专利名称：P型差分式电场微传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电场微传感器，尤其涉及一种在微电子机械系统中使用的P型差分式电场微传感器。
背景技术：
使用单个的EMOS管电场微传感器测试电场时，由于载流子迁移率以及掺杂半导体的载流子浓度都会受到温度的影响，因此测量结果会随温度的变化而变化，环境噪声也会对测量结果产生很大的影响。
发明内容
本发明提供一种抑制温漂的N型差分式电场微传感器。
本发明采用如下技术方案一种用于电场测试的N型差分式电场微传感器，由p沟道电场传感器、p沟道耗尽型金属氧化物半导体管、N型金属氧化物半导体管电流镜及P型金属氧化物半导体管组成，N型金属氧化物半导体管电流镜由2个N型金属氧化物半导体管组成，2个N型金属氧化物半导体管的源极相连并接地，其栅极互连并与其中一个N型金属氧化物半导体管的漏极连接且该N型金属氧化物半导体管的漏极与p沟道电场传感器的漏极连接，上述另一个N型金属氧化物半导体管的漏极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的漏极连接且该节点作为输出端，p沟道电场传感器的源极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的源极连接并与P型金属氧化物半导体管的漏极连接，P型金属氧化物半导体管的源极与电源相连接，P型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。
与现有技术相比，本发明具有如下优点(1)检测电场时，由于有栅EPMOS’将不会受到电场的影响，而且EPMOS和EPMOS’的工艺相同，因此只有电场引起的差模信号被放大，而其他所有的共模信号，如由温度引起的温漂信号、环境引起的噪声信号，都将被抑制。
(2)本发明还采用了一种特殊的p沟道电场传感器，这一技术措施利用掺杂半导体中电荷的漂移原理(正电荷沿电场方向运动，负电荷逆电场方向运动)，静态地感应电场，从而提高了电场检测的可靠性；利用高宽长比的沟道以及在沟道上加微小的电流，提高了电场检测的分辨率。
图1是本发明的电路图。
图2是本发明p沟道电场传感器的截面图。
具体实施例方式
一种用于电场测试的N型差分式电场微传感器，由p沟道电场传感器EPMOS1、p沟道耗尽型金属氧化物半导体管EPMOS’2、N型金属氧化物半导体管电流镜及P型金属氧化物半导体管PMOS5组成，N型金属氧化物半导体管电流镜由2个N型金属氧化物半导体管NMOS3、NMOS4组成，2个N型金属氧化物半导体管NMOS3、NMOS4的源极相连并接地Vss，其栅极互连并与其中一个N型金属氧化物半导体管NMOS3的漏极连接且该N型金属氧化物半导体管NMOS3的漏极与p沟道电场传感器EPMOS1的漏极连接，上述另一个N型金属氧化物半导体管NMOS4的漏极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管EPMOS’2的漏极连接且该节点作为输出端Vout，p沟道电场传感器EPMOS1的源极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管EPMOS’2的源极连接并与P型金属氧化物半导体管PMOS5的漏极连接，P型金属氧化物半导体管PMOS5的源极与电源Vdd相连接，P型金属氧化物半导体管PMOS5的栅极接偏置电压Vb，本实施例可以采用如下特定的p沟道电场传感器EPMOS1，该p沟道电场传感器EPMOS1包括n型衬底11，在衬底11上设有共平面的两个重掺杂的P型接触区13，在重掺杂的P型接触区13上为金属引线15，在这两个重掺杂的P型接触区之间设有P型沟道12且分别与之相连，在P型接触区13及P型沟道12的表面设有SiO2层14。
本发明在使用前，先利用标准电场标定此电路的输出电流。测量电场时，则通过测量电路的输出电流，对照标定值即可得到入射电场的强度，并可采用如下制备工艺来制备，即在n型衬底Si上离子注入得到p阱；b生长底氧，形成表面SiO2层；刻蚀场区，生长场氧；淀积Al并刻蚀，形成NMOS、PMOS、EPMOS’的栅区；离子注入沟道，形成p型沟道；离子注入，形成接触区、NMOS和PMOS的源漏区；光刻引线孔，淀积金属并刻蚀，形成金属引线。
权利要求
1.一种用于电场测试的N型差分式电场微传感器，其特征在于由p沟道电场传感器(EPMOS1)、p沟道耗尽型金属氧化物半导体管(EPMOS’2)、N型金属氧化物半导体管电流镜及P型金属氧化物半导体管(PMOS5)组成，N型金属氧化物半导体管电流镜由2个N型金属氧化物半导体管(NMOS3、NMOS4)组成，2个N型金属氧化物半导体管(NMOS3、NMOS4)的源极相连并接地(Vss)，其栅极互连并与其中一个N型金属氧化物半导体管(NMOS3)的漏极连接且该N型金属氧化物半导体管(NMOS3)的漏极与p沟道电场传感器(EPMOS1)的漏极连接，上述另一个N型金属氧化物半导体管(NMOS4)的漏极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管(EPMOS’2)的漏极连接且该节点作为输出端(Vout)，p沟道电场传感器(EPMOS1)的源极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管(EPMOS’2)的源极连接并与P型金属氧化物半导体管(PMOS5)的漏极连接，P型金属氧化物半导体管(PMOS5)的源极与电源(Vdd)相连接，P型金属氧化物半导体管(PMOS5)的栅极接偏置电压(Vb)。
2.根据权利要求1所述的N型差分式电场微传感器，其特征在于p沟道电场传感器(EPMOS1)包括n型衬底(11)，在衬底(11)上设有共平面的两个重掺杂的P型接触区(13)，在重掺杂的P型接触区(13)上为金属引线(15)，在这两个重掺杂的P型接触区之间设有P型沟道(12)且分别与之相连，在P型接触区(13)及P型沟道(12)的表面设有SiO2层(14)。
全文摘要
N型差分式电场微传感器，由p沟道电场传感器、p沟道耗尽型金属氧化物半导体管、N型金属氧化物半导体管电流镜及P型金属氧化物半导体管组成，N型金属氧化物半导体管电流镜由2个N型金属氧化物半导体管组成，2个N型金属氧化物半导体管的源极相连并接地，其栅极互连并与一个N型金属氧化物半导体管的漏极连接且与p沟道电场传感器的漏极连接，另一N型金属氧化物半导体管的漏极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的漏极连接且该节点作为输出端，p沟道电场传感器的源极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的源极连接并与P型金属氧化物半导体管的漏极连接，P型金属氧化物半导体管的源极与电源相连，P型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。
文档编号G01R29/12GK1710431SQ200510040658
公开日2005年12月21日 申请日期2005年6月22日 优先权日2005年6月22日
发明者黄庆安, 王立峰, 秦明, 茅盘松 申请人:东南大学