专利名称：一种超级电容放电曲线采集装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电容技术领域，特别涉及一种超级电容放电曲线采集装置。
背景技术：
超级电容也叫做电化学电容器，具有性能稳定、使用寿命长等特点，近年来在电动汽车、太阳能发电、重型机械等领域表现出前有未有的发展趋势，很多发达国家都已把关于超级电容的项目作为国家重点科研方向，超级电容在国内市场上也呈现出蓬勃发展的景象。超级电容的性能测试是超级电容技术研究的主要方面。
发明内容针对现有技术存在的不足，本实用新型提供一种超级电容放电曲线采集装置。本实用新型的技术方案是这样实现的:该超级电容放电曲线采集装置包括微处理器、IGBT、限流电阻、示波器、电流传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT放电电阻和超级电容相连接，放电电阻和超级电容相连接，电流传感器串联在放电回路。装置工作时,微处理器发出控制信号，IGBT导通，超级电容通过放电电阻放电，电流传感器采集放电回路曲线并传递给示波器，示波器记录超级电容的放电过程。本实用新型的优点:该超级电容放电曲线采集装置结构简单、操作安全、装置稳定性强。
图1为本实用新型超级电容放电曲线采集装置结构图。
具体实施方式
本实用新型的详细结构结合实施例加以说明。该超级电容放电曲线采集装置结构如图1所示，IGBT型号选取1MBI200L-120、微控制器选取型号为PIC16F877A，电流传感器选择CHB300-P。该超级电容放电曲线采集装置由微处理器PIC16F877A、IGBT 1MBI200L-120、放电电阻、示波器、电流传感器CHB300-P和超级电容组成，微处理器与IGBT相连接，IGBT放电电阻和超级电容相连接，放电电阻和超级电容相连接，电流传感器串联在放电回路。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，超级电容通过放电电阻放电，电流传感器采集放电回路曲线并传递给示波器，示波器记录超级电容的放电过程。
权利要求1.一种超级电容放电曲线采集装置，其特征在于:包括微处理器、IGBT、限流电阻、示波器、电流传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT放电电阻和超级电容相连接，放电电阻和超级电容相连接，电流传感器串联在放电回路。
专利摘要一种超级电容放电曲线采集装置，属于电容技术领域。该超级电容放电曲线采集装置包括微处理器、IGBT、限流电阻、示波器、电流传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT放电电阻和超级电容相连接，放电电阻和超级电容相连接，电流传感器串联在放电回路。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，超级电容通过放电电阻放电，电流传感器采集放电回路曲线并传递给示波器，示波器记录超级电容的放电过程。本实用新型的优点该超级电容放电曲线采集装置结构简单、操作安全、装置稳定性强。
文档编号G01R19/00GK202994915SQ20122058116
公开日2013年6月12日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日
发明者李翠, 刘栋, 刘聪 申请人:沈阳创达技术交易市场有限公司