专利名称：基于emi噪声分析的gtem小室校准及评估方法
技术领域：
本发明涉及对基于EMI (Electro Magnetic Interference，电磁干扰)噪声分析的 GTEM(Gigaherts Transverse Electro Magnetic，吉赫兹横电磁波)小室进行校准及评估的方法，属于电磁兼容技术领域。
背景技术：
目前，电磁兼容标准中所规定的辐射电磁干扰测试装置主要为开阔场(OAT)、电波暗室及半暗室，而这些装置对于辐射电磁干扰测试的要求非常高，且造价昂贵。因此，有必要找到一种相对廉价并且可以代替开阔场或电波暗室的辐射电磁干扰测试方法。IEC61000-4-20 标准已经将 GTEM 小室作为电小尺寸 EUT (Equipment Under Test, 受试设备)辐射发射测试的替代设备，由于它的使用频带很宽，在DC 18GHz范围内不需要像在开阔场及半波暗室中测量时那样更换接收天线，因而使测试效率得到提高。并且造价低廉，不受环境噪声的影响，测试步骤简单，数据复现性好等等一系列的优点，使它有着很好的使用前景，用GTEM小室代替开阔场或暗室、半暗室进行EMI测试为许多企业提供了一个行之有效的方法。然而，目前一般的GTEM小室大都用于EMS(Electrc) Magnetic Susceptibility,电磁抗扰度)测试，而针对于EMI测量的尚不多见。并且受试设备的极限值仍是以开阔场或半波暗室中测得数据为依据的，因此在GTEM小室测得的数据需要转换为等效的开阔场或电波暗室的场强值。有关GTEM小室作为一种辐射电磁干扰测试装置的研究主要有通过测量GTEM小室芯板与底板间的电压，计算多极矩模型或辐射功率得出被测设备辐射场特性，可将GTEM小室测得的数据转换为等效的开阔场或电波暗室的场强值， 主要有Wilson、Lee和总功率法这三种关联算法，如Wilson算法通过转台将被测设备进行 9次测量，即在每种摆法上旋转三次，共得到9个电压值，根据功率计算公式
权利要求
1. 一种基于EMI噪声分析的GTEM小室的校准方法，其特征在于包括如下步骤1)提取GTEM小室辐射电磁干扰噪声的多项式模型远场中，辐射电场强度的大小表示为
2.权利要求1所述基于EMI噪声分析的GTEM小室的校准方法的评估方法，其特征在于利用高阶矩对校准后的GTEM小室的测试结果进行评估，具体方法如下 若Xi为一组对应于标准结果各测试频点的GTEM小室电场数据，则 vt = E(Xi-EXi)% t = 1,2,3 …(5)称为的Xi的t阶矩，若t ^ 3，则称为Xi的高阶矩，当t为奇数时，vt反应了信号分布的对称性；当t为偶数时，vt反应了信号分布的尖峭程度，由于4阶以上的高阶矩计算较为繁琐很少采用，因此通过3阶矩和4阶矩判断两个信号的分布特性是否相似，根据3阶矩所定义的衡量信号分布的偏斜程度的指标称为偏度，如式(6)所示
3.基于EMI噪声分析的GTEM小室校准及评估方法，其特征在于包括如下步骤 第一步将某一被测物体在:3m电波暗室中进行标准测试，记录该被测设备在30MHz至 IGHz频段内的辐射电场强度值；第二步将GTEM小室的输出端口通过线缆与频谱仪的输入端相连；频谱仪与计算机连接以获取GTEM小室所测数据；将该被测物体放置在GTEM小室中的转台上，进行第一次测试，记录下数据后，将转台转动45°，进行第二次测试，直至完成九次测试，分别为被测物体在三种不同摆法下分别进行三个不同角度的测试，得到九组不同的测试电压值；根据这九组电压值通过Wilson算法计算得到被测物体在: 标准测试下在x、y、z三个方向上的等效辐射电场分量，再根据这三个分量得到总的辐射电场强度
全文摘要
本发明公开了基于EMI噪声分析的GTEM小室校准及评估方法，属于电磁兼容技术领域。该方法提出一种GTEM小室辐射电磁干扰噪声提取的多项式模型，分析该模型计算数据与标准数据差值的方差对该模型进行误差补偿，从而对GTEM小室进行校准，并基于高阶矩分析的方法对该校准方法进行评估。本发明所述基于EMI噪声分析的GTEM小室校准及评估方法简便、快速、实用性高，能够提高GTEM小室辐射电磁干扰测量精度。
文档编号G01R35/00GK102565739SQ20111034957
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月8日 优先权日2011年11月8日
发明者戎融, 褚家美 申请人:东南大学