金属传感器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种金属传感器，其具有初级线圈、补偿线圈、第一附加线圈和磁场传感器。在此能够在不给初级线圈和补偿线圈通电的情况下给第一附加线圈通电。
【专利说明】金属传感器
【技术领域】
[0001] 本发明涉及按权利要求1所述的金属传感器以及按权利要求11所述的、用于运行 金属传感器的方法。
【背景技术】
[0002] 用于在壁体、地面或土地中发现金属的对象或其他可磁化的对象的金属传感器已 由现有技术公开并且使用线圈来激励磁场和测量磁通量的变化。由于所测量的磁通量根据 是否存在可磁化对象而有所不同，由此能够识别出所述对象。所测得的磁通量变化一部分 是起激励作用的磁场的直接结果并且一部分是基于可磁化对象的磁场的结果。所述基于所 述对象的磁场通常又是起激励作用的磁场的结果。
[0003] 由 申请人:内部文件号为R. 335154的未公开专利申请可知一种金属传感器，其具 有两个设置用于产生两个彼此相对指向的磁场的线圈，所述两个彼此相对指向的磁场的叠 加在所述金属传感器的磁场传感器的位置处几乎消失。由此所述金属传感器的磁场传感器 在没有可磁化对象时探测到零位信号，从而得到有利的信噪比和高动态性（Dynamik)。此 夕卜，所述零位信号依赖于环境温度。然而当存在可磁化对象时，所述磁场传感器的测量信号 就会偏离零位信号并且一般并不能不受温度影响。
【发明内容】
[0004] 因此，本发明的任务在于提供一种改进的金属传感器，其温度依赖性被减小或消 除。该任务通过具有权利要求1所述特征的金属传感器得以完成。本发明的任务还在于提 出运行所述改进的金属传感器的方法。该任务通过具有权利要求11所述特征的方法得以 完成。优选的改进方案在从属权利要求中给出。
[0005] 根据本发明的金属传感器包括初级线圈、补偿线圈、第一附加线圈和磁场传感器。 在此能够在不给初级线圈和补偿线圈通电的情况下给第一附加线圈通电。在这种金属传感 器中，能够以有利的方式借助于磁场传感器测量仅通过第一附加线圈产生的磁场的大小。 由此能够以有利的方式确定所述金属传感器对温度的依赖程度。
[0006] 在所述金属传感器的优选的实施方式中，所述金属传感器包括第二附加线圈，所 述第二附加线圈能够在不给初级线圈和补偿线圈通电的情况下被通电。所述第二附加线圈 在此设置用于产生与可由第一附加线圈产生的磁场反向平行的磁场。有利的是，由所述第 二附加线圈产生的磁场具有与由第一附加线圈产生的磁场相等的强度。通过第一附加线圈 和第二附加线圈产生的、反向平行的磁场而后以有利的方式相互叠加，由此使得其偶极矩 相互抵消，这就导致所述两个附加线圈的远场（Fernfeld)在主要的等级中具有四极特性。 由此，通过所述附加线圈所产生的磁场的强度随着间距快速减小，从而排除所述磁场与可 能存在的金属对象或可磁化对象之间相互作用的情况。
[0007] 在所述金属传感器的一种实施方式中，所述金属传感器包括盘状的电路载体。在 此，所述初级线圈、补偿线圈和第一附加线圈布置在所述电路载体的第一表面上，而第二附 加线圈布置在所述电路载体的第二表面上。如果所述盘状的电路载体是多层的，那么所述 线圈也能够布置在内层上。以有利的方式能够如此布置所述磁场传感器，使得通过第一附 加线圈和第二附加线圈产生的磁场在所述磁场传感器的位置处并不完全抵消。
[0008] 有利的是，在同时给初级线圈、补偿线圈、第一附加线圈和第二附加线圈通电时所 产生的磁场在所述磁场传感器的位置处消失。于是在所述金属传感器的周围环境中不存在 可磁化对象时，所述磁场传感器以有利方式产生零位信号（Nullsignal)，由此得到对温度 的不依赖性、良好的信噪比和高动态性。
[0009] 在所述金属传感器的一种实施方式中，所述初级线圈、补偿线圈和第一附加线圈 串联。由此以有利的方式确保，所述初级线圈、补偿线圈和第一附加线圈中始终流过强度完 全相同的电流。
