专利名称：具有场发生器和传感元件的磁传感器设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及磁传感器设备，其包括磁传感元件，特别是磁阻导线， 以及至少一个用于产生磁激励场的导体。此外，本发明涉及用于制造这 种传感器设备的方法以及所述传感器设备的用途。
背景技术：
WO2005/010543Al和WO2005/010542A2记载了一种磁传感器设备， 其可以例如在微流体生物传感器中用于4企测利用》兹珠(magnetic bead ) 标记的(例如生物的)分子。该微传感器设备设有传感单元阵列，包括 用于产生磁场的导线以及用于检测由磁化小珠产生的杂散场的巨磁阻 器件(GMR)。所述GMR的电阻于是指示了传感单元附近的小珠的数量。
在上述文献中，假设导线和GMR器件具有相同的厚度并且设置在公 共的平面上。然而，在实践中，导线以及关联的GMR器件的厚度可能相 差很大。而且，GMR器件的敏感平面通常不与该器件的中间平面重合。 因此，通过导线的电流所产生的磁场通常将在GMR器件的敏感平面内具 有非消失分量，该非消失分量引入相当大的磁串扰并且因而加强了磁化 粒子的测量。
发明内容
基于这种情形，本发明的目的是提供用于更精确地确定磁场，特别 是磁化粒子产生的杂散场的装置。
这个目的是通过依照权利要求l的磁传感器设备、依照权利要求7的 方法以及依照权利要求11的用途来实现的。从属权利要求中公开了优选 的实施例。
依照本发明的f兹传感器设备包括以下部件
a)磁传感元件，其对于敏感平面内的磁场分量敏感并且具有与所 述敏感平面垂直的第一厚度。在此上下文中，"敏感平面，，是一种几何 对象并且因而在两个维度上无限延展。由于其设计的原因，所述磁传感 元件包括某个敏感区域(例如GMR元件中的自由层)，其对于在该敏感 区域内占优并且与每文感平面平行的^f兹场(矢量)分量每丈感。然而，^l与 敏感平面正交的磁场将不会在所述磁传感元件中产生测量信号。b)至少一个电导体，其用于在电流流经它时产生磁激励场，其中
所述导体具有与所述敏感平面垂直的第二厚度，并且其中该第二厚度与 所述磁传感元件的第一厚度不同。术语"磁激励场"在此上下文中主要
用作对于所述导体产生的磁场的唯一引用；而且，它包含了所述场在许 多应用中的功能的暗示，即对样本中的磁性粒子的激励。
尽管下面的讨论将包括存在仅仅一个导体与 一个磁传感元件关联 的基本情形，但是所述设备的许多优选实施例包括两个导体和它们之间 的关联的磁传感元件的布置。而且，所述磁传感器设备可以包括多个传 感单元，每个传感单元包括与一个或多个磁传感元件关联的一个或多个 导体。
上述磁传感元件和导体的相对布置应当使得导体产生的磁激励场 基本上垂直于磁传感元件(的敏感区域)内的敏感平面。在这点上，如 果所述传感元件的壽丈感平面内的^f兹场分量小于所述^f兹场的幅度的2。/。，优 选地小于0.2%,则认为该磁场"基本上垂直于"所述敏感平面。于是， 磁激励场与完全正交性的偏差将对传感器输出具有可忽略的影响。
所述磁传感器设备具有提供高精度的传感器信号的优点，因为磁激 励场的平面内分量产生的磁串扰被最小化或者甚至被完全消除了 。同 时，该磁传感器设备允许产生强磁激励场(因为它们是例如样本中的磁 性粒子的充分激励所需的)，这要求以足够的厚度确定所述导体的尺寸， 而不管所述磁传感元件的厚度如何。
在所述磁传感器设备的优选实施例中，将所述磁传感元件和导体分 别设置在第一区域和第二区域上，其中所述区域位于隔离材料上并且在 几何上位于与所述传感器设备的敏感平面具有不同距离的平面内。因 此，隔离材料的不同高度可以补偿导体和磁传感元件的不同厚度，使得 通过导体的有效电流位于所述敏感平面内。
在上述实施例的优选实现中，第二区域位于衬底中的沟道的底部， 其中第一区域典型地为该衬底的剩余表面的一部分。因此，可以将所述 导体嵌入或沉入到衬底的(否则平坦的)表面内以便补偿相对于所述磁 传感元件的较高的厚度。特别可能的是，将导体导线的若干部分嵌入到 衬底中(例如在CMOS技术中)，从而存在其上可以构造所述磁传感器设 备的剩余部件的基本上平坦的表面。
