专利名称：电阻法鉴别中小功率三极管质量的制作方法
技术领域：
本发明是有关利用万用表检测中小功率三极管结电阻，以鉴别其质量的创新技 术。二、与发明相关的现有技术现今世界各国用万用表只能检测出2个中小功率三极管结电阻阻值，还不能测量 出5个结电阻阻值。一九九八年元月辽宁科技出版社出版了，由中国人民解放军某部队专 业研究所所长，高级工程师杜虎林编著的权威著作一《用万用表检测电子元器件》，该书所 介绍的检测技术，也只能检测出2个数据。虽说一九九四年元月人民邮电出版社出版的，由 章长生编著的《用万用表检修彩色电视机(修订本)》一书中列出了六个结电阻阻值，且用 RX 10，RX IK欧姆档测量，但是那六个电阻值为技术理论值，除了少数几个国家可以在实验 室检测出来以外，实际应用中是测量不出来的，即便是美国、日本和西欧国家在检测晶体管 时，也没有利用上。我八百多本电子技术书刊中，有关检测晶体管的内容，即使是2002年出 版的，也反映出目前还没有能够检测出2个以上结电阻阻值的技术。事实上无论进口还是 国产三极管，尽管是优质的，连六个非技术理论电阻值都体现不出来，更不用说符合六个技 术理论值了。再一目前还没有晶体管实测正反向结电阻阻值范围。这些就是晶体管现有检 测技术中存在的问题。这一问题，限制了“电阻法”检测技术的应用范围，也成为强电电子 产品开发研究的障碍。三、发明的目的1、怎样选择万用表欧姆档档位实测晶体管结电阻阻值？2、晶体管的各结电阻实测正反向阻值范围是多少？3、总结晶体管质量的鉴别技术。四、发明的技术内容目前绝大多数PNP型晶体管为锗材料，绝大多数NPN型三极管为硅材料。现在分 别介绍这两种晶体管质量的检测技术方案。(一)PNP型三极管质量的检测1、测量正向电阻1)万用表量程拨至RX 10欧姆档，be、be正向结电阻应为几十欧姆至几百欧。2)万用表量程拨至RX 10欧姆档或RX IOK欧姆档，ce正向电阻为几百欧至⑴。2、测反向电阻万用表量程拨至RX IOk欧姆档。be、bc反向结电阻为几十千欧至⑴，ce反向结电 阻为几十干欧至⑴。符合以上正反向电阻值的PNP型三极管为为合格品。(二)NPN型三极管质量的检测1、测正向电阻1)万用表量程拨至RX 10欧姆档，be、be正向结电阻为几十欧姆至几百欧。2)万用表量程拨至RX IOK欧姆档，ce正向电阻为几千千欧至⑴。
2、测反向电阻万用表量程拨至RX IOK欧姆档，be、ce反向结电阻均为几百千欧至⑴，be反向结 电阻为⑴。符合以上数据的NPN型三极管为合格品。小结1、PNP型或NPN型三极管内部在不短路、断线的情况下，反向结电阻与正向 结电阻的比值越大越好。但正反向结电阻最小值不能低于技术理论值，结电阻过小，稳定性 差，这样的三极管也不是合格品。2、在检测PNP型三极管质量的第1. 2)步骤和第2步骤中，万用表指针不会动的， 实测时动了一点，按以上数据指针只动一点的管子，实测时动得大一些，这样的三极管就是 优质的，也可以说正反向结电阻阻值接近或等于技术理论值的三极管就是优质三极管。3、在检测NPN型三极管质量的第1. 2)步骤和第2步骤中，示值应为⑴的NPN型三 极管，实测时万用表指针则动了一点，按数据规律指针动一点的管子，实测时指针摆动得大 些，这样的NPN型三极管是优质的，也可以说正反向结电阻阻值接近或等于技术理论值的 NPN型三极管是优质的。4、PNP型或NPN型三极管结电阻为⑴时，若为内部断线，则其余各极间结电阻阻值 就不会符合以上正反向阻值范围。