[0010] 在所述金属传感器的一种实施方式中，能够使所述初级线圈和补偿线圈短路，从 而在不给初级线圈和补偿线圈通电的情况下给第一附加线圈通电。这以有利的方式实现了 所述初级线圈、补偿线圈和第一附加线圈之间的串联布置但又允许仅给所述第一附加线圈 单独通电。而在替代的实施方式中，所述初级线圈和补偿线圈能够被夹断以替代短路。 [0011] 在所述金属传感器的一种改进方案中，阻抗元器件与所述初级线圈、补偿线圈和 第一附加线圈串联，其中所述阻抗元器件的电阻大约相当于由初级线圈和补偿线圈构成的 串联电路的内阻。在此能够使阻抗元器件短路。于是当通过短路将初级线圈和补偿线圈 从串联电路中移除时，就能够以有利的方式将所述阻抗元器件接入到串联电路中。于是所 述串联电路的电阻以有利的方式保持大致恒定，由此也使得流过该串联电路的电流保持恒 定，从而避免由于电流增加或减少而造成的温度变化。
[0012] 在所述金属传感器的补充改进方案中，所述金属传感器具有用于测量线圈中流动 的电流的装置。对线圈中流动的电流的测量能够以有利的方式允许对线圈中流动的电流的 温度依赖性进行补偿。
[0013] 用于运行上述类型金属传感器的、根据本发明的方法包括如下步骤：在不给所述 初级线圈和补偿线圈通电的情况下给第一附加线圈通电并且测量所述磁场传感器的第一 输出电压；在不给初级线圈和补偿线圈通电的情况下给第一附加线圈通电并且测量磁场传 感器的第二输出电压；给初级线圈、补偿线圈、第一附加线圈通电并且测量磁场传感器的第 三输出电压；以及将所述第三输出电压与第一输出电压和第二输出电压的商相乘，从而获 得修正的第三输出电压。有利的是，该方法能完全消除金属传感器的磁场传感器的温度依 赖性。此外，如果能够忽略线圈的感应率并且初级线圈和补偿线圈的短路不会导致附加线 圈明显变热并由此造成线圈的欧姆阻抗发生变化，那么该方法还能消除流经线圈的电流的 温度依赖性。
[0014] 在所述方法的一种改进方案中，在已确定的第一温度下测量第一输出电压，在第 二温度下测量第二输出电压，在所述第二温度下测量第三输出电压。
[0015] 在所述方法的一种改进方案中，在已确定的第一温度下测量第一输出电压，在第 二温度下测量第二输出电压，此外在第二步骤中在所述第二温度下测量第一附加线圈中流 过的第一电流，在所述第二温度下测量第三输出电压，在第三步骤中补充性地在所述第二 温度下测量第一附加线圈中流过的第二电流，将修正的第三输出电压与第一电流和第二电 流的商相乘，从而获得第四输出电压。该改进方案中的方法能够以有利的方式在不能忽略 线圈的感应率的情况下对线圈电流的温度依赖性进行补偿或者说平衡。
【专利附图】
【附图说明】
[0016] 现在借助于附图对本发明进行详细阐述。其中：
[0017] 图1示出金属传感器的电路载体的上侧的俯视图；
[0018] 图2示出所述电路载体的下侧的透视图；
[0019] 图3示出替代的实施方式的金属传感器的电路载体的下侧的透视图；
[0020] 图4示出用于运行金属传感器的方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0021] 图1示出金属传感器100的截取部。所述金属传感器100用于发现隐藏在壁体、 地面或土地中的金属的对象或者其他可磁化的对象。所述可磁化的对象与所述金属传感器 100能够有例如10cm或20cm的距离。
[0022] 图1示出金属传感器100的电路载体110的上侧111的俯视图。所述电路载体 110构造为扁平的、盘状的层并且例如能够是印刷电路板（Leiterplatte)。布置在所述电 路载体110的上侧111上的结构例如能够是被印压上的。