在可替换的设计中，所述第 一 或第二区域可以是衬底表面上的边缘的顶部(其中所述表面包括另一区域)。于是，该边缘将会把较薄的部 件(通常为所述磁传感元件)提升到其中所述磁激励场变得与所述敏感 平面垂直的高度。
通常，所述导体和磁传感元件可以具有任意的三维形状。然而，在 优选的实施例中，磁传感元件和/或导体的形状关于敏感平面对称。于是， 这些部件的物理效应也关于敏感平面对称。由于对称性的要求(在磁场 不能具有剧烈的弯曲的假设下)，导体产生的磁激励场必须例如正交地 穿越所述敏感平面。
所述磁传感元件和/或导体的三维形状通常与具有垂直于其轴向方 向的均匀截面的伸长的结构相对应，其中所述截面例如为矩形或圆。
在许多应用中，所述磁传感元件的(第 一 )厚度小于所述导体的(第 二)厚度，因为该导体必须被制成足够大以便允许足够高的电流。在本 发明的优选实施例中，所述第一厚度小于第二厚度的70%,优选地小于
第二厚度的50%,最优选地小于第二厚度的10%。
所述磁传感元件特别地可以包括线圈、霍尔(Hall)传感器、平面 霍尔传感器、磁通门传感器、SQUID (超导量子干涉器件)、磁共振传 感器、磁致伸缩(magneto-restrictive)传感器或者WO200S/010S43Al或 WO2005/010542A2中所述类型的磁阻元件，尤其是GMR(巨磁阻)、TMR (隧道f兹阻)或者AMR (各向异性/磁阻)元件。
本发明还涉及用于制造上述类型的微电子磁传感器设备的方法，其 中所述方法包括以下能够以任意顺序执行的步骤，所述以任意顺序执行 包括这些步骤中的两个或更多个步骤的同时执行
a) 在衬底表面处的隔离材料上产生第一区域和第二区域，其中所 述第一和第二区域相对于所述表面具有不同的高度。
b) 将用于所述磁传感元件的第一材料沉积到第一区域上。该第一 材料可选地可以具有如例如GMR元件所需的分层结构。
c) 将用于所述导体的第二材料沉积到第二区域上。 所述方法可选地可以包括集成微电子器件制造领域的技术人员熟
悉的另外的步骤。因此，将特定材料沉积到衬底的有限区域上通常将包 括将该材料沉积到衬底的整个表面上，将掩模局部地沉积到得到的材料 层上，通过在该材料未被掩盖的地方蚀刻掉该材料来去除掩模之外的所 述材料，以及最后去除掩模，从而留下限制到衬底上的感兴趣区域的材料。
通过调节第 一 和第二区域的不同高度，可以将最终驻留在这些区域 上的所述磁传感元件和导体放置在任何希望的相对高度上。因此，特别 可能的是，设置它们，使得导体产生的磁激励场将垂直于所述磁传感元 件中的敏感平面。
不同高度的第一和第二区域的产生可以以各种不同的方式来实现。 依照一种可替换方案，通过蚀刻衬底的初始平坦的表面，从而在衬底中 产生具有相对于剩余表面的"负高度，，的凹槽来产生第一和第二区域。
这种方法可以进一步区分蚀刻的衬底表面部分；因此，有可能蚀刻仅仅 一小部分，从而在衬底中形成沟道，或者蚀刻较大的部分，从而留下升 高的衬底的隔离的边缘或孤岛。
在另 一个可替换方案中，通过将隔离材料沉积到衬底的平坦表面上 来产生第一和第二区域。因此，可以形成相对于衬底的原始平坦表面的 水平而升高的区域。如已经提到的，隔离材料的沉积可以包括其沉积到 衬底的整个表面上以及随后在不需要该材料的地方去除该材料。可替换 地，在沉积隔离层之前，可选地可以将应当直接设置在衬底表面上的部 件沉积在所述表面上。隔离材料特别地可以是与衬底相同的材料。
在所述方法的另一个优选的实施例中，也将(所述磁传感元件的) 第一材料沉积到第二区域(其中构造所述导体)上，使得所述导体最终 将包括磁传感元件的材料。这通常不成问题，因为电导率是适用于所述 导体的材料的唯一要求。通过类似的方式，也可以将导体的第二材料沉 积到其中构造所述磁传感元件的第 一 区域上。
本发明还涉及以上所描述的磁传感器设备的用途，其用于分子诊 断、生物样本分析和/或化学样本分析，特别是小分子的检测。分子诊断 可以例如借助于直接或间接附着到目标分子的磁珠来实现。