5、用RX 10欧姆实测三极管时，如果be或be正向结电阻为⑴。改用RX IOk欧姆 档测量极为⑴，说明be或be结断线。6、用RX IOK欧姆档测PNP型或NN型三极管，如果测得be、bc或ce反向结电阻为 0，改用RX 10欧姆档测量还是零，说明PN结反向击穿短路。五、发明的效果对三极管结电阻的检测，世界各国只能测出2个数据，本发明巧妙地变换测量档 位，将RX IK档上提到RX IOK档，增大了测量电压，测量灵敏度提高了，也就成功地测出了 5个数据，使万用表检测晶体管质量的技术迈出了实质性的一步，是质的变化。值得一提的 是用RX IOK档检测正向高阻，尤其是反向电阻，只有微安级电流不足以烧坏管子，只能说 不能用RXlOK档检测正向低阻。另外根据实际检测经验系统归纳总结出了晶体管质量好 坏的判断技术。通过数据分析得出了实测晶体管正反向结电阻阻值范围，并作为鉴别晶体 管质量的依据。这一检测技术的改进为检测仪表的研究提供了切实可行的思路，即提高万 用表工作电压，增大灵敏度，要测出六个数据是可望实现的。再有这一检测技术的改进，使 “电阻法”检测技术真正达到了较完善的实用阶段，并且发展了 “替代法”技术，也使强电产 品的开发研究视野更加广阔。六、附图及其说明
图1左上区间为检测PNP型晶体管be间正反向结电阻原理图。图1左下区间为测量PNP型三极管be间正反向结电阻原理图。图1右区间为测量PNP型三极管ce间正反向结电阻原理图。图2左上区间为测量NPN型三极管be间正反向结电阻原理图。图2左下区间为检测NPN型三极管be间正反向结电阻原理图。图2右区间为检测NPN型三极管ce间正反向结电阻原理图。H-万用表测量高阻；
L-万用表检测低阻；A-万用表红表笔；B-万用表黑表笔；b-三极管基极；C-三极管集电极；e-三极管发射极。七、实现发明的最好方式例1 以3DG12晶体管为例。该晶体管为硅NPN型高频小功率管，用500型万用表 检测。1)按图2检测be间正反向结电阻，万用表RX 10档检测正向电阻，结果为120欧。 用RX IOk档检测反向电阻①。2)按图2检测be间正反向结电阻。用RX 10档测正向电阻为120欧。用RX IOk 档测反向电阻为300k。3)按图2，且用RXlOk档测ce间正反向结电阻。结果正向电阻为⑴，反向电阻为 560千欧。 所以这只三极管为合格品。例2，判断3DG6晶体管的故障。该三极管为硅NPN型高频小功率三极管。按图1测其be间正反向结电阻，万用表 拔至RX 10欧姆档检测正反向结电阻均为零，故可判断be间PN结短路。例3，判断3DG6A的故障。该三极管为硅NPN型高频小功率管，按图2用RX 10欧姆档检测be间正向电阻为 ⑴，用RXlk档，RXlOk档复测仍为⑴，说明该三极管内部断线。
权利要求
电阻法鉴别中小功率三极管质量的发明，可以检测出中小功率三极管结电阻，且归纳了实测正反向结电阻阻值范围，其特征是A、测量PNP型三级管正向电阻①万用表量程拔至R×10欧姆档，be、bc正向结电阻应为几十欧姆至几百欧；②万用表量程拔至R×10欧姆档或R×10K欧姆档，ce正向电阻为几百欧至∞；B、测量PNP型三级管反向电阻万用表量程拔至R×10K欧姆档，be、bc、ce反向结电阻为几十千欧至∞；符合步骤A、B的正反向电阻值范围的PNP型三极管为合格品；C、测量NPN型三极管正向电阻①万用表量程拔至R×10欧姆档，be、bc正向结电阻为几十欧至几百欧；②万用表量程拔至R×10K欧姆档，ce正向结电阻为几千千欧至∞；D、测量NPN型三极管反向电阻万用表量程拔至R×10K欧姆档，be、ce反向结电阻均为几百千欧至∞，bc反向结电阻为∞；符合步骤C、D数据范围的NPN型三极管为合格品。