[0023] 在所述电路载体110的上侧111上布置有初级线圈200、补偿线圈300和第一附 加线圈400。所述线圈200、300、400分别构造成圆形并且相互同心地布置。所述初级线圈 200的半径大于补偿线圈300的半径。所述补偿线圈300的半径大于第一附加线圈400的 半径。图1中所示的线圈200、300、400的匝数只是示例性地选择的。所述线圈200、300、 400还能够具有比图1所示的更多或更少圈。
[0024] 所述线圈还能够具有其他形状（例如矩形）并且不是必须同心地布置。形状和 结构必须确保，在没有所述对象的情况下，所述初级线圈、补偿线圈和附加线圈的磁场在所 述磁场传感器的位置处消失，并且所述附加线圈的磁场在所述磁场传感器的位置处不会消 失。
[0025] 所述初级线圈200在其外端部上具有第一触头210并且在其内端部上具有第二触 头220。所述补偿线圈300在其外端部上具有第一触头310并且在其内端部上具有第二触 头320。所述第一附加线圈400在其外端部上具有第一触头410并且在其外端部上具有第 二触头420。所述初级线圈200的第二触头220与补偿线圈300的第一触头310导电连接。 所述补偿线圈300的第二触头320与第一附加线圈400的第一触头410导电连接。
[0026] 图2示出所述电路载体110的透视图，在所述透视图中能够看到电路载体110的、 布置在与上侧111相对的下侧112上的结构。
[0027] 所述电路载体110的下侧112具有第二附加线圈500,所述第二附加线圈具有与 第一附加线圈400相同的直径和相同的匝数。此外，所述电路载体110的下侧112具有第 一接头121、第二接头122、第三接头123和第四接头124。所述接头121、122、123、124是 电路载体110的向外可使用的接头并且能够与所述金属传感器100的其他组件导电连接。 此外，所述电路载体110的下侧112具有第五接头125、第六接头126、第七接头127和第八 接头128。所述第八接头128与第二附加线圈500的内端部导电连接。所述第二附加线圈 500的外端部与第一接头121导电连接。
[0028] 所述电路载体110此外还具有触通部（Durchkontaktierung) 131，所述触通部将 第二接头122和初级线圈200的第一触头210导电连接。所述第一触通部131与电路载体 110的其他所有触通部一样构造成导电的、穿过所述电路载体110延伸的触通部（Via)。第 二触通部132将第五接头125和初级线圈200的第二触头220导电连接。第三触通部133 将第六接头126和补偿线圈300的第一触头310导电连接。第四触通部134将第七接头 127和补偿线圈300的第二触头320导电连接。第五触通部135将第八接头128和第一附 加线圈400的第二触头420导电连接。
[0029] 所述电路载体110的下侧112还具有第一开关141和第二开关142。所述开关141、 142能够构造为例如场效应晶体管。所述第一开关141的第一触头与第二接头122导电连 接。所述第一开关141的第二触头与第五接头125导电连接。所述第一开关141的控制触 头与第三接头123导电连接。所述第一开关141构造用于根据施加在第三接头123上的控 制信号使第二接头122和第五接头125相互导电连接或相互绝缘。第二开关142的第一触 头与第六接头126导电连接。第二开关142的第二触头与第七接头127导电连接。所述第 二开关142的控制触头与第四接头124导电连接。所述第二开关142构造用于根据施加在 第四接头124上的控制信号使第六接头126和第七接头127相互导电连接或相互绝缘。
[0030] 所述电路载体110此外还具有磁场传感器150,所述磁场传感器在所示示例中布 置在线圈200、300、400、500的中心。所述磁场传感器150例如能够布置在所述电路载体 110的凹槽或缺口中。所述磁场传感器150优选构造为磁阻式磁场传感器，但也能够是其他 类型的磁场传感器。所述磁场传感器150设置用于探测处于所述磁场传感器150处的磁场 的大小。所述磁场传感器150构造用于输出电压振幅，所述电压振幅以振幅和相位描述了 磁场传感器150的测量信号。