本发明的这些和其他方面根据以下描述的实施例将是显而易见的， 并且将参照这些实施例进行阐述。这些实施例将借助于附图通过实例加 以描述，在附图中
图1为依照本发明的磁传感器设备的示意性表示；
图2和图3示出了磁传感器设备的两个可替换的制造过程，其包括将GMR元件放置在衬底的升高的区域上；
图4、图5和图6示出了磁传感器设备的三个可替换的制造过程，其 中导体的一部分嵌入到衬底中；
图7示出了具有中间隔离层的磁传感器设备的制造过程；
图8示出了 GMR元件中的磁串扰信号与其上分别放置了导体和 GMR元件的区域的高度差的依赖关系。
具体实施例方式
相同的附图标记或者相差100的整数倍的附图标记在附图中表示相 同或相似的部件。
图1示出了在作为生物传感器的特定应用中的依照本发明的微电子 磁传感器设备100，所述生物传感器用于检测研究区域(样本室)中的 磁交互粒子，例如超顺磁性小珠1。磁阻生物芯片或生物传感器在灵敏 度、特异性、集成、易于使用和成本方面具有用于生物分子诊断的有前 景的特性。WO2003/054566、 WO2003/054523 、 WO2005/010542A2 、 WO2005/010543A1以及WO2005/038911A1中描述了这样的生物芯片的 实例，这些文献通过引用合并到本申请中。
生物传感器典型地包括图l所示类型的(例如IOO个)磁传感器设 备100的阵列，并且因而可以同时测量溶液(例如血液或唾液)中的大 量不同目标分子(例如蛋白质、DNA、氨基酸、滥用药物)的浓度。在 结合(bind)方案的一个可能的实例(所谓的"夹心式测定(assay)") 中，这是通过向结合表面提供目标分子可以与其结合的第一抗体来实现 的。携带第二抗体的超顺磁性小珠1于是可以附着到结合的目标分子上。 为了简单起见，图中仅仅示出了小珠l。 —
在激励导线lll、 113形式的导体中流动的电流I产生磁场H，该磁 场然后磁化超顺磁性小珠1。来自超顺磁性小珠1的杂散场H'在传感器 设备100的巨磁阻(GMR) 112中引入磁化分量，其在GMR 112的敏 感平面E内具有矢量分量并且因而产生可测量的电阻变化。这种方法也 可以应用到其他的结合方案(例如抑制性或竟争性测定)以检测小的分 子，比如药物。此外，这种方法也可以用来检测与传感表面相距一定距 离的(固定)磁珠(体测量)。
上述类型的生物传感器中使用的磁阻传感器通常非常薄。因此，图 1中所示的GMR元件12的典型厚度d例如大约为数十纳米，其中所述厚度根据定义是在垂直于所述设备的表面的方向Z上测量的。由于激励 导线必须产生相当大的磁激励场H并且因而必须传导相当大的电流I，
因此导线111、 113的厚度h必须被选择成大得多，典型地大约为数百
纳米，以便防止过热和/或电迁移效应。
在典型的平版印刷工艺中，将磁阻传感元件和激励导线沉积在衬底 的公共平坦表面上(图中未示出)。由于前述的它们的厚度差异，激励 导线中电流的中心因而与所述磁传感器的敏感层不完全在同 一平面内。 这种配置使得导线产生的磁场不是完全垂直地进入传感元件的敏感区 域，并且因而大激励场的小的平面内分量被所述传感器检测到。由于激 励场比小珠的杂散场大得多，因而甚至该场的平面内分量也比来自磁珠
的典型信号大得多。这种假的(spurious)平面内分量称为磁串扰，其 干扰了待测量的信号。因此，需要一种配置和方法，其降低或完全消除 这种磁串扰信号，从而可以更可靠地测量来自小珠的杂散场。
本文提出通过相对于薄磁阻传感器112降低厚的激励导线111、 113，使得导线中电流I的中心位于与传感器112的敏感层相同的敏感平 面E内来解决上述磁串扰问题。这样，可以显著地降低或者甚至完全消 除串扰。
图1中所示的特定磁传感器设计包括衬底114(例如Si),衬底114 在其顶侧分别具有不同高度z!和Z2的区域Rl和R2，其中GMR元件112 放置在第一较高的区域R1上并且导体111和113放置在两个第二较低 的区域R2上。因此，导体lll、 113的厚度h (在z方向上测量)可以 比GMR元件112的厚度d更大，因为它由两个区域Rl、R2的高度差lz广Z21 补偿，使得导体导线111、 113的中间平面位于与GMR元件112的敏感 平面E相同的高度。在该图中，为了简单起见假设所述敏感平面E与 GMR元件112的中间平面重合，得到对于理想放置的关系式