2.根据权利要求1所述电阻法鉴别中小功率三极管质量的检测技术，其特征是在步 骤A、B、C、D中PNP型或NPN型三极管内部在不短路、断线的情况下，反向结电阻与正向结电 阻的比值越大越好。但正反向结电阻最小值不能低于技术理论值，结电阻过小，稳定性差， 这样的三极管也不是合格品。
3.根据权利要求1所述电阻法鉴别中小功率三极管质量的检测技术，其特征是1、在 步骤A②和步骤B中万用表指针不会动的，即示值应为⑴的PNP型三极管，实测时万用表指 针则动了一点，按数据规律指针只动一点的管子，实测时指针摆动得大一些，这样的PNP型 三极管就是优质的，也可以说正反向结电阻阻值接近或等于技术理论值的PNP型三极管就 是优质的；II、在步骤C②和步骤D中，示值应为⑴的NPN型三极管，实测时万用表指针则动了 一点，按数据规律指针动一点的管子，实测时指针摆动得大些，这样的NPN型三极管是优质 的，也可以说正反向结电阻阻值接近或等于技术理论值的NPN型三极管是优质的。
4.根据权利要求1所述电阻法鉴别中小功率三极管质量的检测技术，其特征是1、在 步骤A②和B中，PNP型三极管结电阻为⑴时，若为内部断线，则其余各极间结电阻阻值就 不会符合数据规律；II、在步骤C②和步骤D中，NPN型三极管的结电阻为⑴时，若为内部断线，则其余各极 间结电阻阻值不符合数据规律。
5.根据权利要求1所述电阻法鉴别中小功率三极管质量的检测技术，其特征是1)在 步骤A中，用RX 10欧姆档实测PNP型晶体管时，测得be或be正向结电阻为c ，改用RX IOK 欧姆档测量仍为⑴，说明be或bcPN结断线；2)在步骤C①中，用RX 10欧姆档实测NPN型三极管时，测得be、bc正向结电阻为⑴， 改用RX IOK欧姆档测量仍为⑴，则be或bcPN结断线。
6.根据权利要求1所述电阻法鉴别中小功率三极管质量的检测技术，其特征是1)在步骤B中，用RX IOK欧姆档实测PNP型三极管反向电阻时，如果测得be、bc或ce反向结电阻为0，改用RXlO欧姆档测量仍为0，则PN结反向击穿短路；2)在步骤D中，用RX IOK欧姆档实测NPN型三极管反向电阻时，如果测得be、bc或ce 反向结电阻为0，改用RX 10欧姆档测量仍为0，则PN结反向击穿短路。
全文摘要
电阻法鉴别中小功率三极管质量的发明，用万用表检测结电阻，主要存在万用表档位，实测阻值范围和质量鉴别的技术问题。解决方案是1、无论何种管型均用R×10档测正向电阻，R×10K档测反向电阻。2、对于PNP型三极管be、bc正向结电阻是几十欧至几百欧，ce正向结电阻为几百欧至∞；be、bc、ce反向结电阻为几十千欧至∞。对于NPN型三极管be、bc正向结电阻是几十欧至几百欧，ce正向结电阻为几千千欧至∞。be、ce反向结电阻为几百千欧至∞，bc反向结电阻为∞。3、在技术理论值范围内，反正向结电阻比值越大越好。通常硅管结电阻大于锗管。正反向结电阻等于技术理论值，为优质管。三极管内部断线，各结电阻阻值不合规律。
文档编号G01R31/02GK101900758SQ20091016856
公开日2010年12月1日 申请日期2009年8月19日 优先权日2009年8月19日
发明者蔡忠贞 申请人:蔡忠贞