[0031] 所述金属传感器100能够在两种不同的模式下运行。在此在第一接头121和第二 接头122之间始终要施加一运行电压。如果开关141U42断开，也就是不导电，则电流从第 二接头122经过第一触通部131流至初级线圈200的第一触头210、经过初级线圈200流至 初级线圈200的第二触头220、继续流至补偿线圈300的第一触头310、经过补偿线圈300 流至补偿线圈300的第二触头320、继续流至第一附加线圈400的第一触头410、经过第一 附加线圈400流至第一附加线圈400的第二触头420、经过第五触通部135流至第八接头 128、继续经过第二附加线圈500并且最后流至第一接头121。在此，流经所有线圈200、300、 400、500的电流的强度都相同。在所示示例中，所述初级线圈200和第二附加线圈500以顺 时针方向被穿流，而补偿线圈300和第一附加线圈400以逆时针方向被穿流。因此初级线 圈200和补偿线圈300产生指向反向平行的磁场。与之相应的是，第一附加线圈400和第 二附加线圈500也产生指向反向平行的磁场。
[0032] 如果所述开关141、142闭合，也就是导电，则所述初级线圈200和补偿线圈300在 电气方面被短路并且由此被跨接。于是电流从第二接头122出发经过第一开关141流至第 五接头125、经过第二触通部132流至初级线圈200的第二触头220、继续流至补偿线圈300 的第一触头310、经过第三触通部133流至第六接头126、经由第二开关142流至第七接头 127、经过第四触通部134流至补偿线圈300的第二触头320、继续流至第一附加线圈400的 第一触头410、经过第一附加线圈400流至第一附加线圈400的第二触头420、经过第五触 通部135流至第八接头128、经过第二附加线圈500并且最后流至第一接头121。在此，第 一附加线圈400以逆时针方向被穿流，而第二附加线圈500以顺时针方向被穿流。因此，第 一附加线圈400和第二附加线圈500产生指向反向平行的磁场。
[0033] 在所述金属传感器100的、未不出的、替代的实施方式中，所述电路载体110具有 附加的阻抗元器件，所述附加的阻抗元器件能够借助于开关被接入到由初级线圈200、补偿 线圈300、第一附加线圈400和第二附加线圈500构成的串联电路中。所述阻抗元器件的 电阻在此相当于由初级线圈200和补偿线圈300构成的串联电路的内阻。如果所述初级线 圈200和补偿线圈300,如上文所述，通过闭合开关141、142而从所述串联电路中移除，则 所述阻抗元器件被接入到该串联电路中，从而使所述串联电路的总阻抗保持恒定。如果开 关141、142断开并且由此将所述初级线圈200和补偿线圈300接入到串联电路中，则从所 述串联电路中移除阻抗元器件。替代简单的欧姆阻抗（Ohmscher Widerstand)，还能够使用 复合阻抗（Komplexe Impedanz)作为阻抗元器件。
[0034] 图3示出了根据另一替代的实施方式的金属传感器1100的电路载体110的下侧 112的透视图。所述金属传感器1100中相当于图1和2中金属传感器100的元件的那些元 件设有相同的附图标记。所述金属传感器1100的电路载体110具有附加的第九接头129， 该第九接头能够与所述金属传感器1100的其他组件连接。此外，在第一接头121和第二附 加线圈500之间布置有测量阻抗（Shunt)143。经过所述测量阻抗143下降的电压能够借助 于电压测量计144进行测量。测量结果能够在第九接头129上读取。所述电压测量计144 例如能够构造为差动放大器。所述测量阻抗143和电压测量计144用于量化流经线圈200、 300、400、500 的电流。
