专利名称：高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置。
背景技术：
磁共振成像系统是一种功能强大的成像设备，主磁体是其主要的硬件之一，可以在指定成像区域内提供高强度、稳定、高均匀度的磁场。而高开放度磁体除了满足上述要求夕卜，由于尺寸上的低闭合程度，在临床实践中还可以大大消除病人的幽闭感，为扫描检查带来便利，因此比一般的磁体更受欢迎。然而高开放度的超导磁体的设计难度较普通超导磁体困难，开放度对于磁体各部分尺寸的限制导致成像区的磁场更不均匀、漏磁场范围更大，并且超导线圈以及其他铁磁性材料部件都会受到相当大的磁力。为了弥补磁场的不均匀和降低漏磁场的范围，往往需要调整磁体线圈半径或加长超导线，从而大幅度提高成本；而为了支撑IOOkN量级的磁力，额外的机械结构往往会降低开放程度。另外一方面，主磁体的加工和装配会带来误差，磁场源位置上1_的位置偏差就可能带来kN量级的磁力，从而需要设计额外的固定和支撑结构。
实用新型内容一、要解决的技术问题实用新型本装置的目的正是针对高开放度超导磁体设计中的上述困难提出的解决方案。通过在不影响成像视野范围和开放度的位置设置铁磁性材料，利用装置的铁磁性材料对磁场源的反作用力降低和调节主磁体受力；利用铁磁性材料对磁场的改变，提高成像区磁场均匀性并降低漏磁场的大小和范围。二、为解决上述技术问题的技术方案为解决上述技术问题，本实用新型高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置，包括一固定在铁轭上的低温杜瓦及设置在低温杜瓦内的超导线圈，其特征在于上述铁轭上设有与超导线圈相对应的磁场调节装置，该磁场调节装置由一个或多个铁磁性材料的部件构成。作为优化，上述磁场调节装置设置在上述超导线圈内侧，上述磁场调节装置包括固接在铁轭上的铁环、设置在铁环内并通过磁导率接近空气的材料固定到铁轭上的调节块，上述调节块与上述超导线圈相对应。作为优化，上述磁场调节装置设置在上述超导线圈外侧并固定在铁轭上，上述磁场调节装置为一弧形铁块，该铁块与上述超导线圈相对应。作为优化，上述铁环有若干个小铁环拼接成型，上述小铁环螺接在上述铁轭上三、本实用新型的有益效果本实用新型系一种高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置，由一个或多个铁磁性材料的部件构成。部件通常和磁场源在形状上近似， 对于螺旋管结构的超导线圈典型形状为环状、柱状、片状，其形状通过优化算法计算得到，但也可根据需要设计为不对称或其他异形。每个部件既可以是固定的，也可以是可调整的。装置利用铁磁性材料对磁场源的反作用力降低和调节主磁体受力；利用铁磁性材料对磁场的改变，提高成像区磁场均匀性并降低漏磁场的大小和范围。通过合理的计算和设计，本装置可以达到调整成像区磁场均匀度、漏磁场大小和范围、磁体所受磁力三项中的一项或多项目的。
以下结合附图对本实用新型高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置作进一步说明
图1是本实用新型实施例一的结构示意图；图2是本实用新型实施例二的结构示意图一；图3是本实用新型实施例二的结构示意图二。图中，I为铁轭，2为低温杜瓦,3为超导线圈,4为铁环,5为固定螺杆,6为调节块，7为铁块,8为成像区。
具体实施方式
实施方式一如图1所示，本实用新型高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置，包括一固定在铁轭I上的低温杜瓦2及设置在低温杜瓦2内的超导线圈3，其中，上述铁轭I上设有与超导线圈3相对应的磁场调节装置，该磁场调节装置由一个或多个高磁导率的部件构成。上述磁场调节装置设置在上述超导线圈3内侧，上述磁场调节装置包括固接在铁轭I上的铁环4、设置在铁环4内并磁导率接近空气的材料固定在铁轭I上的固定螺杆5及调节块6，上述调节块6与固定螺杆5螺接配合，并通过螺母紧固，上述调节块6与上述超导线圈3相对应。