用于半导体装置晶片的改进计量的系统及方法与流程

本公开大体上涉及在半导体装置的制造中的质量度量的测量。

背景技术：

1、已知用于半导体装置的制造中的质量度量的测量的各种方法及系统。

技术实现思路

1、本公开寻求提供用于半导体装置的制造中的质量度量的测量的改进方法及系统。

2、因此，根据本公开的实施例，提供一种用于在半导体装置晶片(sdw)的制造期间产生其质量参数值的方法，所述方法包含：指定所述sdw上的多个测量位点集(mss)，所述mss中的每一者包含第一测量定向位点(fms)及第二测量定向位点(sms)，所述fms及所述sms为所述sdw上的不同测量位点；通过在第一测量定向上测量形成于所述mss中的至少一者的每一所述fms内的特征来产生第一测量定向质量参数数据集(fmqpd)；通过在第二测量定向上测量形成于所述mss中的所述至少一者的每一所述sms内的特征来产生第二测量定向质量参数数据集(smqpd)；及至少部分基于所述fmqpd及所述smqpd来产生至少一个工具诱发偏移(tis)改进的质量参数值(taqpv)。

3、根据本公开的实施例，所述第一测量定向及所述第二测量定向各自包含在大体上平行于所述sdw的上表面的平面内的旋转定向。所述第一测量定向可体现为大体上平行于所述sdw的上表面的平面内的0°的旋转定向，且所述第二测量定向是体现为大体上平行于所述sdw的所述上表面的所述平面内的180°的旋转定向。

4、在本公开的实施例中，所述质量参数是在形成于所述sdw上的至少第一层与形成于所述sdw上的第二层之间的误配准。此外或替代性地，所述质量参数是所述特征中的至少一者的尺寸。此外或替代性地，所述质量参数是所述特征之间的至少一个空间的尺寸。

5、根据本公开的实施例，所述至少一个taqpv中的每一者是与所述fms或sms中的一者相关联。替代性地，根据本公开的实施例，所述至少一个taqpv中的每一者与所述mss中的一者相关联。替代性地，根据本公开的实施例，所述至少一个taqpv中的每一者与一群组的所述mss相关联。

6、在本公开的实施例中，所述taqpv是用于调整所述sdw的所述制造的至少一个参数。

7、可形成于所述mss中的所述至少一者的每一所述fms内的所述特征旨在与形成于所述mss中的所述至少一者的每一所述sms内的所述特征相同。

8、根据本公开的实施例，形成于所述fms内的所述特征包含误配准目标且形成于所述sms内的所述特征包含误配准目标。此外或替代性地，根据本公开的实施例，形成于所述fms内的所述特征包含功能性半导体装置且形成于所述sms内的所述特征包含功能性半导体装置。

9、所述至少一个taqpv的所述产生可包含将所述fmqpd及所述smqpd拟合到模型。

10、根据本公开的另一实施例，还提供一种用于产生半导体装置晶片(sdw)的质量参数值的系统，所述系统包含：测量位点集指定器(mssd)，其可操作以指定所述sdw上的多个测量位点集(mss)，所述mss中的每一者包含第一测量定向位点(fms)及第二定向测量位点(sms)，所述fms及所述sms为所述sdw上的不同测量位点；计量工具，其可操作以在第一测量定向上测量形成于所述mss中的每一者的每一所述fms内的特征，从而产生第一测量定向质量参数数据集(fmqpd)，及在第二测量定向上测量形成于所述mss中的每一者的每一所述sms内的特征，从而产生第二测量定向质量参数数据集(smqpd)；及质量参数分析器，其可操作以至少部分基于所述fmqpd及所述smqpd来产生至少一个工具诱发偏移(tis)改进的质量参数值(taqpv)。

技术特征：

1.一种在半导体装置晶片(sdw)的制造期间产生其质量参数值的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一测量定向及所述第二测量定向各自包括在大体上平行于所述sdw的上表面的平面内的旋转定向。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述质量参数是在形成于所述sdw上的至少第一层与形成于所述sdw上的第二层之间的误配准。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述质量参数是所述特征中的至少一者的尺寸。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述质量参数是所述特征之间的至少一个空间的尺寸。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个taqpv中的每一者与所述fms或所述sms中的一者相关联。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个taqpv中的每一者与所述mss中的一者相关联。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个taqpv中的每一者与一群组的所述mss相关联。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用所述taqpv来调整所述sdw的所述制造的至少一个参数。

11.根据权利要求1所述的方法，其中形成于所述mss中的所述至少一者的每一所述fms内的所述特征旨在与形成于所述mss中的所述至少一者的每一所述sms内的所述特征相同。

12.根据权利要求1所述的方法，其中形成于所述fms内的所述特征包括误配准目标且形成于所述sms内的所述特征包括误配准目标。

13.根据权利要求1所述的方法，其中形成于所述fms内的所述特征包括功能性半导体装置且形成于所述sms内的所述特征包括功能性半导体装置。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述产生所述至少一个taqpv包括将所述fmqpd及所述smqpd拟合到模型。

15.一种用于产生半导体装置晶片(sdw)的质量参数值的系统，所述系统包括：

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述第一测量定向及所述第二测量定向各自包括在大体上平行于所述sdw的上表面的平面内的旋转定向。

17.根据权利要求15所述的系统，其中：

18.根据权利要求15所述的系统，其中所述质量参数是在形成于所述sdw上的至少第一层与形成于所述sdw上的第二层之间的误配准、所述特征中的至少一者的尺寸，或所述特征之间的至少一个空间的尺寸。

19.根据权利要求15所述的系统，其中所述至少一个taqpv中的每一者与所述fms或sms中的一者相关联。

20.根据权利要求15所述的系统，其中所述至少一个taqpv中的每一者与一群组的所述mss相关联。

21.根据权利要求15所述的系统，其中形成于所述mss中的所述至少一者的每一所述fms内的所述特征旨在与形成于所述mss中的所述至少一者的每一所述sms内的所述特征相同。

22.根据权利要求15所述的系统，其中形成于所述fms内的所述特征包括误配准目标且形成于所述sms内的所述特征包括误配准目标。

23.根据权利要求15所述的系统，其中形成于所述fms内的所述特征包括功能性半导体装置且形成于所述sms内的所述特征包括功能性半导体装置。

24.根据权利要求15所述的系统，其中所述质量参数分析器能够操作以将所述fmqpd及所述smqpd拟合到模型，从而产生所述taqpv。

技术总结
本发明涉及一种用于在半导体装置晶片(SDW)的制造期间产生其质量参数值的系统及方法，所述方法包含：指定所述SDW上的多个测量位点集(MSS)，所述MSS中的每一者包含第一测量定向位点(FMS)及第二测量定向位点(SMS)，所述FMS及所述SMS为所述SDW上的不同测量位点；通过在第一测量定向上测量形成于所述MSS中的至少一者的每一所述FMS内的特征来产生第一测量定向质量参数数据集(FMQPD)；通过在第二测量定向上测量形成于所述MSS中的所述至少一者的每一所述SMS内的特征来产生第二测量定向质量参数数据集(SMQPD)；及至少部分基于所述FMQPD及所述SMQPD来产生至少一个工具诱发偏移(TIS)改进的质量参数值(TAQPV)。

技术研发人员：L·叶鲁舍米,D·内格里,O·巴沙尔,Y·西蒙,A·玛纳森,N·本大卫,Y·于齐耶尔,E·拉维特
受保护的技术使用者：科磊股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15