图11a和11b分别是示出本发明的设置的透视图和平面图；图12a和12b分别是示出根据本发明的一个优选实施例的探测卡的透视图和平面图；图12c是图12a中所示探头的前视图；图13a到13g是说明根据本发明的制造探头的方法的横截面视图；并且图14a和14b是分别说明在根据本发明的制造探头的方法中使用的掩模的形状的视图。
具体实施例方式
根据本发明优选实施例的探头在图7a到7d中示出。参考图7a的左侧，探头70以弯曲板的形状形成，并由金属制成。探头70具有主体部分70b，该主体部分在其中部弯曲，以便当外力施加到主体部分70b时，主体部分70b被弹性地压缩和扩张。当张力或压缩力在其上端和下端施加到主体部分70b时，主体部分70b在规定容限内被弹性地张紧或压缩。探头70还具有连接部分70a，该连接部分与主体部分70b的下端整体地形成。连接部分70a用作支撑梁，用于在主体部分70b的一端连接到基板时支撑主体部分70b。探头70进一步包括与主体部分70b的上端整体地形成的尖部分70c。尖部分70c直接接触待测试元件的垫。在图7a左侧的X方向上看到的探头70的底部在图7a的右侧示出。从图7a可以看出，尖部分70c比连接部分70a向左侧延伸的多。这意味着在图7a左侧的水平方向上，尖部分70c设置在探头70的最外侧。如以上所述来构造探头70的原因是通过所述探头的交叉设置，相邻尖部分可以以直线密集设置，稍后将对其进行描述。
参考图7b的左侧，探头71包括主探头72，其以弯曲板的形状形成并由金属制成；及辅助探头73，其也以弯曲板的形状形成并由金属制成。除了其一端的形状，辅助探头73与主探头72相似。辅助探头73附着到主探头72。主探头72包括主体部分72b，在其中部弯曲，使得当外力施加到主体部分72b时，主体部分72b被弹性地压缩和扩张；连接部分72a，与所述主体部分72b的一端整体地形成，连接部分72a用作支撑梁，用于在主体部分72b的一端连接到基板时支撑主体部分72b；及尖部分72c，与主体部分72b的另一端整体地形成，尖部分72c直接接触待测试元件的垫。类似地，辅助探头73包括主体部分73b，在其中部弯曲，使得当外力施加到主体部分73b时，主体部分73b被弹性地压缩和扩张；及连接部分73a，与主体部分73b的一端整体地形成，连接部分73a用作支撑梁，用于在主体部分73b的一端连接到基板时支撑主体部分73b。在图7b左侧的X方向上看到的探头71的底部在图7b的右侧示出。从图7b可以看出，尖部分72c比连接部分72a和73a向左侧延伸的多。如以上所述来构造探头71的原因是通过所述探头的交叉设置，相邻尖部分可以以直线密集设置。当所述探头如图11a所示相互交叉而设置时，尖部分110c之间的距离得以减小。图11b是简化所述探头的密集设置的平面图。从图11b中可以看出，尖部分110c之间的距离，即节距p，小于常规悬臂型探头的节距(见图6a和6b)。探头尖部分的宽度w1对应于探头主体部分的宽度w2的一半。因此，有可能制造具有比常规悬臂型探头的节距小一半的节距p的探测卡。
图7c中所示的探头74与图7b中所示的探头71相似，除了辅助探头75设置在主探头76之下。辅助探头和主探头75和75彼此附着。在主探头76的一端形成尖部分76c。因此，图7c的探头74与图7b的探头71对称。
图7d中所示的探头77是图7b和7c的探头的组合。具体地，探头77包括主探头79，具有在其一端形成的尖部分79c；及辅助探头78和80，分别附着到主探头79的下侧和上侧。辅助探头78和80被提供用于加强所述探头的强度。
图8是图7a到7d中所示的探头或主探头的横截面视图。图8的参考符号d1指示探头81的尖部分81c从探头81的连接部分81a的左端所延长的长度，而图8的参考符号d2指示从连接部分81a到尖部分81c的端部的高度。在提供具有不同d1和d2值的各种探头的情况下，有可能制造提供有附着到基板的各种探头的探测卡，其对应于复杂或密集垫的设置，稍后将对其进行描述。