上述铁环4由若干个小铁环拼接成型，上述小铁环螺接在上述铁轭I上，本实用新型小铁环有两个，当然，也可根据实际的需要设置多个。上述固定螺杆5采用磁导率与空气基本相同的材料制成，例如环氧或不锈钢等。本实施例调节块6相对于铁轭I处于一个“悬空”的状态，其调节块6与铁轭I之间的磁导率几乎可以忽略，以此进行调节。本实施例的磁场调节装置为可调型磁场调节装置，通过调节螺接在固定螺杆5上的调节块6达到对磁场的均匀度、漏磁场大小及范围、磁体所受磁力的大小进行调节，从而达到提高磁场均匀度、控制漏磁的大小及范围以及调整磁体所受的磁力大小。现有磁体所受磁力的大小约为370KN，而由加工、装配误差引起的侧向拉力约为4KN，磁场的均匀度约为2000ppm，漏磁场5gs线范围较大。本实用新型通过调节块6的上下移动调整，可将370KN的磁力调整为_3 3KN，可将铁环4改成不对称结构并左右调整，可将由加工、装配误差引起的约4kN侧向拉力调整为-0. 3 0. 3kN ;同时,磁场均勻度可由2000ppm优化为130ppm ;漏磁场5gs线范围可降低0. 3 0. 5mo高磁导率的部件主要由铁，钴，镍和钆及其它们的合金制成。实施方式二 如图2和3所示，本实施例与实施例一基本相同，所不同的是本实用新型高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置，包括一固定在铁轭I上的低温杜瓦2及设置在低温杜瓦2内的超导线圈3，其中，上述铁轭I上设有与超导线圈3相对应的磁场调节装置，该磁场调节装置由多个高磁导率的部件构成。上述磁场调节装置设置在上述超导线圈3外侧并固定在铁轭I上，上述磁场调节装置为一弧形铁块7，该铁块7与上述超导线圈3相对应。本实施例可将结构不对称并可左右调整的铁块7，可将由加工、装配误差引起的约4kN侧向拉力调整为-O. 3 O. 3kN。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置，包括一固定在铁轭上的低温杜瓦及设置在低温杜瓦内的超导线圈，其特征在于所述铁轭上设有与超导线圈相对应的磁场调节装置，该磁场调节装置由一个或多个高磁导率的部件构成。
2.根据权利要求1所述的高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置，其特征在于所述磁场调节装置设置在所述超导线圈内侧，所述磁场调节装置包括固接在铁轭上的铁环、设置在铁环内并通过磁导率接近空气的材料固定到铁轭上的调节块，所述调节块与所述超导线圈相对应。
3.根据权利要求1所述的高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置，其特征在于所述磁场调节装置设置在所述超导线圈外侧并固定在铁轭上，所述磁场调节装置为一弧形铁块，该铁块与所述超导线圈相对应。
4.根据权利要求2所述的高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置，其特征在于所述铁环由若干个小铁环拼接成型，所述小铁环螺接在所述铁轭上。
专利摘要本实用新型涉及一种用于高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置。高开放度的超导磁体的设计难度较普通超导磁体困难，开放度对于磁体各部分尺寸的限制导致成像区的磁场更不均匀、漏磁场范围更大，并且超导线圈以及其他铁磁性材料部件都会受到相当大的磁力。本实用新型公开了一种高开放度超导磁共振磁体上的磁场调节装置，包括一固定在铁轭上的低温瓦杜及设置在低温瓦杜内的超导线圈，其中，铁轭上设有与超导线圈相对应的磁场调节装置，该磁场调节装置由一个或多个高磁导率的部件构成。利用铁磁性材料对磁场的改变，提高成像区磁场均匀性并降低漏磁场的大小和范围。
文档编号G01R33/3815GK202870283SQ20122008281
公开日2013年4月10日 申请日期2012年3月7日 优先权日2012年3月7日
发明者郑杰, 许建益, 华延芳, 何群 申请人:宁波健信机械有限公司