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具有导体导线和磁传感元件的所描述的"平衡放置"的微电子传感 器设备可以通过各种不同的平版印刷工艺来实现，例如
1) 将传感材料沉积在衬底上并且同时图案化所述传感器和将衬底 蚀刻到需要的深度。随后，沉积和图案化导线材料。
2) 制造具有所需厚度的一半的埋藏导线。这可以为例如CMOS工 艺的最后阶段。在平面化之后，完成磁性材料的沉积和图案化。随后，进行第二半导线的沉积和图案化。可以调整该第二导线层的厚度，以便 消除串扰信号。
3) 在沉积导线和传感器之前图案化衬底，并且随后沉积和图案化 传感器和导线。
4) 沉积和图案化导线材料；沉积隔离材料和传感材料；随后，图 案化传感材料。为了在导线和传感器之间形成接触，还必须形成通路孔。
图2示出了磁传感器设备200的第一示例性制造工艺的连续步骤。 该工艺的特征在于，只留下衬底表面在区域Rl之下的(小的)区域部 分，该部分最终承载GMR传感器212,而将衬底S的表面的其余部分 蚀刻掉深度lz,-Z21。这个工艺的第一阶段a)包括将传感材料G(例如材 泮+Ta、 NiFe、 IrMn、 CoFe、 Ru、 CoFe、 Cu、 CoFe、 NiFe和Ta的分层 序列)沉积到衬底S上并且将掩模M1沉积到第一区域R1上。接下来， 在掩模M1周围的区域中蚀刻掉衬底S的一部分以及传感材料G (阶段 b)。然后，去除蚀刻掩模M1并且将导线材料W (例如Au)沉积到整 个表面上(阶段c)。在阶段d),在导线材料上将掩模M2沉积到第二 区域R2上。然后，在导线材料W未被掩盖的地方，蚀刻掉导线材料W， 在阶段e)得到最终的传感器设备200,其在衬底214上的第一区域R1 和两个第二区域R2上分别包括GMR传感器212和两个导体导线211、 213。
图3示出了上述工艺的变型，其在阶段a)开始于在衬底S上将掩 模M1沉积到第一区域R1上。然后，在掩模M1之外蚀刻衬底S (阶段 b),从而剩下高度为lz广Z2l的直立边缘。在去除掩模M1之后，将传感 材料G沉积到整个表面上并且再次将掩模M2放置到第一区域R1上(阶 段c)。在阶段d),在传感材料G未被掩盖的地方，蚀刻掉传感材料 G。在去除掩模M2之后，将厚层导线材料W沉积到整个表面上并且在 两个第二区域R2上用掩模M3覆盖(阶段e)。然后，在步骤f)蚀刻 掉掩模M3之外的导线材料W,得到最终的传感器设备300,其在衬底 314上的第一区域Rl和两个第二区域R2上分别包括GMR传感器312 和两个导体导线311、 313。
图4示出了另一种制造工艺，其中将导线材料的一部分Wl沉积或 埋藏到衬底S中的预制沟道中(阶l殳a)。这可以例如在CMOS工艺的 最后阶段中完成。在平面化之后，在阶段b)顺序地用传感材料G和导线材料的第二部分W2覆盖整个表面，并且将掩模M1沉积到第二区域
R2上。在阶段c),在导线材料W2未被掩盖的地方，蚀刻掉导线材料 W2,并且之后去除掩模。在阶段d),将新的掩模M2和M3分别放置 在第一和第二区域Rl和R2上，使得现在可以在不需要传感材料G的 地方蚀刻掉传感材料G。这在阶段e)得到最终的传感器设备400,其在 衬底414上的第 一 区域Rl和两个第二区域R2上分别包括GMR传感器 412和两个导体导线411、 413。在这种情况下，两个导体导线411、 413 具有分层结构，该分层结构具有底层和顶层"纯"导线材料以及中间层 传感材料。
图5示出了上述工艺的变型，其中同样将导体导线的一部分Wl埋 藏到衬底S中(阶段a)。在下一阶段b),将传感材料G沉积到整个 表面上并且将掩冲莫M1和M2分别放置到第一和第二区域R1和R2上。 在阶段c),蚀刻掉多余的传感材料G并且去除掩模。接下来，将导线 材料的第二部分W2沉积到整个表面上，并且再次用掩模M3覆盖第二 区域R2(阶段d)。然后，在导线材料W2未被掩盖的地方蚀刻掉导线 材料W2，并且去除掩模。这得到阶段e)的最终的传感器设备500,其 在衬底514上的第 一 区域Rl和两个第二区域R2上分别包括GMR传感 器512和两个导体导线5U、 513。像在前面的附图中一样，导体导线 511、 513包括三个不同的层。
