专利名称：热释电红外传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及热释电红外传感技术，尤其涉及一种热释电红外传感器。
背景技术：
热释电红外传感器(或称探测器)是一种利用热释电效应原理制成的非常有应用潜力的温度敏感传感器，它能检测人或某些动物发射的红外线并转换成电信号输出。近年来，伴随着集成电路技术的飞速发展以及对该传感器的特性的深入研究，相关的专用集成电路处理技术也迅速增长。目前，已经有很多电子设备生产商根据热释电红外传感器、尤其是被动式红外(Passive InfraRed, PIR)传感器的特性设计出了专用的信号处理器，比如HOLTEK HT761X、PTI PT8A26XXP、WELTREND WT8072、BISS0001，9803 等，可应用于各种人体感应设备(如人体感应楼道灯等)。图I和图2分别示出了现有技术的热释电传感器的电路原理图和部件结构示意图；如图2所示，现有技术的热释电传感器封装结构，主要包括有形成封闭式结构的底座20和外壳10、在外壳10的上表面窗口贴有滤光片30,而所述封闭式结构内设置有光学敏感元件50和固定该光学敏感元件50的支撑架60、电子器件40和固定该电子器件40的基座70，另外，从底座20内部向下延伸出的3根引脚80。但是，发明人在实施本实用新型的过程中发现，由于现有技术中的电子器件都固定在基座上，因此基座作为产品部件消耗了产品成本。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种热释电红外传感器，该传感器可在不影响产品性能的前提下简化产品结构，大大降低产品成本。为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案—种热释电红外传感器,包括有形成封闭式结构的底座和外壳，该外壳的上表面窗口设置滤光片，所述封闭式结构内设置有敏感元件组件和电子器件，所述电子器件直接设置在所述底座上。优选地，所述电子器件包括有FET、晶元、IC芯片。优选地,所述敏感元件组件包括有光学敏感元件和支撑柱，所述光学敏感元件通过所述支撑柱固定在所述底座上。本实用新型的有益效果是本实用新型的实施例通过将电子器件直接设置在底座上，省略了基座这个部件，从而在不影响产品性能的前提下简化了产品结构，大大降低了产品成本。
以下结合附图对本实用新型作进一步的详细描述。
图I是现有技术的热释电红外传感器的电路原理图。图2是现有技术的热释电红外传感器的爆炸图。[0014]图3是本实用新型的热释电红外传感器一个实施例的爆炸图。
具体实施方式
下面参考图3详细描述本实用新型提供的热释电红外传感器的一个实施例；如图所示，本实施例主要包括有形成封闭式结构的底座12和外壳11,该外壳11的上表面窗口设置滤光片13,所 述封闭式结构内设置有敏感元件组件14和电子器件15，而电子器件15直接设置在底座12上。具体实现时，电子器件15包括有FET、晶元、IC芯片。具体地,敏感元件组件14包括有光学敏感元件141和支撑柱142，光学敏感元件141通过支撑柱142固定在底座12上。另外，从底座12内部向下延伸出的3根引脚16。与现有技术相比，本实用新型的优点在于由于将电子器件直接设置在底座上，省略了基座这个部件，从而在不影响产品性能的前提下简化了产品结构，大大降低了产品成本。以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出如底座上设置FET场效应管、晶元、IC芯片等若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种热释电红外传感器，包括有形成封闭式结构的底座和外壳，该外壳的上表面窗口设置滤光片，所述封闭式结构内设置有敏感元件组件和电子器件，其特征在于所述电子器件直接设置在所述底座上。
2.如权利要求I所述的热释电红外传感器，其特征在于所述电子器件包括有FETde0兀、IC心片。
3.如权利要求I所述的热释电红外传感器，其特征在于所述敏感元件组件包括有光学敏感元件和支撑柱，所 述光学敏感元件通过所述支撑柱固定在所述底座上。
专利摘要本实用新型公开一种热释电红外传感器，包括有形成封闭式结构的底座和外壳，该外壳的上表面窗口设置滤光片，所述封闭式结构内设置有敏感元件组件和电子器件，所述电子器件直接设置在所述底座上。本实用新型可在不影响产品性能的前提下简化产品结构，大大降低产品成本提高产品可靠性。
文档编号G01J5/10GK202382858SQ20112052661
公开日2012年8月15日 申请日期2011年12月15日 优先权日2011年12月15日
发明者孙中平 申请人:孙中平