根据本发明的又一个优选实施例的探头在图9中示出，其中所述探头具有以直角弯曲的主体部分。如图9中所示，探头90包括主体部分90b，其以直角弯曲，使得当外力施加到主体部分90b时，主体部分90b被弹性地压缩或扩张；连接部分90a，与主体部分90b的一端整体地形成，连接部分90a用作支撑梁，用于在主体部分90b的一个弯曲端连接到基板时支撑主体部分90b；及尖部分90c，与所述主体部分90b的另一个弯曲端整体地形成，尖部分90c直接接触待测试元件的垫。
如在图7a到7d中所示的上述优选实施例中，图9中所示的探头90可作为主探头来制备，而辅助探头可附着到探头90的一侧。可替换地，两个辅助探头可分别附着到探头90的两侧。详细描述及其附图将不给出。
图10是图9中所示的探头90的横截面视图。图10的参考符号D1指示从探头91的水平主体部分91b的一端到尖部分91c的端部的高度，图10的参考符号D2指示水平主体部分91b的长度，而图10的参考符号D3指示从水平主体部分91b的另一端到连接部分91a的高度。对应于所述参考符号D1、D2及D3的主体部分91b的部分被称作第一竖直部、水平部及第二竖直部。
在提供具有不同D1、D2及D3值，即主体部分91b的第一竖直部、水平部及第二竖直部的各种探头的情况下，如在图8所示的探头中，有可能制造提供有附着到基板各种探头、对应于复杂或密集垫的设置的探测卡。当D2增加时，由于弹性剧烈变化，需要增加探头的厚度。通过以曲线图的形式示出从实验获得的关系，恒定维持探头弹性所必要的D2和探头厚度之间的比例关系可应用于探头的设计。
图12a到12c是说明图90所示探头90的应用的视图。图12a是探测卡的局部透视图，而图12b是图12a所示探测卡的平面图。实施所述探测卡上的探头的设置以在如图5a中所示的晶片上的垫设置上执行测试，如背景技术中所述。从以上附图可以看出，附着于每个单元基板125上的探头必须设置在所述单元基板125的区域中。如图12a中所示，具有如参考图10所述的不同D1、D2及D3值的各种探头附着在所述单元基板上。具体地，在所述单元基板上附着有第一探头121，每个具有大于D1的D1H和小于D3的D3L；第二探头122，每个具有小于D1的D1L和大于D3的D3H；及第三探头123，每个具有小于D1的D1L及分别大于D2和D3的D2H和D3H。所述第一、第二和第三探头具有与图12c中所示的标准探头120相同的总高度。所述第一、第二和第三探头如以下附着在所述单元基板上第二探头122沿单元基板125的一边附着，而第一探头121沿单元基板125的相邻边附着，如图12a中所示。在所述单元基板的相邻边之间的拐角，附着了第一探头121。由于每个第一探头121的水平部的高度小于每个第二探头122的水平部的高度，在探头之间没有造成干扰。在其中第一探头121附着在所述单元基板的拐角处的空间不足的情况下，如图12a中所示，从单元基板125内附着第三探头123。所述探头的附着在图12b中示出，该图是示出所述探头的附着的平面图。所述探头的附着借助于激光束手工完成。
现在将参考图13a到13f来描述根据本发明的一个优选实施例的制造探头的方法，所述图是示出制造所述探头的主要步骤的基板横截面视图。本发明的探头制造方法被提供用于制造图7b中所示的探头。
如图13a中所示，将铜层131施加到硅晶片130的整个上表面，该铜层是牺牲层。在其上表面以光刻胶132来涂覆铜层131。在光刻胶132的上表面上附着具有所需探头的形状图案的第一掩模133。第一掩模133具有如图14a中所示的形状。如从图14a的放大部分可见，所述掩模的间隔部分(space part)133a的形状对应于图7b中所示的主探头72的形状。借助于第一掩模133来曝光及显影光刻胶132。随后，去除第一掩模133，如图13b中所示。在具有借助于所述曝光及显影而固定的图案的铜层131的上表面上执行电解镀。如图13c中所示，研磨所述铜层的所镀的上表面以形成具有主探头72(图7b)形状的第一金属膜134。