图6示出了制造工艺的另一种变型，其开始于将导线材料W的一 部分W1埋藏到村底S中。在阶段a)，这些埋藏的部分Wl ^皮导线材 料的第二部分W2覆盖，导线材料的该第二部分W2在整个表面上延伸 并且在该导线材料上已经将掩模Ml放置到第二区域R2上。在阶段b ), 在第二导线材料W2未被掩盖的地方蚀刻掉第二导线材料W2，并且去 除掩模。接下来，将传感材料G沉积到整个表面上并且将掩模M2放置 到第一区域R1上(阶段c)。然后，在传感材料G未被掩盖的地方蚀 刻掉多余的传感材料G,并且去除所述掩模。这在阶段d)中得到最终 的传感器设备600，其在衬底614上的第一区域R1和两个第二区域R2 上分别包括GMR传感器612和两个导体导线611、 613。在这种情况下， 每个导体导线611、 613包括(典型地相同材料，例如Au的)两个块， 其中之一埋藏到衬底614中。
图7示出了可替换的制造工艺，其在阶段a)开始于将导线材料W沉积到衬底S上并且随后将掩模M1放置到第二区域R2上。在阶段b)， 蚀刻掉未被掩盖的导线材料并且去除掩模。在阶段c)，将隔离材料J
(例如与村底S相同的材料)沉积到整个表面上并且然后用传感材料G 完全覆盖。在阶段d)，将掩模M2沉积到第一区域R1上，并且在阶段 e)在传感材料G未被掩盖的地方蚀刻掉传感材料G并去除掩模。这得 到最终的传感器设备700，其在衬底714上的第一区域R1和两个第二区 域R2上分别包括GMR传感器712和两个导体导线711、 713。与前面 的实施例形成对照的是，在该方法中衬底S的表面保持为平面状，并且 通过将GMR传感器712放置到附加地沉积的(隔离)层715上而升高 该GMR传感器712。为了接触导线711、 713,通常必须在隔离层715 中蚀刻出通孔(未示出)。
图8示出了磁传感器设备200中的GMR传感器212的输出信号s
(例如电压降)，所述磁传感器设备如图2所示地制造，在衬底S中具 有不同的蚀刻深度lz^Z21。由于测量期间不存在磁珠，该示图示出了磁串 扰与区域Rl和R2之间的高度差iz广Z2l的依赖关系，在所述区域上分别 放置了 GMR传感器212和激励导线611、 613。可以看出，通过更深地 蚀刻衬底，串扰信号s由正变为负。通过仔细地调整蚀刻深度，可以完 全消除》兹串扰。
尽管上面参照特定实施例描述了本发明，但是各种不同的修改和扩
展是可能的，例如
-除了分子测定之外，也可以利用依照本发明的磁传感器设备检测 更大的部分，例如细胞、病毒，或者细胞或病毒的小部分、组织提取物 等等。
-检测可以在传感元件相对于生物传感器表面进行扫描或不扫描的 情况下发生。
-测量数据可以作为端点测量以及通过动态地或间歇地记录信号而 导出。
-可以通过感测方法直接4企测用作标记的》兹性粒子。同样，可以在 检测之前进一步处理这些粒子。进一步处理的实例是添加材料或者修改 标记的(生物)化学特性或物理特性以方便测量。
-所述设备和方法可以与若干生化测定类型一起使用，所述测定类 型例如结合/去结合测定、夹心式测定、竟争性测定、置换测定、酶测定等等。
-所述设备和方法适合用于传感器复用(即不同传感器和传感器表 面的并行使用)、标记复用(即不同类型的标记的并行使用)以及室复 用(即不同反应室的并行使用)。
-所述设备和方法可以用作快速、鲁棒和易于使用的小样本体积救
治现场(point-of-care)生物传感器。所述反应室可以是要与紧凑读取器 一起使用的一次性物品，其包含所述一个或多个磁场发生装置和一个或 多个检测装置。此外，本发明的设备、方法和系统可以用于自动化高通 量测试。在这种情况下，所述反应室是例如安装到自动化仪器中的孔板 (well plate )或小容器(cuvette)。
