本发明涉及晶体生产技术领域，特别是涉及一种漫灌式晶体拼装生产工艺。
背景技术：
部分高能射线探测器的使用过程中需要利用到闪烁晶体，特别是阵列排布的闪烁晶体，因此需要对晶体进行组装。由于人工无法有效控制晶条间的缝隙，错位情况严重，影响阵列的输出和能量分辨率等性能。
通常情况下，晶体拼装生产是在每条闪烁晶体的表面设置反光层，然后依次蘸满胶水后，进行晶体的阵列排布和固定。在生产过程中，由于人工组装和固定晶体时容易出现排列错位问题，影响了目标晶体阵列的发光性能及能量分辨率，而且效率低，需要改进。
技术实现要素：
本发明主要解决的技术问题是提供一种漫灌式晶体拼装生产工艺，避免晶体组装时的排列错位问题，提升生产效率。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种漫灌式晶体拼装生产工艺，包括以下步骤：
夹具的准备：根据需要拼装的目标晶体，所述目标晶体包含多个晶条，选择对应容腔的夹具，在夹具外圆安装指向内部的容腔的螺栓，并预制可以放入夹具容腔中的多种规格的玻璃条板；
反射膜的准备：将反射膜剪裁至与晶条侧面对应的片状结构，然后将片状结构的反射膜贴合在对应晶条的侧面，进行晶条的排列组合，形成组合后的目标晶体半成品；
胶水漫灌：将目标晶体放入夹具内腔，在目标晶体外侧贴一圈隔离膜，把对应的玻璃条板放置在夹具内腔并围绕在隔离膜的外侧进行限位，调整螺栓的伸入长度，使得螺栓末端与玻璃条板接触但并不拧紧，使得晶条之间含有一定缝隙，然后在目标晶体顶面灌入胶水，使得胶水沿晶条之间的缝隙向下流动，使得反射膜浸泡在胶水中；
成型：拧紧螺栓，减少晶条之间的缝隙，挤出缝隙中多余的胶水，移除目标晶体顶面多余的胶水，带胶水干固后取出连为一体的目标晶体，去除表面残胶。
在本发明一个较佳实施例中，所述目标晶体为多个相同规格或者不同规格晶条的排列组合。
在本发明一个较佳实施例中，所述反射膜为esr反射膜。
在本发明一个较佳实施例中，所述夹具的容腔底面设置有漏胶微孔，胶水漫灌时，目标晶体底面多余的胶水通过漏胶微孔流至下方。
在本发明一个较佳实施例中，所述夹具下方设置有储胶桶，所述漏胶微孔把多余的胶水流入储胶桶。
在本发明一个较佳实施例中，所述隔离膜的高度高于目标晶体的高度，使得隔离膜在目标晶体顶面四周形成围堰，避免胶水直接漫入夹具内腔。
本发明的有益效果是：本发明指出的一种漫灌式晶体拼装生产工艺，先排列后集体灌胶的方式，大大提升了生产的效率，并利用玻璃条板和螺栓进行后续的定型，避免了排列错位问题，确保目标晶体的质量。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例包括：
一种漫灌式晶体拼装生产工艺，包括以下步骤：
夹具的准备：根据需要拼装的目标晶体，目标晶体通常为相同规格或者不同规格晶条的排列组合，选择含有与目标晶体对应容腔的夹具，在夹具外圆安装指向内部的容腔的螺栓，并预制可以放入夹具容腔中的多种规格的玻璃条板，夹具的容腔需要大于目标晶体，避免玻璃条板无法放入；
反射膜的准备：将反射膜剪裁至与晶条侧面对应的片状结构，反射膜采用esr反射膜，然后将片状结构的反射膜贴合在对应晶条的侧面，进行晶条的排列组合，形成组合后的目标晶体半成品；
胶水漫灌：将目标晶体放入夹具内腔，也可以事先就在夹具内腔中进行反射膜贴合以及晶条的排列组合，在目标晶体外侧贴一圈隔离膜，把对应的玻璃条板放置在夹具内腔并围绕在隔离膜的外侧进行限位，隔离膜的高度需要高于目标晶体的高度，使得隔离膜在目标晶体顶面四周形成围堰，避免胶水直接漫入夹具内腔，为了减少玻璃条板与胶水的接触，还可以对隔离膜两端进行粘结，形成隔离套，然后调整螺栓的伸入长度，使得螺栓末端与玻璃条板接触但并不拧紧，使得晶条之间含有一定缝隙，然后利用针筒或者打胶枪在目标晶体顶面灌入胶水，使得胶水沿晶条之间的缝隙向下流动，使得反射膜浸泡在胶水中，并引导胶水的向下流动，在夹具的容腔底面设置有漏胶微孔，胶水漫灌时，目标晶体底面多余的胶水通过漏胶微孔流至下方，避免堆积在夹具的容腔内，还可以在夹具下方设置储胶桶，漏胶微孔把底部多余的胶水流入储胶桶，使得胶水可以重复利用，降低成本；
成型：拧紧螺栓，减少晶条之间的缝隙，挤出缝隙中多余的胶水，利用针筒和挂板移除目标晶体顶面多余的胶水，带胶水干固后取出连为一体的目标晶体，去除表面残胶。
综上所述，本发明指出的一种漫灌式晶体拼装生产工艺，提升了对晶体形状和规格的适应性，晶条排列质量高，特别适合较小的晶条进行拼装，避免了单个小晶条蘸胶的困难和繁琐，提升了生产的效率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。