如图13d中所示，在其上表面以光刻胶135来涂覆光刻胶132和第一金属膜134。在光刻胶135的上表面上附着具有所需探头的形状图案的第二掩模136。第二掩模136具有图14b中所示的形状。如从图14b的放大部分可见，所述掩模的间隔部分136a的形状对应于图7b中所示的辅助探头73的形状。借助于图13d的第二掩模136来曝光及显影光刻胶135。随后，去除第二掩模136，如图13e中所示。在具有借助于所述曝光及显影而固定的图案的第一金属膜134的上表面上执行电解镀。如图13f中所示，研磨所述第一金属膜的所镀的上表面以形成具有辅助探头73(图7b)形状的第二金属膜137。
最后，去除图13f的光刻胶132和135，然后借助于湿蚀刻方法来蚀刻图13f的所述铜层131，使得第一金属膜134和第二金属膜137从硅晶片130分离。结果，制造了如图13s中所示的探头140。
可借助于上述探头制造方法来制造根据本发明的其它优选实施例的探头。图7a的探头70可通过仅形成所述第一金属膜134(图13c)来获得。图7c的探头74可通过实施涉及第二掩模136(图13d)的步骤然后实施涉及第一掩模133(图13a)的步骤来获得。图7d的探头77可通过如下来获得在图7c的探头74的制造过程完成之前，进一步实施涉及第二掩模136(图13d)的步骤以进一步形成另一个第二金属膜137(图13f)。
同样，可借助于如上述的相同步骤来制造图9的探头90和类似于图7b到7d中所示探头的其它探头(未示出)。但是，在这种情况下，需要掩模的间隔部分根据探头的形状来变形。
工业适用性如从以上描述显而易见的，本发明提供了一种具有微小节距的探头，利用该探头来制造一种探测卡，其对应于在晶片上以密集形状或其他各种形状形成的垫的设置。
尽管为了说明的目的已公开了本发明的优选实施例，本领域的技术人员将理解，如所附权利要求中所公开的本发明的精神和范围内的各种修改、添加及替换是可能的。
权利要求
1.一种探头，具有规定厚度并以平板形状形成，所述探头包括主体部分，在其中部弯曲，使得当张力或压缩力在其上端和下端施加到所述主体部分时，所述主体部分被弹性地张紧或压缩；连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成，所述连接部分固定到基板；及尖部分，与所述主体部分的上端整体地形成，所述尖部分接触元件的垫。
2.如权利要求1的探头，其中所述主体部分包括水平部；第一竖直部，从所述水平部的一端竖直向下弯曲，所述第一竖直部整体地连接到所述连接部分；及第二竖直部，从所述水平部的另一端竖直向上弯曲，所述第二竖直部整体地连接到所述尖部分。
3.如权利要求1或2的探头，其中所述尖部分形成为使接触所述元件垫的所述尖部分的端部在水平方向上设置在所述探头的最外侧。
4.如权利要求3的探头，进一步包括具有规定厚度并以平板形状形成的辅助探头，其中所述辅助探头包括主体部分，与所述探头的主体部分相同；及连接部分，与所述探头的连接部分相同，并且所述辅助探头未提供有与所述探头的尖部分相同的尖部分，所述辅助探头固定地附着到所述探头的一侧。
5.如权利要求4的探头，其中所述辅助探头进一步固定地附着到所述探头的另一侧。
6.如权利要求1或2的探头，进一步包括具有规定厚度并以平板形状形成的辅助探头，其中所述辅助探头包括主体部分，与所述探头的主体部分相同；及连接部分，与所述探头的连接部分相同，并且所述辅助探头未提供有与所述探头的尖部分相同的尖部分，所述辅助探头固定地附着到所述探头的一侧。
7.如权利要求6的探头，其中所述辅助探头进一步固定地附着到所述探头的另一侧。
8.一种包括探头的探测卡，每个所述探头具有规定厚度并以平板形状形成，其中所述探头包括主体部分，在其中部弯曲，使得当张力或压缩力在其上端和下端施加到所述主体部分时，所述主体部分被弹性地张紧或压缩；连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成，所述连接部分固定到基板；及尖部分，与所述主体部分的上端整体地形成，所述尖部分接触元件的垫，其中所述主体部分包括水平部；及第一竖直部，从所述水平部的一端竖直向上弯曲，所述第一竖直部整体地连接到所述尖部分；第二竖直部，从所述水平部的另一端竖直向下弯曲，所述第二竖直部整体地连接到所述连接部分，其中所述主体部分的水平部、第一竖直部及第二竖直部的长度被改变以形成多于两种的探头，并且其中所述多于两种的探头固定地附着在所述探测卡的基板上。