最后，应当指出的是，在本申请中措词"包括/包含"并没有排除其 他的元件或步骤， "一"并没有排除复数，并且单个处理器或其他单 元可以实现若干装置的功能。本发明存在于每一个新颖的特有特征以及 特有特征的每一种组合之中。此外，权利要求中的附图标记不应当被视 为限制了它们的范围。
权利要求
1.一种磁传感器设备(100-700)，包括a)磁传感元件(112-712)，其对于敏感平面(E)内的磁场分量敏感并且具有与所述敏感平面垂直的第一厚度(d)；b)至少一个导体(111-711，113-713)，其用于在电流(I)流经它时产生磁激励场(H)，所述导体具有与所述敏感平面(E)垂直的第二厚度(h)，该第二厚度与所述第一厚度(d)不同，其中所述导体相对于所述磁传感元件设置，使得所述磁激励场(H)基本上垂直于所述磁传感元件内的敏感平面(E)。
2. 依照权利要求l的磁传感器设备(100-700),其特征在于，所述磁传感元件(112-712 )和导体(111-711, 113-713) 分别设置在隔离材料(S, J)的第一和第二区域(R1, R2)上，其中所 述区域(Rl, R2)属于与所述敏感平面(E)具有不同距离的平面。
3. 依照权利要求2的磁传感器设备(400-600), 其特征在于，第二区域(R2)位于衬底(S)中的沟道的底部。
4. 依照权利要求l的磁传感器设备(100-700)，其特征在于，磁传感元件(112-712)和/或导体(111-711, 113-713) 的形状关于所述敏感平面(E)对称。
5. 依照权利要求l的磁传感器设备(100-700),其特征在于，所述第一厚度(d)小于第二厚度(h)的70%,优选 地小于第二厚度(h)的50%,最优选地小于第二厚度(h)的10%。
6. 依照权利要求l的磁传感器设备(100-700),其特征在于，所述磁传感元件包括线圏、霍尔传感器、平面霍尔传 感器、磁通门传感器、SQUID、磁共振传感器、磁致伸缩传感器或者磁 阻元件，比如GMR ( 112-712)、 AMR或者TMR元件。
7. —种用于制造依照权利要求l的微电子磁传感器设备(100-700) 的方法，包括任意顺序的以下步骤a) 在衬底(S)表面处的隔离材料(S, J)上产生第一和第二区域 (Rl, R2),所述第一和第二区域相对于所述表面具有不同的高度；b) 将用于所述磁传感元件(112-712)的第一材料(G)沉积到第 一区域(Rl )上；c) 将用于所述导体(111-711, 113-713)的第二材料(W, Wl,W2)沉积到第二区域(R2)上。
8. 依照权利要求7的方法，其特征在于，通过蚀刻衬底(S)的初始平坦的表面来产生第一和 第二区域(R1, R2)。
9. 依照权利要求7的方法，其特征在于，通过将绝缘材料(J)沉积到衬底(S)的平坦表面上 来产生第一和第二区域(R1, R2)。
10. 依照权利要求7的方法，其特征在于，同样也将所述第一材料(G)沉积到第二区域(R2) 上，和/或也将所述第二材料沉积到第一区域(Rl)上。
11.依照权利要求1的磁传感器设备(100-700)的用途，其用于分 子诊断、生物样本分析和/或化学样本分析，特别是小分子的检测。
全文摘要
本发明涉及磁传感器设备(100)，其可以例如用于检测磁化粒子(1)并且包括至少一个导体(111，113)和至少一个磁传感元件，例如GMR元件(112)。为了补偿它们的不同厚度(d，h)，将这些部件分别放置到与磁传感元件(112)的敏感平面(E)具有不同距离的第一和第二区域(R1，R2)上。因此，可以使得导体(111，113)产生的磁激励场(H)垂直于磁传感元件(112)内的所述敏感平面(E)。在优选的制造工艺中，例如部分地将导体(111，113)嵌入到衬底(114)表面中蚀刻的沟道中。
文档编号G01N33/543GK101622539SQ200880006074
公开日2010年1月6日 申请日期2008年2月19日 优先权日2007年2月23日
发明者H·范佐恩, J·A·H·M·卡尔曼, J·A·J·M·克温滕 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司