[0035] 如此选择所述第一附加线圈400和第二附加线圈500的缠绕方向，从而产生反向 平行的磁场。由于第一附加线圈400和第二附加线圈500的匝数少，因此由附加线圈400、 500激励出的磁场比通过初级线圈200和补偿线圈300产生的磁场小。这两个附加线圈的 彼此一致的匝数和直径导致通过这两个线圈产生的磁场的磁场强度相同。所述附加线圈 400、500的小直径导致远距离的小磁场强度。这两个相同强度的磁场的、反向平行的定向导 致偶极矩的抵消，从而使得附加线圈400、500的远场在主要的等级中具有四极特性并且由 此随着间距的增加而快速减小。
[0036] 所述磁场传感器150并非准确地布置在第一附加线圈400和第二附加线圈500的 中心。因此通过附加线圈400、500产生的磁场在磁场传感器150的位置处并非准确地相互 补充到零，而是留有小的剩余磁场。初级线圈200和补偿线圈300如此匹配，使得只要所有 的线圈200、300、400、500都通电，所述小的剩余磁场就消失。当金属传感器100的周围环 境中没有可磁化的对象时，磁场传感器150就测得零位信号。如果所述初级线圈200和补 偿线圈300借助于开关141、142发生短路，则所述小的剩余磁场会再次施加在所述磁场传 感器150上。
[0037] 由于通过附加线圈400、500产生的磁场随着与所述金属传感器100的间距快速消 退，因此剩余磁场在所述磁场传感器150的位置处的大小不依赖于所述金属传感器100的 周围环境中存在可磁化的对象。然而所述剩余磁场的大小会依赖于温度并且因此用于确定 和补偿所述金属传感器100的温度依赖性。这种温度依赖性例如能够通过由所述磁场传感 器150提供的测量信号的振幅的温度依赖性以及通过所述初级线圈200产生的磁场的温 度依赖性产生，其又受所述初级线圈200的内阻的温度依赖性以及流经所述线圈200、300、 400、500的电流的温度依赖性的影响。
[0038] 图4示出用于补偿所述金属传感器100的温度依赖性的方法600的流程示意图。 假如能够忽略所述线圈200、300、400、500的感应率并且初级线圈200和补偿线圈300的短 路不会导致附加线圈400、500自身明显变热并且由此导致附加线圈400、500的电阻变化， 则能够使用该方法600。
[0039] 在第一方法步骤610中，在金属传感器100的机构校准期间，第一附加线圈400和 第二附加线圈500被通电，而不给初级线圈200和补偿线圈300通电。也就是说通过开关 141、142使初级线圈200和补偿线圈300短路。随后测量所述磁场传感器150的输出电压 U1。测得的值U1例如被存储在所述金属传感器100的分析电路中。
[0040] 在第二方法步骤620中，在通常使用金属传感器100期间，重新给第一附加线圈 400和第二附加线圈500通电，而不给所述初级线圈200和补偿线圈300通电。此时测量所 述磁场传感器150的第二输出电压U2。也就是说，不论是在第一方法步骤610中还是在第 二方法步骤620中都能确定处于所述磁场传感器150的位置处的剩余磁场的大小，该大小 可能在两次测量之间由于温度依赖性而发生变化。
[0041] 在第三方法步骤630中，给所述初级线圈200、补偿线圈300、第一附加线圈400和 第二附加线圈500通电。也就是说所述第一开关141和第二开关142为此断开。此时测量 所述磁场传感器150的输出电压U3。如果在所述金属传感器100的周围环境中存在可磁化 的对象，那么所述第三输出电压U3不等于零。但所述第三输出电压U3可能因为所述金属 传感器100的温度依赖性而出现错误。
[0042] 在第四方法步骤640中算出所述温度依赖性，其方式为：将第三输出电压U3与第 一输出电压U1和第二输出电压U2的商相乘，以得到修正的第三输出电压U3':
[0043] 〇