9.一种制造探头的方法，包括步骤1，施加牺牲层于硅晶片的整个上表面上，以光刻胶在其上表面涂覆所述牺牲层，并将具有探头形状图案的第一掩模附着到所述光刻胶的上表面；步骤2，借助于所述第一掩模来曝光并显影所述光刻胶，并去除所述第一掩模；步骤3，在所述牺牲层的上表面上执行电解镀以形成第一金属膜，所述牺牲层具有借助于所述曝光和显影而固定的图案；及步骤4，去除所述光刻胶并蚀刻所述牺牲层以从所述硅晶片分离所述第一金属膜。
10.如权利要求9的方法，在所述步骤3和所述步骤4之间，进一步包括步骤3-1，以第二光刻胶在其上表面涂覆所述光刻胶和所述第一金属膜，并将第二掩膜附着到所述第二光刻胶的上表面；步骤3-2，借助于所述第二掩模来曝光并显影所述第二光刻胶，并去除所述第二掩模；及步骤3-3，在所述第一金属膜的上表面上执行电解镀以形成第二金属膜，所述第一金属膜具有借助于所述曝光和显影而固定的图案。
11.如权利要求10的方法，在所述步骤3-3和所述步骤4之间，进一步包括步骤4-1，以第三光刻胶在其上表面涂覆所述第二光刻胶和所述第二金属膜，并将第三掩膜附着到所述第三光刻胶的上表面；步骤4-2，借助于所述第三掩模来曝光并显影所述第三光刻胶，并去除所述第三掩模；及步骤4-3，在所述第二金属膜的上表面上执行电解镀以形成第三金属膜，所述第二金属膜具有借助于所述曝光和显影而固定的图案。
12.如权利要求9的方法，其中所述第一掩膜具有间隔部分，所述间隔部分包括主体部分，在其中部弯曲；连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成；及尖部分，与所述主体部分的上端整体地形成。
13.如权利要求9或10的方法，其中所述第一掩膜具有间隔部分，所述间隔部分包括主体部分，在其中部弯曲；连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成；及尖部分，与所述主体部分的上端整体地形成，并且其中所述第二掩膜具有间隔部分，所述间隔部分包括主体部分，在其中部弯曲；及连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成。
14.如权利要求9到11的任何一个的方法，其中所述第一掩膜具有间隔部分，所述间隔部分包括主体部分，在其中部弯曲；及连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成，其中所述第二掩膜具有间隔部分，所述间隔部分包括主体部分，在其中部弯曲；连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成；及尖部分，与所述主体部分的上端整体地形成，并且其中所述第三掩膜具有间隔部分，所述间隔部分包括主体部分，在其中部弯曲；及连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成。
全文摘要
在此公开了一种探头及其制造方法，且更具体地，一种具有微小节距的探头及其制造方法，利用所述探头来制造一种探测卡，其对应于在晶片上以集结的形状或其他各种形状形成的垫的设置。所述探头具有规定厚度并以平板形状形成。所述探头包括主体部分，在其中部弯曲，使得当张力或压缩力在其上端和下端施加到所述主体部分时，所述主体部分被弹性地张紧或压缩；连接部分，与所述主体部分的下端整体地形成，所述连接部分固定到基板；及尖部分，与所述主体部分的上端整体地形成，所述尖部分接触元件的垫。
文档编号G01R1/073GK1762050SQ200480007020
公开日2006年4月19日 申请日期2004年3月16日 优先权日2003年3月17日
发明者李亿基, 李廷勋 申请人:飞而康公司, 李亿基