[0044] 所述修正的第三输出电压U3'在如上述那样假定温度依赖性的情况下被释放。尤 其完全消除了所述磁场传感器150的温度依赖性。
[0045] 如果所述线圈200、300、400、500的感应率不能被忽略和/或流经所述线圈400、 500的电流依赖于温度，这样就需要附加地对线圈电流进行温度补偿。这能够在所述方法 600的改进方案中实施，其中使用图3中的金属传感器1100。
[0046] 在所述方法的该改进方案中，在第一方法步骤610中，在机构校准期间，在已确定 的第一温度T0下实施第一输出电压U1。在第二方法步骤620中，在第二温度T下测量第二 输出电压U2,所述第二温度通过所述金属传感器1100的使用时刻时存在的温度来确定。在 这一改进方案中，在第二方法步骤620中，在第二温度T下附加地测量在附加线圈400、500 中流过的第一电流II。为此例如能够使用测量阻抗143和电压测量计144。在第三方法步 骤630中，同样在第二温度T下测量第三输出电压U3。此外，在第三方法步骤630中，在第 二温度下测量流经所述线圈200、300、400、500的第二电流12。
[0047] 在第四方法步骤640中，所述修正的第三输出电压U3'附加地与第一电流11和第 二电流12的商相乘，从而得到第四输出电压U3" : /{ in /1 c./ yτ - U 3：1 - - IJ 3-.
[0048] /2 ?/2 η ο
[0049] 第四输出电压U3"同样消除了所述线圈电流可能的温度依赖性，这也适用于不能 忽略所述线圈200、300、400、500的感应率的情况。替代第一电流II和第二电流12,还能够 测量在所述测量阻抗143处下降的电压。在这种情况中，将修正的第三输出电压U3'与第 一测量电压和第二测量电压的商相乘，从而得到第四输出电压U3"。所述测量阻抗143可 能的温度依赖性由此减小。
[0050] 在一种简化的实施方式中，能够省去所述第二附加线圈500。但其缺点在于，通过 第一附加线圈400产生的磁场在主要的等级中具有双极特性并且因此没那么快速地随着 与金属传感器100、1100间距的增大而变小。
[0051] 所述附加线圈400、500还能够具有附加的相同方向的圈或附加的相反方向的圈。 在这种情况中，在所述磁场传感器150处可测得的剩余磁场可能更大或更小。
[0052] 还能够设置附加的附加线圈，从而使得通过附加线圈产生的磁场在主要的多极等 级中没有四极特性而是具有例如八极特性。在这种情况下，通过附加线圈产生的磁场的间 距依赖性更有利。
[0053] 还可能的是，当所述初级线圈200和补偿线圈300处于运行中时，断开附加线圈 400、500的连接。但其缺点在于，附加线圈400、500不能恒定变热，这可能导致结果出现错 误。
[0054] 替代借助于开关141、142使所述初级线圈200和补偿线圈300短路，还能够夹断 所述初级线圈200和补偿线圈300,从而只给附加线圈400、500通电。
【权利要求】
1. 金属传感器（100、1100)，具有初级线圈（200)、补偿线圈（300)、第一附加线圈（400) 和磁场传感器（150)，其中能够在不给所述初级线圈（200)和所述补偿线圈（300)通电的情 况下给所述第一附加线圈（400)通电。
2. 按权利要求1所述的金属传感器（100、1100)，其中所述金属传感器（100、1100)包 括第二附加线圈（500)，其中能够在不给所述初级线圈（200)和所述补偿线圈（300)通电的 情况下给所述第二附加线圈（500)通电，其中所述第二附加线圈（500)设置用于产生磁场， 所述磁场与由所述第一附加线圈（400)能够产生的磁场反向平行地指向。
3. 按权利要求2所述的金属传感器（100、1100)，其中所述金属传感器（100、1100)包 括盘状的电路载体（110)，其中所述初级线圈（200)、所述补偿线圈（300)和所述第一附加 线圈（400)布置在所述电路载体（110)的第一表面（111)上，其中所述第二附加线圈（500) 布置在所述电路载体（110)的第二表面（112)上。
4. 按权利要求2所述的金属传感器（100、1100)，其中所述金属传感器（100、1100)包 括多层的、盘状的电路载体（110)，其中所述初级线圈（200)、所述补偿线圈（300)和所述第 一附加线圈（400)布置在所述电路载体（110)的第一表面或者内层（111)上，其中所述第 二附加线圈（500)布置在所述电路载体（110)的第二表面或内层（112)上。
5. 按权利要求2至4中任一项所述的金属传感器（100、1100)，其中在同时给所述初级 线圈（200)和所述补偿线圈（300)通电时所产生的磁场在所述磁场传感器（150)的位置处 消失。
6. 按权利要求2至5中任一项所述的金属传感器（100、1100)，其中在同时给所述初级 线圈（200)、所述补偿线圈（300)、所述第一附加线圈（400)和所述第二附加线圈（500)通 电时所产生的磁场在所述磁场传感器（150)的位置处消失。
7. 按上述权利要求中任一项所述的金属传感器（100、1100)，其中所述初级线圈 (200)、所述补偿线圈（300)和所述第一附加线圈（400)串联。
8. 按权利要求7所述的金属传感器（100、1100)，其中能够使所述初级线圈（200)、所述 补偿线圈（300)短路，从而在不给所述初级线圈（200)和所述补偿线圈（300)通电的情况 下给所述第一附加线圈（400)通电。
9. 按权利要求8所述的金属传感器（100、1100)，其中阻抗元器件与所述初级线圈 (200)、所述补偿线圈（300)和所述第一附加线圈（400)串联，其中所述阻抗元器件的电阻 大致相当于由初级线圈（200)和补偿线圈（300)构成的串联电路的内阻，其中所述阻抗元 器件能够被短路。
10. 按上述权利要求中任一项所述的金属传感器（1100)，其中所述金属传感器（1100) 具有用于测量在所述线圈（200、300、400、500)中流过的电流的装置（143、144)。
11. 用于运行按上述权利要求中任一项所述的金属传感器（100、1100)的方法（600)， 其中所述方法（600)具有以下步骤： a) 在不给初级线圈（200)和补偿线圈（300)通电的情况下给第一附加线圈（400)通 电，并且测量所述磁场传感器（150)的第一输出电压（U1); b) 在不给初级线圈（200)和补偿线圈（300)通电的情况下给第一附加线圈（400)通 电，并且测量所述磁场传感器（150)的第二输出电压（U2); c) 给所述初级线圈（200)、补偿线圈（300)和第一附加线圈（400)通电，并且测量所述 磁场传感器（150)的第三输出电压（U3); d)将所述第三输出电压（U3)与所述第一输出电压（U1)和所述第二输出电压（U2)的 商相乘，从而得到修正的第三输出电压（U3')。
12.按权利要求11所述的方法（600)，其中所述第一输出电压（U1)在所确定的第一 温度（T0)下测得，其中所述第二输出电压（U2)在第二温度⑴下测得，其中在步骤b)中 在所述第一附加线圈中流动的第一电流（II)在所述第二温度（T)下附加地测得，其中所 述第三输出电压（U3)在所述第二温度（T)下测得，其中在步骤c)中在所述第一附加线圈 中流过的第二电流（12)在所述第二温度（T)下附加地测得，其中所述修正的第三输出电 压（U3')与所述第一电流（II)和所述第二电流（12)的商相乘，从而得到第四输出电压 (U3")。
【文档编号】G01V3/10GK104126133SQ201280057349
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2012年9月24日 优先权日:2011年11月22日
【发明者】M·哈尔, T·齐博尔德 申请人:罗伯特·博世有限公司